有机发光二极管显示面板制造技术

本发明专利技术公布了一种有机发光二极管显示面板，包括：薄膜晶体管；金属层，位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上，所述金属层包括相互分隔的第一金属部分和第二金属部分，所述第一金属部分用于传输直流信号，所述第二金属部分正对所述薄膜晶体管的栅极并形成存储电容，所述第一金属部分包括面对所述第二金属部分的第一侧面，所述第一侧面上设有第一缺口，所述第二金属部分在所述第一侧面上的垂直投影覆盖所述第一缺口。第一缺口增大了第一金属部分与第二金属部分之间的距离，第一缺口仅部分减小了第一金属部分的尺寸，避免第一金属部分整体较窄而容易断裂，降低了第一金属部分和第二金属部分容易发生短路或断路的可能。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示面板
本专利技术涉及显示设备
，尤其是涉及一种有机发光二极管显示面板。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)一种利用有机半导体材料在电流的驱动下产生的可逆变色来实现显示的二极管。OLED显示装置的基本结构通常包括空穴传输层、发光层与电子传输层。当电源供应适当电压时，阳极的空穴与阴极的电子会在发光层中结合，产生亮光。相比于薄膜场效应晶体管液晶显示器，OLED显示装置具有高可视度和高亮度的特点，并且更省电、重量轻、厚度薄，因此，OLED显示装置被视为21世纪最具前途的产品之一。现有技术中，在栅极绝缘层上会沉积第二金属层，曝光并蚀刻第二金属层后形成两个相互分隔的金属部分分别用于传输不同的电信号，例如栅极复位信号和像素正电源信号等。伴随着消费者对有机发光二极管显示面板的清晰度要求不断提高，高密度像素设计使有机发光二极管显示面板中的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的密度越来越高，曝光并蚀刻第二金属层后形成的两个金属部分的尺寸及间距越来越小，增大了制造难度，且容易发生短路或断路等缺陷。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种有机发光二极管显示面板，用以解决现有技术中高密度像素设计的有机发光二极管显示面板内部发生短路或断路的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种有机发光二极管显示面板，包括：薄膜晶体管；金属层，位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上，所述金属层包括相互分隔的第一金属部分和第二金属部分，所述第一金属部分用于传输直流信号，所述第二金属部分正对所述薄膜晶体管的栅极并形成存储电容，所述第一金属部分包括面对所述第二金属部分的第一侧面，所述第一侧面上设有第一缺口，所述第二金属部分在所述第一侧面上的垂直投影覆盖所述第一缺口。一种实施方式中，所述第二金属部分包括面对所述第一金属部分的第二侧面，及连接于所述第一侧面的相对的两侧的第三侧面和第四侧面，所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离大于1um，所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离大于1um。一种实施方式中，所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离等于所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离。一种实施方式中，所述第一缺口的深度为0.1至0.3um。一种实施方式中，所述第二侧面上设有第二缺口，所述第一金属部分在所述第二侧面上的垂直投影覆盖所述第二缺口。一种实施方式中，所述第二缺口与所述第三侧面的最小距离大于1um，所述第二缺口与所述第四侧面的最小距离大于1um。一种实施方式中，所述第二缺口与所述第三侧面的最小距离等于所述第二缺口与所述第四侧面的最小距离。一种实施方式中，所述第二缺口在所述第一侧面上的垂直投影与所述第一缺口重合。一种实施方式中，所述第一缺口的深度与所述第二缺口的深度之和为0.1至0.3um。一种实施方式中，所述第一缺口的深度与所述第二缺口的深度相同。本专利技术的有益效果如下：第一金属部分与第二金属部分形成于同一金属层，第一缺口位于第一金属部分正对第二金属部分的位置，增大了第一金属部分与第二金属部分之间的距离，避免第一金属部分与第二金属部分短路，同时，第一缺口仅部分减小了第一金属部分的尺寸，避免第一金属部分整体较窄而容易断裂，降低了第一金属部分和第二金属部分容易发生短路或断路的可能，提高了有机发光二极管显示面板的良品率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的明显变形方式。图1为本专利技术实施例一提供的有机发光二极管显示面板的层叠结构示意图。