一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法技术

本发明专利技术提供了一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，采用了特制的生物改良肥料对重度盐碱地进行改良，已经公开的专利中已经公开了同温层芽胞杆菌对改良盐碱地的应用，但是土壤脱盐率只有55%，而应用于重度盐碱地，效果并不明显，为了提高脱盐效果，本发明专利技术中将比莱青霉和点青霉与同温层芽胞杆菌一起应用，将土壤脱盐率提高至95%以上。针对重度低洼盐碱地盐度高、碱度高，排水困难的特点，通过埋设暗管、挖水处理坑对水进行过滤和盐分隔离、挖通到地下水的集水井排水的方式，比传统的挖排水沟的方式排水效果好很多，解决了低洼盐碱地地区的盐害和涝害问题。

A method of planting flowers in nursery gardens in heavily polluted low-lying saline alkali soil

The present invention provides a method for planting flower beds in severely polluted low-lying saline alkali land, using special biological modified fertilizer to improve heavy saline alkali land. The application of Bacillus stratibacilli to improved saline alkali land has been disclosed in public patents, but the soil desalination rate is only 55%, and is applied to heavy soil. In order to improve the effect of desalting, Penicillium and Penicillium were applied together with Bacillus stratici, and the soil desalination rate was increased to more than 95% in order to improve the effect of desalting. In view of the characteristics of high salinity, high alkalinity and difficult drainage in the severe low-lying saline alkali land, the way to drain the water by filtering and isolating the water by embedding the dark pipe and digging water treatment pits and digging the water in the groundwater is better than the traditional drainage ditch. The salt damage and waterlogging in low-lying saline alkali land areas are solved. Harm the problem.

