一种解决背面碳粉污染的电池制造方法技术

本发明专利技术公开了一种解决背面碳粉污染的电池制造方法，所述方法包括以下步骤：（1）硅片制绒、扩散后，去除磷硅玻璃；（2）将步骤（1）完成后的硅片进行正面PECVD镀膜；（3）将步骤（2）中镀膜后的硅片去除背面pn结并抛光；（4）将步骤（3）处理后的硅片进行丝网印刷及烧结，完成电池片制作。本发明专利技术解决了PECVD镀膜时背部碳粉污染的问题，降低了接触电阻，提升了短路电流，从而提升了电池转换效率，本发明专利技术得工艺过程不增加生产成本，易于实现。

【技术实现步骤摘要】
一种解决背面碳粉污染的电池制造方法
本专利技术涉及电池制造技术，尤其是涉及一种解决背面碳粉污染的电池制造方法。
技术介绍
太阳能电池主要是将太阳光转换为电能，在实际生活中属于一种绿色能源，太阳能电池片是由原硅片经过清洗硅片表面、制绒、扩散形成PN结、去除磷硅玻璃、沉积氮化硅、印刷、烧结形成的。背部刻蚀抛光可有效增加内反射，提升光电子吸收，同时较好的抛光技术可实现铝硅良好的欧姆接触。例如一种在中国专利公开的一种光伏太阳能电池片及其刻蚀方法，其公开号为CN103199158A，该光伏太阳能电池片的刻蚀方法包括以下步骤：预处理步骤，对制作光伏太阳能电池片的基底进行预处理，去除基底的背面的磷硅玻璃层；刻蚀步骤，将经过预处理之后的所述基底放入刻蚀槽，利用碱性溶液对基底的背面进行刻蚀。在常规工艺流程中PECVD镀膜时，由于硅片背面与石墨舟的接触，难免会造成碳粉的粘附，从而造成印刷铝浆时不能形成良好的欧姆接触，增加接触电阻，降低了电流，碳粉的污染也会造成背部的缺陷，导致电子的复合，进一步降低电流。
技术实现思路
本专利技术是为了克服现有电池硅片处理工艺中PECVD镀膜时背部往往存在碳粉污染，增加接触电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种解决背面碳粉污染的电池制造方法，其特征是，所述方法包括以下步骤：（1）硅片制绒、扩散后，去除磷硅玻璃；（2）将步骤（1）完成后的硅片进行正面PECVD镀膜；（3）将步骤（2）中镀膜后的硅片去除背面pn结并抛光；（4）将步骤（3）处理后的硅片进行丝网印刷及烧结，完成电池片制作。

【技术特征摘要】
1.一种解决背面碳粉污染的电池制造方法，其特征是，所述方法包括以下步骤：（1）硅片制绒、扩散后，去除磷硅玻璃；（2）将步骤（1）完成后的硅片进行正面PECVD镀膜；（3）将步骤（2）中镀膜后的硅片去除背面pn结并抛光；（4）将步骤（3）处理后的硅片进行丝网印刷及烧结，完成电池片制作。2.根据权利要求1所述的一种解决背面碳粉污染的电池制造方法，其特征是，步骤（2）中，所述PECVD镀膜为PECVD氮化硅镀膜。3.根据权利要求1或2所述的一种解决背面碳粉污染的电池制造方法，其特征是，步骤（2）中，镀膜膜厚为75-85nm，镀膜后的硅片折射率为2.05-2.15。4.根据权利要求1所述的一种解决背面碳粉污染的电池制造方法，其特征是，步骤（3）中，采用刻蚀液去除背面pn结及抛光，所述刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：董方，孙涌涛，陈健生，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33