一种用于加工硅环的装置及加工方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于加工硅环的装置及加工方法。该装置包括倒角盘和驱动装置，倒角盘在驱动装置的驱动下进行旋转。采用所述装置加工硅环的方法包括以下步骤：(1)将倒角盘安装在转动装置上，在倒角盘上涂上研磨砂浆；(2)对硅环内圆进行倒角，通过调整倒角盘的自转速度和研磨时间，来调整内圆边缘形状；(3)对硅环进行清洗。通过本发明专利技术的装置及加工方法对硅环内圆进行倒角，简单易行，效率较高，大大降低内圆处理时间。

【技术实现步骤摘要】
一种用于加工硅环的装置及加工方法
本专利技术涉及一种用于加工硅环的装置及加工方法。
技术介绍
一般在制造半导体集成电路的时候，需要对硅晶片上形成的层间绝缘层(SiO2)进行刻蚀工艺。为了对带有绝缘层的硅片进行刻蚀，要使用等离子刻蚀装置。在该等离子刻蚀装置中，刻蚀气体通过设置于硅电极板的贯穿细孔朝向硅片并同时施加高频电压，从而在等离子体刻蚀用硅电极板和硅片之间产生了等离子体，该等离子体作用于硅片，从而实现对硅片表面绝缘层的刻蚀。在该过程中，硅片被置于载片台上。由于工艺或硅片尺寸的不同，载片台的结构也各不相同，统称为硅环。在等离子体刻蚀硅片时，承载硅片的硅部件也会受到等离子体的刻蚀作用，若硅部件的边缘存在损伤和毛边的话，会因磕碰出现硅渣脱落，对待刻蚀的硅片造成沾污，影响最终产品的良率，因此一般需要硅部件的边缘为倒角圆。硅部件整体结构一般使用加工中心完成，在数控中心对边缘进行倒角时，效率很低，影响加工中心的产量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于加工硅环的装置，该装置用于加工硅环内圆，能够提高硅环的边缘质量。本专利技术的另一目的在于提供一种采用上述装置加工硅环的方法。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种用于加工硅环的装置，该装置包括倒角盘和驱动装置，倒角盘在驱动装置的驱动下进行旋转。一种采用所述装置加工硅环的方法，该方法包括以下步骤：(1)将倒角盘安装在转动装置上，在倒角盘上涂上研磨砂浆；(2)对硅环内圆进行倒角，通过调整倒角盘的自转速度和研磨时间，来调整内圆边缘形状；(3)对硅环进行清洗。其中，在所述步骤(1)中，倒角盘使用硬质材料制作而成，例如铸铁，或者在金属材料表面涂上一层金刚石砂。在所述步骤(1)中，倒角盘斜面的角度根据产品规格要求确定，例如45°。在所述步骤(1)中，研磨砂的目数根据边缘质量要求确定，一般在100#～5000#。在所述步骤(2)中，倒角盘的自转速度为1～2000转/分。在所述步骤(3)中，清洗方法使用水或其他清洗液，去除表面的研磨砂。本专利技术的优点在于：通过本专利技术的装置及加工方法对硅环内圆进行倒角，简单易行，效率较高，大大降低内圆处理时间。附图说明图1为本专利技术的装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明，但本专利技术的实施方式不限于此。如图1所示，本专利技术的用于加工硅环的装置，该装置包括倒角盘1和驱动装置3，倒角盘在驱动装置的驱动下进行旋转，从而对待加工的硅环2的内圆进行倒角。实施例使用本专利技术的装置及加工方法，对硅环内圆进行倒角，倒角后使用刻度放大器测量。倒角工程中使用500目的碳化硅砂，倒角盘转速为50转/分钟，倒角时间为1分钟。测试点1测试点2测试点3测试点4测试点5硅环10.4mm0.4mm0.5mm0.4mm0.4mm硅环20.5mm0.4mm0.4mm0.4mm0.5mm硅环30.4mm0.4mm0.5mm0.4mm0.5mm从结果中可以看出，使用本专利技术中的装置，可以对硅环的内圆进行倒角，可以通过确定倒角时间，从而得到高质量的硅环产品。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于加工硅环的装置，该装置包括倒角盘和驱动装置，倒角盘在驱动装置的驱动下进行旋转。

【技术特征摘要】
1.一种用于加工硅环的装置，该装置包括倒角盘和驱动装置，倒角盘在驱动装置的驱动下进行旋转。2.一种采用权利要求1所述的装置加工硅环的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将倒角盘安装在转动装置上，在倒角盘上涂上研磨砂浆；(2)对硅环内圆进行倒角，通过调整倒角盘的自转速度和研磨时间，来调整内圆边缘形状；(3)对硅环进行清洗。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，倒角盘使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：库黎明，白鸽玲，白杜娟，朱秦发，夏青，闫志瑞，李磊，
申请(专利权)人：有研半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11