电压转电流电路及电压控制振荡器装置制造方法及图纸

本发明专利技术是提供一电压转电流电路，采用了至少一低漏电流制程之电晶体元件，于一低功耗制程之电晶体元件关闭时，将该低功耗制程之电晶体元件的至少一非控制端(源极、汲极或基极)及/或控制端(闸极)连接至一预定准位(接地准位或供应电压准位)，令该低功耗制程之电晶体元件的至少两个端点连接至相同的电位，从而避免或减轻该低功耗制程之电晶体元件关闭时的漏电。

Voltage to current circuit and voltage controlled oscillator device

The present invention provides a voltage turn current circuit using at least one low leakage current crystal element. When a low power consumption process transistor is closed, at least one non control end (source, drain or base) and / or control end (gate) of the low power consumption process transistor element is connected to a predetermined position (grounding). A quasi bit or supply voltage quasi bit), which connects at least two endpoints of the transistor element in the low power process to the same potential, thus avoiding or alleviating the leakage of the transistor element in the low power process.

【技术实现步骤摘要】
电压转电流电路及电压控制振荡器装置
本专利技术是关于一种电压转电流机制，尤指一种电压转电流电路及电压控制振荡器装置。
技术介绍
一般而言，现今的主流趋势是将一电路芯片(例如锁相回路电路)设计操作在低电压环境以节省功耗。而随着制程的演进进步，当设计该电路芯片时，为了达到较宽的电压操作范围，现有技术在电路实现时是采用具有低临界电压的电晶体元件，然而，当采用具有低临界电压的电晶体元件来实现时，如果关闭低临界电压的电晶体元件，则无可避免的是会产生较大漏电流，此为现有技术所遭遇的难题。
技术实现思路
因此本专利技术的目的之一在于提供一种兼具有低功耗制程特性及低漏电流制程特性的电压转电流电路及电压控制振荡器装置，以解决上述的难题。根据本专利技术之实施例，其揭露了一电压转电流电路。电压转电流电路是用以将一输入电压讯号等比例转换为一输出电流讯号至一电流控制振荡器，该电压转电流电路包含有一开关电晶体、一工作电晶体、一电流镜电路及至少一低漏电流制程电晶体。当启动电压转电流电路时，开关电晶体是被导通。工作电晶体具有控制端、第一端及第二端，控制端耦接至输入电压讯号以接收输入电压讯号，第一端耦接至接地准位，第二端耦接至开关电晶体的一端，输入电压讯号是决定工作电晶体之导通程度并于工作电晶体之第二端上产生一输出。电流镜电路至少包括一对电晶体，电流镜电路耦接至一供应电压准位及开关电晶体的另一端，并用以根据工作电晶体之第二端之该输出来产生输出电流讯号。该至少一低漏电流制程电晶体耦接至工作电晶体之控制端及第二端。其中，该工作电晶体及该电流镜电路均对应于一低功耗制程之第一临界电压，该开关电晶体及该至少一低漏电流制程电晶体均对应于一低漏电流制程之第二临界电压，第二临界电压高于第一临界电压。当电压转电流电路关闭时，是关闭该开关电晶体而断路，以及导通该至少一低漏电流制程电晶体，令该工作电晶体之该控制端及该第二端是耦接至该接地准位。根据本专利技术之实施例，另揭露了一电压转电流电路。电压转电流电路包含有一开关电晶体、一工作电晶体、一电流镜电路及至少一低漏电流制程电晶体。当启动该电压转电流电路时，该开关电晶体是被导通。工作电晶体具有一控制端、一第一端及一第二端，该控制端耦接至该输入电压讯号以接收该输入电压讯号，该第一端耦接至一接地准位，该第二端耦接至该开关电晶体的一端，该输入电压讯号是决定该工作电晶体之导通程度并于该工作电晶体之该第二端上产生一输出。电流镜电路至少包括一对电晶体，电流镜电路耦接至一供应电压准位及该开关电晶体的另一端，并用以根据该工作电晶体之该第二端之该输出来产生该输出电流讯号。该至少一低漏电流制程电晶体耦接至该电流镜电路之该对电晶体的至少一个之至少一非控制端。其中，该工作电晶体及该电流镜电路均对应于一低功耗制程之一第一临界电压，该开关电晶体及该至少一低漏电流制程电晶体均对应于一低漏电流制程之一第二临界电压，该第二临界电压高于该第一临界电压。当该电压转电流电路关闭时，关闭该开关电晶体而断路，以及导通该至少一低漏电流制程电晶体，令该电流镜电路之该对电晶体的至少一个之复数个非控制端耦接至该供应电压准位。根据本专利技术之实施例，另揭露了一电压控制振荡器装置。