【技术实现步骤摘要】
一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法
本专利技术涉及盐碱地的改良
，具体来说，涉及一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法。
技术介绍
盐碱地是盐地和碱地的总称。盐土主要指含氯化物或硫酸盐较高的盐渍化土壤，土壤呈碱性，但pH值不一定很高。碱地是指含碳酸盐或重磷酸盐的土壤，pH值较高，土壤呈碱性。盐碱地的有机质含量少，土壤肥力低，理化性状差，对作物有害的阴、阳离子多，作物不易促苗。全世界盐碱地的面积为9.5438亿公顷，其中我国为9913万公顷。我国碱地和碱化土壤的形成，大部分与土壤中碳酸盐的累计有关，因而碱化度普遍较高，严重的盐碱地地区植物几乎不能生存。土地的盐碱化已经是世界范围内的生态问题，目前全球范围内的土地盐碱化程度呈明显上升趋势，土地的盐碱化已经成为世界农业可持续发展的重要限制因素。对于盐碱地的改良，常用的方法有：1、洗盐，洗盐就是把水灌到盐碱地里，使土壤盐分溶解，通过下渗把表土层中的可溶性盐碱排到深层土中或淋洗出去，侧渗入排水沟加以排除；2、平整土地，平整土地可使水分均匀下渗，提高降雨淋盐和灌溉洗盐的效果，防止土壤斑状盐渍化；3、适时耙地，耙地可疏松表土，截断土壤毛细管水向地表输送盐分，起到防止返盐的作用；4、增施有机肥，合理施用化肥，有机肥经微生物分解、转化形成腐殖质，能提高土壤理剂“治碱”对土壤进行有效改良。滨海盐碱地面积大、土壤含盐量高、地下水矿化度高且埋深比较浅，尤其是排水不畅的低洼盐碱地，植物受盐害和涝害的双害危害，导致低洼盐碱地植物成苗难、生产发育迟缓，产量较低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，该方法可以将盐碱地土壤逐渐调节至正常土壤。一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，按照下述步骤进行：A、在低洼盐碱地的中心挖大坑，每亩挖一大坑，深度为3-5m，面积为20-30m2，并在内围用15-25cm混凝土固定，用挖出的土将深坑四周的地面垫高越5-10cm，形成苗圃；B、在坑内中间部位挖直径为1m的集水井，深度以达到地下水为止，坑的其余部分从高到低依次垫上原土层、细砂层、砾石层；最终高度与四周齐平；C、田间埋设暗管：暗管直径12cm，暗管周壁180°一侧设置渗水孔；暗管间距5米，埋深1.2米，长度10-15米，坡降比0.3-0.7%；暗管端部通入坑中；D、采用深耕的方式，将土进行翻耕、平整，翻耕的深度在20-30cm；E、待雨季过后，将过磷酸钙抛洒在田中，再次翻耕、平整，整好苗床，按畦带沟宽90-110cm、高20-30cm作畦，采用单行垄作栽培，垄间距90-110cm，株距20-40cm；F、在垄中间开种植坑，先在坑内放入生物改良肥料，放入花卉树苗后，原土回填；G、定期追加生物改良肥料。优选的，所述生物改良肥料包括以下成分：粘土、膨胀蛭石粉、微生物复合菌剂、氮肥、钾肥、磷肥、腐殖酸和水。优选的，所述生物改良肥料包括以下重量百分比的成分：粘土8-20%、膨胀蛭石粉2-5%、微生物复合菌剂0.5-2%、氮肥20-30%、钾肥5-8%、磷肥10-15%、腐殖酸15-25%和水余量。优选的，所述的微生物复合菌剂中的菌种为同温层芽胞杆菌、比莱青霉和点青霉。优选的，所述的微生物复合菌剂中，各菌种的有效活菌数均≥1亿/g。本专利技术针对重度低洼盐碱地盐度高、碱度高，排水困难的特点，通过埋设暗管、挖水处理坑对水进行过滤和盐分隔离、挖通到地下水的集水井排水的方式，比传统的挖排水沟的方式排水效果好很多，解决了低洼盐碱地地区的盐害和涝害问题。本专利技术所提供的在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，采用了特制的生物改良肥料对重度盐碱地进行改良，已经公开的专利中已经公开了同温层芽胞杆菌对改良盐碱地的应用，但是土壤脱盐率只有55%，而应用于重度盐碱地，效果并不明显，为了提高脱盐效果，本专利技术中将比莱青霉和点青霉与同温层芽胞杆菌一起应用，将土壤脱盐率提高至95%以上。具体实施方式以含盐量为35-50g/kg，pH值为9.0-9.8的重盐碱地为实验土壤，得出如下实施例，对本专利技术进一步详细分析：实施例1一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，按照下述步骤进行：A、在低洼盐碱地的中心挖大坑，每亩挖一大坑，深度为3-5m，面积为20-30m2，并在内围用15-25cm混凝土固定，用挖出的土将深坑四周的地面垫高越5-10cm，形成苗圃；B、在坑内中间部位挖直径为1m的集水井，深度以达到地下水为止，坑的其余部分从高到低依次垫上原土层、细砂层、砾石层；最终高度与四周齐平；C、田间埋设暗管：暗管直径12cm，暗管周壁180°一侧设置渗水孔；暗管间距5米，埋深1.2米，长度10-15米，坡降比0.3-0.7%；暗管端部通入坑中；D、采用深耕的方式，将土进行翻耕、平整，翻耕的深度在20-30cm；E、待雨季过后，将过磷酸钙抛洒在田中，再次翻耕、平整，整好苗床，按畦带沟宽90-110cm、高20-30cm作畦，采用单行垄作栽培，垄间距90-110cm，株距20-40cm；F、在垄中间开种植坑，先在坑内放入生物改良肥料，放入花卉树苗后，原土回填；G、定期追加生物改良肥料。