一种直流电机控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种直流电机控制电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，二极管D1、D2，晶体管Q1、Q2、Q3、Q4，电容C1、C2，直流电机M1，稳压管ZD1，驱动信号、+12V电源、+5V电源。本实用新型专利技术由电阻、二极管、晶体管、电容、直流电机构成，采用N沟道MOSFET管驱动直流电机，不仅元器件较少、成本低，而且电路控制比较方便，不会出现二次击穿现象，并且热稳定性比较好，抗干扰能力也很强。

【技术实现步骤摘要】
一种直流电机控制电路
本技术涉及直流电机驱动控制
，具体涉及一种直流电机控制电路。
技术介绍
中草药远红外安全电压健身康复装置系列产品融合有效放射8000纳米-15000纳米远红外线的碳纤维发热电缆、远红外陶瓷以及竹炭粉、玉石，被现代医学药理证明的抗菌抗病毒的艾叶草，纳米二氧化钛，电子光源发生电路，电子灭菌消毒电路，温度监测电路，软件控制与保护电路，硬件控制与保护电路等多种配方于一体，使热、光、电、磁、药完美结合，并采用人体安全电压给负载电路供电，确保人身安全。中草药远红外安全电压健身康复装置设置了多种方式的电机震动模式，有按摩、火罐、刮痧、瘦身、锤击、推拿等辅助疗效，满足了不同用户的需要。电机性能如何直接取决于其电机驱动电路性能的优劣。但是现有的电机驱动电路需要的元器件比较多，而且驱动电路控制复杂，成本较高。
技术实现思路
(一)解决的技术问题本技术为了解决上述中草药远红外安全电压健身康复装置电机驱动电路的缺陷问题，提供一种直流电机控制电路，由电阻、二极管、晶体管、电容、直流电机构成，采用N沟道MOSFET管驱动直流电机，不仅元器件较少、成本低，而且电路控制比较方便，不会出现二次击穿现象，并且热稳定性比较好，抗干扰能力也很强。(二)技术方案为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种直流电机控制电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，二极管D1、D2，晶体管Q1、Q2、Q3、Q4，电容C1，直流电机M1，有驱动信号通过电阻R1与晶体管Q2基极相连，有+12V电源与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极分别与电容C1一端、电阻R2一端、晶体管Q1的发射极相连；电容C1另一端通过电阻R4接地，电阻R2另一端分别与晶体管Q1基极、晶体管Q2的发射极相连，晶体管Q2的发射极通过电阻R5接地；晶体管Q1的集电极与电阻R6一端相连，电阻R6另一端分别与二极管D2阳极、晶体管Q3的基极、电阻R7一端相连；二极管D2的阴极分别与晶体管Q3的发射极、晶体管Q4的栅极相连，晶体管Q4的漏极与+5V电源相连；电容C1另一端、电阻R4一端、电阻R7另一端、晶体管Q3的集电极、晶体管Q4的源极分别与直流电机M1一端相连，直流电机M1另一端接地。进一步地，所述晶体管Q1、Q3为PNP型三极管，晶体管Q2为NPN型三极管。进一步地，所述PNP型三极管为8550，所述NPN型三极管为8050。进一步地，所述晶体管Q4为MOSFET。进一步地，所述MOSFET为N沟道MOSFET。进一步地，有稳压管ZD1并联在晶体管Q4的漏极与源极之间。进一步地，有电容C2并联在晶体管Q3的发射极与集电极之间。进一步地，所述二极管D1、D2为快恢复二极管1N4148。(三)有益效果本技术的有益效果：一种直流电机控制电路，由电阻、二极管、晶体管、电容、直流电机构成，采用N沟道MOSFET管驱动直流电机，不仅元器件较少、成本低，而且电路控制比较方便，不会出现二次击穿现象，并且热稳定性比较好，抗干扰能力也很强。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术电路原理图。相关元件符号说明：电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7；二极管D1、D2；晶体管Q1、Q2、Q3、Q4；电容C1、C2；稳压管ZD1；直流电机M1。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。结合图1，一种直流电机控制电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，二极管D1、D2，晶体管Q1、Q2、Q3、Q4，电容C1、C2，直流电机M1，稳压管ZD1，驱动信号、+12V电源、+5V电源。