本实用新型专利技术提供一种读卡机用卡片传输直流电机驱动电路，包括电阻R1电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、N沟道型MOSFET Q1、N沟道型MOSFET Q2、N沟道型MOSFET Q3、N沟道型MOSFET Q4、74LS00双输入与非门U1、74LS04非门U2。据此读卡机卡片输送直流电机匀速控制驱动电路，可以实现以0‑30cm/s的速度精确进退卡片，因此可以实现读卡机抖动进卡、匀速进卡、快速读卡、慢速写卡、IC卡定位读写等功能。此实用新型专利技术用于读卡机的设计中，可以使用价格实惠的直流电机，代替昂贵的伺服电机，实现优良性能的同时，大幅度降低产品成本。
【技术实现步骤摘要】
读卡机卡片输送直流电机匀速控制驱动电路
本技术涉及一种读卡机卡片输送直流电机匀速控制驱动电路，属于电子电路领域。
技术介绍
随着技术进步，时代发展，各种自助设备在银行，电力，保险，城市服务等行业普及率越来越高，这些设备中有一个核心部件就是读卡机，目前，读卡机为了精确控制卡片传输速度和方向，普遍使用的伺服电机，伺服电机定位准，速度快，和过载能力很强，但是价格昂贵，体积相对较大，所以期望找到一种低成本的解决方案。
技术实现思路
本技术为了解决上述问题，提供了一种读卡机用卡片传输直流电机驱动电路。此电路可以实现直流电机以0-30cm/s的速度精确进退卡片，因此可以实现读卡机抖动进卡，匀速进卡，快速读卡，慢速写卡，IC卡定位读写等功能。用于发卡机研发，可以大幅降低研发、生产成本。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：其包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、N沟道型MOSFETQ1、N沟道型MOSFETQ2、N沟道型MOSFETQ3、N沟道型MOSFETQ4、74LS00双输入与非门U1、74LS00非门U2。所述电机正转输入信号，与电机反转输入信号，是取反的，一个为高电平，另外一个为低电平，PWM信号用于调整电机正转调速或反转调速；所述Q2、Q4、Q6、Q8可以实现Q1、Q3、Q5、Q7的快速零电压关断或快速导通；所述C1、C2、C4、C5可以消除Q1、Q3、Q5、Q7关断或导通时的毛刺；所述R1用于Q2漏源电流的限流；所述R2用于Q4漏源电流的限流；所述R3用于Q6漏源电流的限流；所述R4用于Q8（20）漏源电流的限流；；所述与非门U1A组输出对电机正转信号和PWM信号的判别信号，控制Q2导通或关断，进而控制Q1导通或关断；所述与非门U1B组输出对电机正转信号和PWM信号的判别信号，控制Q4导通或关断，进而控制Q3导通或关断；所述C3可以消除直流电机两端的电压抖动；所述非门U2A组输出对电机反转信号的判别信号，控制Q6导通或关断，进而控制Q5导通或关断；所述非门U2B组输出对电机正转信号的判别信号，控制Q8导通或关断，进而控制Q7导通或关断；+24伏直流电源，Q1、直流电机、Q7、地形成电机正转回路；+24伏直流电源、Q5、直流电机、Q3、地形成电机反转回路。进一步地，所述R1首端接电机正转信号输入端；所述R1尾端接C1上端、Q1栅极，和Q2漏极；所述C1上端接Q1栅极；所述C1尾端接地；所述Q2源极接地；所述Q2栅极接U1A组引脚3；所述U1A组引脚2接PWM信号输入端，和U1B组引脚5；所述Q1漏极接+24伏直流电源；所述Q1源极接Q3漏极、C3首端，和直流电机端子1；所述R2首端接电机反转信号输入端、U1B组引脚4、R3尾端，和U2A组引脚1；所述U1B组引脚6接Q3栅极；所述Q3源极接地；所述Q3栅极接C2上端、R2尾端，和Q4漏极；所述Q4（19）源极接地；所述Q5栅极接R3首端、Q6漏极，和C4下端；所述Q5源极接C3尾端、直流电机端子，和Q7漏极；所述Q5漏极接+24伏直流电源；所述Q6栅极接U2A组引脚2；所述Q6源极接地；所述C4上端接地；所述Q7源极接地；所述Q7栅极接R4首端、C5下端，和Q8漏极；所述C5上端接地；所述Q8源极接地；所述Q8栅极接U2B组引脚4。