图2为本专利技术实施例一提供的有机发光二极管显示面板的层叠结构的部分放大示意图。图3为本专利技术实施例一提供的有机发光二极管显示面板的金属层的俯视图。图4为本专利技术实施例二提供的有机发光二极管显示面板的金属层的俯视图。图5为本专利技术实施例三提供的有机发光二极管显示面板的金属层的俯视图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术实施例一提供的发光二极管显示面板100包括依次层叠设置的基板10、薄膜晶体管20、阳极层12、发光层16及阴极层14等，基板10具有一定的强度，以用于承载薄膜晶体管20、阳极层12、发光层16及阴极层14等结构。阳极层12与阴极层14用于驱动发光层16发光，从而形成图像，薄膜晶体管20电连接阳极层12，从而控制阳极层12的电位。请结合图1和图2，按照制备的顺序，薄膜晶体管20依次包括有源层21、第一绝缘层22、栅极23、栅极绝缘层24、源极25和漏极26等层结构，源极25和漏极26通过有源层21电连接，栅极23用于控制有源层21单向导通，第一绝缘层22用于隔离有源层21与栅极23，栅极绝缘层24用于隔离栅极23与源极25、漏极26。本实施例中，在薄膜晶体管20的栅极23上还设有金属层30，金属层30包括相互分隔的第一金属部分32和第二金属部分34，具体的，第一金属部分32与第二金属部分34之间设有间隙，结合图3，一种实施方式中，第一金属部分32为长条形，第二金属部分34为方形，第一金属部分32与第二金属部分34之间的间隙的尺寸为S1，换言之，第一金属部分32与第二金属部分34的间距为S1。本实施例中，第一金属部分32和第二金属部分34均电连接至驱动电路，其中，第一金属部分32用于传输直流信号，例如栅极复位信号Vref等，第二金属部分34正对薄膜晶体管20的栅极23并形成存储电容Cst，以起到保护栅极23电位的作用。本实施例中，长条形的第一金属部分32的宽度尺寸为L1，第二金属部分34位于第一金属部分32的宽度尺寸方向的一侧。请一并参阅图2和图3，第一金属部分32包括面对第二金属部分34的第一侧面302，第一侧面302上设有第一缺口42，第二金属部分34在第一侧面302上的垂直投影覆盖第一缺口42。本实施例中，第一金属部分32和第二金属部分34为金属层30通过曝光、显影、蚀刻等制程后同时形成，第一金属部分32和第二金属部分34的形状、尺寸取决于曝光过程中使用的掩膜板对应的图案，相应的，掩膜板上设计补偿图案，使用掩膜板曝光后，在第一金属部分32形成与补偿图案对应的第一缺口42。具体到图3，第一缺口42正对第二金属部分34，从而增大了第一金属部分32与第二金属部分34的间距为S11，S11大于S1，从而增大了第一金属部分32与第二金属部分34的间距，降低了第一金属部分32与第二金属部分34因间距太小而容易出现相互接触而短路的风险。进一步的，第一金属部分32在第一缺口42位置的宽度尺寸为L11，L11小于L1，L1-L11＝S11-S1，换言之，第一金属部分32的宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示面板，其特征在于，包括：薄膜晶体管；金属层，位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上，所述金属层包括相互分隔的第一金属部分和第二金属部分，所述第一金属部分用于传输直流信号，所述第二金属部分正对所述薄膜晶体管的栅极并形成存储电容，所述第一金属部分包括面对所述第二金属部分的第一侧面，所述第一侧面上设有第一缺口，所述第二金属部分在所述第一侧面上的垂直投影覆盖所述第一缺口。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示面板，其特征在于，包括：薄膜晶体管；金属层，位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上，所述金属层包括相互分隔的第一金属部分和第二金属部分，所述第一金属部分用于传输直流信号，所述第二金属部分正对所述薄膜晶体管的栅极并形成存储电容，所述第一金属部分包括面对所述第二金属部分的第一侧面，所述第一侧面上设有第一缺口，所述第二金属部分在所述第一侧面上的垂直投影覆盖所述第一缺口。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第二金属部分包括面对所述第一金属部分的第二侧面，及连接于所述第一侧面的相对的两侧的第三侧面和第四侧面，所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离大于1um，所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离大于1um。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离等于所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42