电压控制振荡器装置包含有一电流控制振荡器及一电压转电流电路，电流控制振荡器用以根据一电流讯号产生一输出频率讯号，电压转电流电路用以将一输入电压讯号等比例转换为一电流讯号并输出至该电流控制振荡器。电压转电流电路包括一开关电晶体、一工作电晶体、一电流镜电路及至少一低漏电流制程电晶体。当启动该电压转电流电路时，该开关电晶体是被导通。该工作电晶体具有一控制端、一第一端及一第二端，该控制端耦接至该输入电压讯号以接收该输入电压讯号，该第一端耦接至一接地准位，该第二端耦接至该开关电晶体的一端，该输入电压讯号是决定该工作电晶体之导通程度并于该工作电晶体之该第二端上产生一输出。该电流镜电路至少包括一对电晶体，电流镜电路耦接至一供应电压准位及该开关电晶体的另一端，并用以根据该工作电晶体之该第二端之该输出来产生该输出电流讯号。该至少一低漏电流制程电晶体，耦接至该工作电晶体之该控制端及该第二端。其中，该工作电晶体及该电流镜电路均对应于一低功耗制程之一第一临界电压，该开关电晶体及该至少一低漏电流制程电晶体均对应于一低漏电流制程之一第二临界电压，该第二临界电压高于该第一临界电压。当该电压转电流电路关闭时，关闭该开关电晶体而断路，以及导通该至少一低漏电流制程电晶体，令该工作电晶体之该控制端及该第二端是耦接至该接地准位。根据本专利技术之实施例，另揭露了一电压控制振荡器装置。电压控制振荡器装置包含有一电流控制振荡器及一电压转电流电路，电流控制振荡器用以根据一电流讯号产生一输出频率讯号，电压转电流电路用以将一输入电压讯号等比例转换为一电流讯号并输出至该电流控制振荡器。电压转电流电路包括一开关电晶体、一工作电晶体、一电流镜电路及至少一低漏电流制程电晶体。当启动该电压转电流电路时，该开关电晶体是被导通。该工作电晶体具有一控制端、一第一端及一第二端，该控制端耦接至该输入电压讯号以接收该输入电压讯号，该第一端耦接至一接地准位，该第二端耦接至该开关电晶体的一端，该输入电压讯号是决定该工作电晶体之一导通程度并于该工作电晶体之该第二端上产生一输出。该电流镜电路至少包括一对电晶体，电流镜电路耦接至一供应电压准位及该开关电晶体的另一端，并用以根据该工作电晶体之该第二端之该输出来产生该输出电流讯号。该至少一低漏电流制程电晶体耦接至该电流镜电路之该对电晶体的至少一个之至少一非控制端。其中，该工作电晶体及该电流镜电路均对应于一低功耗制程之一第一临界电压，该开关电晶体及该至少一低漏电流制程电晶体均对应于一低漏电流制程之一第二临界电压，该第二临界电压高于该第一临界电压。当该电压转电流电路关闭时，关闭该开关电晶体而断路，以及导通该至少一低漏电流制程电晶体，令该电流镜电路之该对电晶体的至少一个之复数个非控制端耦接至该供应电压准位。附图说明图1为本专利技术第一实施例之电压控制振荡器装置的电压转电流电路之示意图。图2为图1所示之电压转电流电路之工作电晶体于关闭时之电路示意图。图3为本专利技术第二实施例之电压控制振荡器装置的电压转电流电路之示意图。图4为图3所示之电压转电流电路之电流镜电路的电晶体于关闭时之电路示意图。图5为本专利技术第三实施例之电压控制振荡器装置之电压转电流电路的电路示意图。图6为本专利技术第四实施例之电压控制振荡器装置的电压转电流电路之示意图。图7为图6所示之电压转电流电路关闭时各低功耗制程电晶体之电路示意图。图8为本专利技术第五实施例之电压控制振荡器装置的电压转电流电路之示意图。图9为图8所示之电压转电流电路关闭时各低功耗制程电晶体之电路示意图。附图标号说明：100、200、300、400、500电压控制振荡器装置105、205、305、405、505电压转电流电路110电流控制振荡器206反相器本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式为了令电压转电流操作之实际电路元件在开启/导通时具有低功耗以及在关闭时兼具有低漏电流的特性，本案实施例之电压转电流电路中的工作电晶体、电流镜电路中的电晶体及/或提供偏压电流之电晶体是采用了低功耗制程的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压转电流电路，其特征在于，用以将一输入电压讯号等比例转换为一输出电流讯号至一电流控制振荡器，该电压转电流电路包含有：一开关电晶体，当启动该电压转电流电路时，该开关电晶体是被导通；一工作电晶体，具有一控制端、一第一端及一第二端，该控制端耦接至该输入电压讯号以接收该输入电压讯号，该第一端耦接至一接地准位，该第二端耦接至该开关电晶体的一端，该输入电压讯号是决定该工作电晶体之一导通程度并于该工作电晶体之该第二端上产生一输出；一电流镜电路，至少包括一对电晶体，电流镜电路耦接至一供应电压准位及该开关电晶体的另一端，并用以根据该工作电晶体之该第二端之该输出来产生该输出电流讯号；以及至少一低漏电流制程电晶体，耦接至该工作电晶体之该控制端及该第二端；其中，该工作电晶体及该电流镜电路均对应于一低功耗制程之一第一临界电压，该开关电晶体及该至少一低漏电流制程电晶体均对应于一低漏电流制程之一第二临界电压，该第二临界电压高于该第一临界电压；以及，当该电压转电流电路关闭时，关闭该开关电晶体而断路，以及导通该至少一低漏电流制程电晶体，令该工作电晶体之该控制端及该第二端是耦接至该接地准位。