驱动信号通过电阻R1与晶体管Q2基极相连，+12V电源与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极分别与电容C1一端、电阻R2一端、晶体管Q1的发射极相连；电容C1另一端通过电阻R4接地，电阻R2另一端分别与晶体管Q1基极、晶体管Q2的发射极相连，晶体管Q2的发射极通过电阻R5接地；晶体管Q1的集电极与电阻R6一端相连，电阻R6另一端分别与二极管D2阳极、晶体管Q3的基极、电阻R7一端相连；二极管D2的阴极分别与晶体管Q3的发射极、晶体管Q4的栅极相连，晶体管Q4的漏极与+5V电源相连；电容C1另一端、电阻R4一端、电阻R7另一端、晶体管Q3的集电极、晶体管Q4的源极分别与直流电机M1一端相连，直流电机M1另一端接地。晶体管Q1、Q3为PNP型三极管，所述晶体管Q2为NPN型三极管。PNP型三极管为8550，NPN型三极管为8050，晶体管8550和8050广泛应用在各种放大电路中，主要用于功率放大、开关。晶体管Q4为MOSFET，由于P沟道的MOSFET价格相对较高所以MOSFET选用N沟道MOSFET。为了防止MOSFET漏极与源极之间电压过高烧坏MOSFET，通过稳压管ZD1并联在MOSFET的漏极与源极之间起到过压保护作用。N沟道MOSFET属于电压控制型器件，控制起来比较方便，不会出现二次击穿现象，并且热稳定性比较好，抗干扰能力也很强。二极管D1、D2为快恢复二极管1N4148。具体工作时，电容C1的正极通过二极管D1接到+12V电源上，负极连接到直流电机M1的正极上，与它驱动晶体管Q4的源极接到一起。在直流电机M1停止时，晶体管Q1、Q2、Q3、Q4均截止，电容C1通过二极管D1、R4充电至12V。当有驱动信号时，驱动信号为高电平，晶体管Q2、Q1将依次导通，晶体管Q4的栅极得到12V电压而导通，+5V电源通过晶体管Q4加至直流电机M1正极，直流电机M1运行；当电容C1充满电，其电压仍为12V，可以维持晶体管Q4的导通，并且使晶体管Q4的栅极电压始终保持高于+5V。电容C2并联在晶体管Q3的发射极与集电极之间，电容C2和晶体管Q4栅源间电容充满电以后，电容C1储存电荷通过晶体管Q1、电阻R5、晶体管Q2放电，可以在一定的时间内保证晶体管Q4的驱动电压在合理的范围内。晶体管Q2的发射极与电阻R4相连接，组成近似恒流的驱动电路，其主要作用是避免电容C1的正极电压上升过高时，流过晶体管Q2的放电电流不至于过大。当驱动信号为低电平时，晶体管Q2、Q1会迅速截止，而晶体管Q3进入导通状态，使电容C2和晶体管Q4的栅极本身积累的电荷更快地释放，晶体管Q4关闭，直流电机M1断电，直流电机M1停止运行。综上所述，本技术实施例，直流电机控制电路，由电阻、二极管、晶体管、电容、直流电机构成，采用N沟道MOSFET管驱动直流电机，不仅元器件较少、成本低，而且电路控制比较方便，不会出现二次击穿现象，并且热稳定性比较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流电机控制电路，其特征在于：包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，二极管D1、D2，晶体管Q1、Q2、Q3、Q4，电容C1，直流电机M1，有驱动信号通过电阻R1与晶体管Q2基极相连，有+12V电源与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极分别与电容C1一端、电阻R2一端、晶体管Q1的发射极相连；电容C1另一端通过电阻R4接地，电阻R2另一端分别与晶体管Q1基极、晶体管Q2的发射极相连，晶体管Q2的发射极通过电阻R5接地；晶体管Q1的集电极与电阻R6一端相连，电阻R6另一端分别与二极管D2阳极、晶体管Q3的基极、电阻R7一端相连；二极管D2的阴极分别与晶体管Q3的发射极、晶体管Q4的栅极相连，晶体管Q4的漏极与+5V电源相连；电容C1另一端、电阻R4一端、电阻R7另一端、晶体管Q3的集电极、晶体管Q4的源极分别与直流电机M1一端相连，直流电机M1另一端接地。

【技术特征摘要】
1.一种直流电机控制电路，其特征在于：包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，二极管D1、D2，晶体管Q1、Q2、Q3、Q4，电容C1，直流电机M1，有驱动信号通过电阻R1与晶体管Q2基极相连，有+12V电源与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极分别与电容C1一端、电阻R2一端、晶体管Q1的发射极相连；电容C1另一端通过电阻R4接地，电阻R2另一端分别与晶体管Q1基极、晶体管Q2的发射极相连，晶体管Q2的发射极通过电阻R5接地；晶体管Q1的集电极与电阻R6一端相连，电阻R6另一端分别与二极管D2阳极、晶体管Q3的基极、电阻R7一端相连；二极管D2的阴极分别与晶体管Q3的发射极、晶体管Q4的栅极相连，晶体管Q4的漏极与+5V电源相连；电容C1另一端、电阻R4一端、电阻R7另一端、晶体管Q3的集电极、晶体管Q4的源极分别与直流电机M1一端相...

【专利技术属性】
技术研发人员：李青民，陈土石，蔡光辉，
申请(专利权)人：东莞成乐电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44