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本发明公开了一种解决背面碳粉污染的电池制造方法，所述方法包括以下步骤：（1）硅片制绒、扩散后，去除磷硅玻璃；（2）将步骤（1）完成后的硅片进行正面PECVD镀膜；（3）将步骤（2）中镀膜后的硅片去除背面pn结并抛光；（4）将步骤（3）处理后...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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