所述N沟道型MOSFETQ1、Q3、Q5、Q7的型号为IRF620。所述N沟道型MOSFETQ2、Q4、Q6、Q8的型号为2N7000G。所述与非门U1A组、与非门U1B组的型号为74LS00。所述非门U2A组、非门U2B组的型号为74LS04。本技术具有以下有益效果：本技术可以实现以0-30cm/s的速度精确进退卡片，因此可以实现读卡机抖动进卡，匀速进卡，快速读卡，慢速写卡，IC卡定位读写等功能。此技术用于读卡机的设计中，可以使用价格实惠的直流电机，代替昂贵的伺服电机，实现优良性能的同时，大幅度降低产品成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，读卡机卡片输送直流电机匀速控制驱动电路，包括电阻R1（1）、N沟道型MOSFETQ1（2）、N沟道型MOSFETQ5（3）、电阻R3（4）、电容C1（5）、电容C4（6）、74LS00双输入与非门U1A组（7）、N沟道型MOSFETQ2（8）、电容C3（9）、N沟道型MOSFETQ6（10）、74LS04非门U2A组（11）、电阻R2（12）、N沟道型MOSFETQ3（13）、N沟道型MOSFETQ7（14）、电阻R4（15）、电容C2（16）、电容C5（17）、74LS00双输入与非门U1B组（18）、N沟道型MOSFETQ4（19）、N沟道型MOSFETQ8（20）、74LS04非门U2B组（21）。所述R1（1）首端接电机正转信号输入端；所述R1（1）尾端接C1（5）上端、Q1（2）栅极，和Q2（8）漏极；所述C1（5）上端，接Q1（2）栅极；所述C1（5）尾端接地；所述Q2（8）源极接地；所述Q2（8）栅极接U1A组（7）引脚3；所述U1A组（7）引脚2接PWM信号输入端，和U1B组（18）引脚5；所述Q1（2）漏极接+24伏直流电源；所述Q1（2）源极接Q3（13）漏极、C3（9）首端，和直流电机端子1；所述R2首端接电机反转信号输入端、U1B组（18）引脚4、R3（4）尾端，和U2A组（11）引脚1；所述U1B组（18）引脚6接Q3（13）栅极；所述Q3（13）源极接地；所述Q3（13）栅极接C2（16）上端、R2（12）尾端，和Q4（19）漏极；所述Q4（19）源极接地；所述Q5（3）栅极接R3（4）首端、Q6（10）漏极，和C4（6）下端；所述Q5（3）源极接C3（9）尾端、直流电机端子2，和Q7（14）漏极；所述Q5（3）漏极接+24伏直流电源；所述Q6（10）栅极接U2A组（11）引脚2；所述Q6（10）源极接地；所述C4上端接地；所述Q7（14）源极接地；所述Q7（14）栅极接R4（15）首端、C5（17）下端，和Q8（20）漏极；所述C5（17）上端接地；所述Q8（20）源极接地；所述Q8（20）栅极接U2B组（21）引脚4。所述N沟道型MOSFETQ1（2）、Q3（13）、Q5（3）、Q7（14）的型号为IRF620。所述N沟道型MOSFETQ2（8）、Q4（19）、Q6（10）、Q8（20）的型号为2N7000G。所述与非门U1A组（7）、与非门U1B组（18）的型号为74LS00。所述非门U2A组（1本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.读卡机卡片输送直流电机匀速控制驱动电路,其特征在于：包括电阻R1（1）、N沟道型MOSFET Q1（2）、N沟道型MOSFET Q5（3）、电阻R3（4）、电容C1（5）、电容C4（6）、74LS00双输入与非门U1A组（7）、N沟道型MOSFET Q2（8）、电容C3（9）、N沟道型MOSFET Q6（10）、74LS04非门U2A组（11）、电阻R2（12）、N沟道型MOSFET Q3（13）、N沟道型MOSFET Q7（14）、电阻R4（15）、电容C2（16）、电容C5（17）、74LS00双输入与非门U1B组（18）、N沟道型MOSFET