【技术特征摘要】
1.一种电压转电流电路，其特征在于，用以将一输入电压讯号等比例转换为一输出电流讯号至一电流控制振荡器，该电压转电流电路包含有：一开关电晶体，当启动该电压转电流电路时，该开关电晶体是被导通；一工作电晶体，具有一控制端、一第一端及一第二端，该控制端耦接至该输入电压讯号以接收该输入电压讯号，该第一端耦接至一接地准位，该第二端耦接至该开关电晶体的一端，该输入电压讯号是决定该工作电晶体之一导通程度并于该工作电晶体之该第二端上产生一输出；一电流镜电路，至少包括一对电晶体，电流镜电路耦接至一供应电压准位及该开关电晶体的另一端，并用以根据该工作电晶体之该第二端之该输出来产生该输出电流讯号；以及至少一低漏电流制程电晶体，耦接至该工作电晶体之该控制端及该第二端；其中，该工作电晶体及该电流镜电路均对应于一低功耗制程之一第一临界电压，该开关电晶体及该至少一低漏电流制程电晶体均对应于一低漏电流制程之一第二临界电压，该第二临界电压高于该第一临界电压；以及，当该电压转电流电路关闭时，关闭该开关电晶体而断路，以及导通该至少一低漏电流制程电晶体，令该工作电晶体之该控制端及该第二端是耦接至该接地准位。2.如权利要求1所述之电压转电流电路，其特征在于，另包含：至少一第二电晶体，耦接至该电流镜电路之该对电晶体中至少一个之至少一非控制端，并对应该低漏电流制程之该第二临界电压；其中当该电压转电流电路关闭时，导通该至少一第二电晶体，令该电流镜电路之该对电晶体中至少一个之复数个非控制端耦接至该供应电压准位。3.如权利要求2所述之电压转电流电路，其特征在于，其中该电流镜电路为一串叠式电流镜，该至少一第二电晶体为至少一组第二电晶体，该串叠式电流镜包含：一第一对电晶体，连接至该开关电晶体；以及一第二对电晶体，串叠连接至该第一对电晶体以连接至该供应电压准位；其中当该电压转电流电路关闭时，导通该至少一组第二电晶体，令该电流镜电路中该第一对电晶体及该第二对电晶体之复数控制端及复数非控制端均耦接至该供应电压准位。4.如权利要求1所述之电压转电流电路，其特征在于，另包含：一另一开关电晶体，当启动该电压转电流电路时，该另一开关电晶体是被导通；一另一工作电晶体，具有一控制端、一第一端及一第二端，该控制端耦接至该输入电压讯号，该第一端耦接至该接地准位，该第二端耦接至该另一开关电晶体的一端；一偏压电流元件，耦接至该另一开关电晶体的一另一端，用以提供一偏压电流；其中，该至少一低漏电流制程电晶体为一组第一电晶体并连接至该工作电晶体之该控制端及该第二端及该另一工作电晶体之该控制端及该第二端；该另一工作电晶体对应于该低功耗制程之该第一临界电压，该另一开关电晶体对应于该低漏电流制程之该第二临界电压；以及，当该电压转电流电路关闭时，关闭该另一开关电晶体而断路，以及导通该组第一电晶体，令该另一工作电晶体之该控制端及该第二端是耦接至该接地准位。5.如权利要求1所述之电压转电流电路，其特征在于，另包含：至少一第二电晶体，耦接至该偏压电流元件之一电晶体及该另一开关电晶体之该另一端；其中该偏压电流元件对应于该低功耗制程之该第一临界电压，该至少一第二电晶体对应于该低漏电流制程之该第二临界电压；当该电压转电流电路关闭时，导通该至少一第二电晶体，令该偏压电流元件之该电晶体之连接于该另一开关电晶体之一非控制端耦接至该供应电压准位。6.一种电压转电流电路，其特征在于，用以将一输入电压讯号等比例转换为一输出电流讯号至一电流控制振荡器，该电压转电流电路包含有：一开关电晶体，当启动该电压转电流电路时，该开关电晶体是被导通；一工作电晶体，具有一控...

【专利技术属性】
技术研发人员：许晨声，
申请(专利权)人：原相科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71