所述生物改良肥料包括以下重量百分比的成分：粘土17%、膨胀蛭石粉3.5%、微生物复合菌剂0.8%、氮肥25%、钾肥7%、磷肥12.5%、腐殖酸18%和水余量。所述的微生物复合菌剂中的菌种为同温层芽胞杆菌、比莱青霉和点青霉,菌种的有效活菌数的比例为5:2:1。所述的微生物复合菌剂中，各菌种的有效活菌数均≥1亿/g。实施例2一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，按照下述步骤进行：A、在低洼盐碱地的中心挖大坑，每亩挖一大坑，深度为3-5m，面积为20-30m2，并在内围用15-25cm混凝土固定，用挖出的土将深坑四周的地面垫高越5-10cm，形成苗圃；B、在坑内中间部位挖直径为1m的集水井，深度以达到地下水为止，坑的其余部分从高到低依次垫上原土层、细砂层、砾石层；最终高度与四周齐平；C、田间埋设暗管：暗管直径12cm，暗管周壁180°一侧设置渗水孔；暗管间距5米，埋深1.2米，长度10-15米，坡降比0.3-0.7%；暗管端部通入坑中；D、采用深耕的方式，将土进行翻耕、平整，翻耕的深度在20-30cm；E、待雨季过后，将过磷酸钙抛洒在田中，再次翻耕、平整，整好苗床，按畦带沟宽90-110cm、高20-30cm作畦，采用单行垄作栽培，垄间距90-110cm，株距20-40cm；F、在垄中间开种植坑，先在坑内放入生物改良肥料，放入花卉树苗后，原土回填；G、定期追加生物改良肥料。所述生物改良肥料包括以下重量百分比的成分：粘土20%、膨胀蛭石粉2%、微生物复合菌剂2%、氮肥20%、钾肥8%、磷肥10%、腐殖酸25%和水余量。所述的微生物复合菌剂中的菌种为同温层芽胞杆菌、比莱青霉和点青霉,菌种的有效活菌数的比例为8:1:3。所述的微生物复合菌剂中，各菌种的有效活菌数均≥1亿/g。实施例3一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，按照下述步骤进行：A、在低洼盐碱地的中心挖大坑，每亩挖一大坑，深度为3-5m，面积为20-30m2，并在内围用15-25cm混凝土固定，用挖出的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，其特征在于，按照下述步骤进行：A、在低洼盐碱地的中心挖大坑，每亩挖一大坑，深度为3‑5m，面积为20‑30m2，并在内围用15‑25cm混凝土固定，用挖出的土将深坑四周的地面垫高越5‑10cm，形成苗圃；B、在坑内中间部位挖直径为1m的集水井，深度以达到地下水为止，坑的其余部分从高到低依次垫上原土层、细砂层、砾石层；最终高度与四周齐平；C、田间埋设暗管：暗管直径12cm，暗管周壁180°一侧设置渗水孔；暗管间距5米，埋深1.2米，长度10‑15米，坡降比0.3‑0.7%；暗管端部通入坑中；D、采用深耕的方式，将土进行翻耕、平整，翻耕的深度在20‑30cm；E、待雨季过后，将过磷酸钙抛洒在田中，再次翻耕、平整，整好苗床，按畦带沟宽90‑110cm、高20‑30cm作畦，采用单行垄作栽培，垄间距90‑110cm，株距20‑40cm；F、在垄中间开种植坑，先在坑内放入生物改良肥料，放入花卉树苗后，原土回填；G、定期追加生物改良肥料。

【技术特征摘要】
1.一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，其特征在于，按照下述步骤进行：A、在低洼盐碱地的中心挖大坑，每亩挖一大坑，深度为3-5m，面积为20-30m2，并在内围用15-25cm混凝土固定，用挖出的土将深坑四周的地面垫高越5-10cm，形成苗圃；B、在坑内中间部位挖直径为1m的集水井，深度以达到地下水为止，坑的其余部分从高到低依次垫上原土层、细砂层、砾石层；最终高度与四周齐平；C、田间埋设暗管：暗管直径12cm，暗管周壁180°一侧设置渗水孔；暗管间距5米，埋深1.2米，长度10-15米，坡降比0.3-0.7%；暗管端部通入坑中；D、采用深耕的方式，将土进行翻耕、平整，翻耕的深度在20-30cm；E、待雨季过后，将过磷酸钙抛洒在田中，再次翻耕、平整，整好苗床，按畦带沟宽90-110cm、高20-30cm作畦，采用单行垄作栽培，垄间距90-110cm，株距...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞高强，
申请(专利权)人：昆山合纵生态科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32