Q4（19）、N沟道型MOSFET Q8（20）、74LS04非门U2B组（21）;PWM信号用于调整电机正转调速或反转调速；所述Q2（8）、Q4（19）、Q6（10）、Q8（20）可以实现Q1（2）、Q3（13）、Q5（3）、Q7（14）的快速零电压关断或快速导通；所述C1（5）、C2（16）、C4（6）、C5（17）可以消除Q1（2）、Q3（13）、Q5（3）、Q7（14）关断或导通时的毛刺；所述R1（1）用于Q2（8）漏源电流的限流；所述R2（12）用于Q4（19）漏源电流的限流；所述R3（4）用于Q6（10）漏源电流的限流；所述R4（15）用于Q8（20）漏源电流的限流；所述与非门U1A组（7）输出对电机正转信号和PWM信号的判别信号，控制Q2（8）导通或关断，进而控制Q1（2）导通或关断；所述与非门U1B组（18）输出对电机正转信号和PWM信号的判别信号，控制Q4（19）导通或关断，进而控制Q3（13）导通或关断；所述C3（9）可以消除直流电机两端的电压抖动；所述非门U2A组（11）输出对电机反转信号的判别信号，控制Q6（10）导通或关断，进而控制Q5（3）导通或关断；所述非门U2B组（21）输出对电机正转信号的判别信号，控制Q8（20）导通或关断，进而控制Q7（14）导通或关断；+24伏直流电源、Q1（2）、直流电机、Q7（14）、地形成电机正转回路；+24伏直流电源、Q5（3）、直流电机、Q3（13），地形成电机反转回路。...
【技术特征摘要】
1.读卡机卡片输送直流电机匀速控制驱动电路,其特征在于：包括电阻R1（1）、N沟道型MOSFETQ1（2）、N沟道型MOSFETQ5（3）、电阻R3（4）、电容C1（5）、电容C4（6）、74LS00双输入与非门U1A组（7）、N沟道型MOSFETQ2（8）、电容C3（9）、N沟道型MOSFETQ6（10）、74LS04非门U2A组（11）、电阻R2（12）、N沟道型MOSFETQ3（13）、N沟道型MOSFETQ7（14）、电阻R4（15）、电容C2（16）、电容C5（17）、74LS00双输入与非门U1B组（18）、N沟道型MOSFETQ4（19）、N沟道型MOSFETQ8（20）、74LS04非门U2B组（21）;PWM信号用于调整电机正转调速或反转调速；所述Q2（8）、Q4（19）、Q6（10）、Q8（20）可以实现Q1（2）、Q3（13）、Q5（3）、Q7（14）的快速零电压关断或快速导通；所述C1（5）、C2（16）、C4（6）、C5（17）可以消除Q1（2）、Q3（13）、Q5（3）、Q7（14）关断或导通时的毛刺；所述R1（1）用于Q2（8）漏源电流的限流；所述R2（12）用于Q4（19）漏源电流的限流；所述R3（4）用于Q6（10）漏源电流的限流；所述R4（15）用于Q8（20）漏源电流的限流；所述与非门U1A组（7）输出对电机正转信号和PWM信号的判别信号，控制Q2（8）导通或关断，进而控制Q1（2）导通或关断；所述与非门U1B组（18）输出对电机正转信号和PWM信号的判别信号，控制Q4（19）导通或关断，进而控制Q3（13）导通或关断；所述C3（9）可以消除直流电机两端的电压抖动；所述非门U2A组（11）输出对电机反转信号的判别信号，控制Q6（10）导通或关断，进而控制Q5（3）导通或关断；所述非门U2B组（21）输出对电机正转信号的判别信号，控制Q8（20）导通或关断，进而控制Q7（14）导通或关断；+24伏直流电源、Q1（2）、直流电机、Q7（14）、地形成电机正转回路；+24伏直流电源、Q5（3）、直流电机、Q3（13），地形成电机反转回路。2.根据权利要求1所述的读卡机卡片...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊浩，
申请(专利权)人：昆明理工大学津桥学院，
类型：新型
国别省市：云南,53
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