一种晶圆衬底基片制造技术

本发明专利技术涉及晶圆衬底基片技术领域，公开了一种晶圆衬底基片，包括以下生产步骤：1）使用0.1mm厚度以下树脂薄膜材料和0.21mm厚度蓝玻璃作为晶圆衬底基板；2）制备提高晶圆衬底基片表面强度的抛光液；3）使用抛光液对晶圆衬底基片表面进行抛光，将抛光液均匀的喷淋在晶圆衬底基片的表面，进行化学抛光，化学抛光时间为10分钟‑20分钟；4）化学抛光后，将晶圆衬底基片浸泡在保护液中，浸泡时间为15分钟‑30分钟，之后将晶圆衬底基片放入硝酸钾钢化液中进行化学强化。该一种晶圆衬底基片，通过使用高纯度的石英硅环作为低折射率蒸镀物质；使用结晶态高纯度的氧化钛作为高折射率蒸镀物质，对镀膜膜系设计进行改良。 1

A wafer substrate substrate

The invention relates to the technical field of wafer substrate substrate technology, and discloses a wafer substrate substrate, including the following production steps: 1) using the resin film material below the 0.1mm thickness and the 0.21mm thickness blue glass as the wafer substrate; 2) preparing the polishing liquid to improve the surface strength of the wafer substrate; 3) the wafer lining is used with the polishing liquid. The substrate surface is polished, and the polishing liquid is sprinkled evenly on the surface of the wafer substrate, and chemical polishing is performed. The chemical polishing time is 10 minutes for 20 minutes; 4) after chemical polishing, the wafer substrate is soaked in the protective liquid for 15 minutes for 30 minutes, then the wafer substrate is placed in nitric acid. Chemical hardening is carried out in the potassium steel. This kind of wafer substrate is used as a low refractive index steaming material by using high purity silica ring as a low refractive index, and the design of the film system is improved by using the high purity titanium oxide as the high refractive index steaming material. One

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆衬底基片
本专利技术涉及晶圆衬底基片
，具体为一种晶圆衬底基片。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本，但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等的问题。一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
技术实现思路
（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种晶圆衬底基片，具备产品出厂质量高的优点，解决了现有技术导致产品质量不高的问题。（二）技术方案为实现上述产品出厂质量高的目的，本专利技术提供如下技术方案：1．一种晶圆衬底基片，其特征在于，包括以下步骤：1）使用0.1mm厚度以下树脂薄膜材料和0.21mm厚度蓝玻璃作为晶圆衬底基板；2）制备提高晶圆衬底基片表面强度的抛光液；3）使用抛光液对晶圆衬底基片表面进行抛光，将抛光液均匀的喷淋在晶圆衬底基片的表面，进行化学抛光，化学抛光时间为10分钟-20分钟；4）化学抛光后，将晶圆衬底基片浸泡在保护液中，浸泡时间为15分钟-30分钟，之后将晶圆衬底基片放入硝酸钾钢化液中进行化学强化；5）将进行化学强化后的晶圆衬底基片在抛光盘上盘减压下，抛光盘转速1-20rpm抛光，直至75％的晶圆衬底基片的厚度差△h小于0.3mm，采用抛光盘上盘自重方式，抛光盘转速提高10-25rpm，抛光时间1-500圈，直至75％的晶圆衬底基片的厚度差△小于0.02mm，再次采用抛光盘上盘自重方式，抛光盘转速提高至20-35rpm，抛光至合适尺寸；6）使用高纯度的石英硅环作为低折射率蒸镀物质，使用结晶态高纯度的氧化钛作为高折射率蒸镀物质；7）将晶圆衬底基片以及镀膜材料放入洁净区，再由风机通过吹淋喷嘴喷出经过高效过滤的洁净氮气强风吹除晶圆衬底基片表面吸附尘埃，吹淋时间为15s；8）对晶圆衬底基片进行蒸镀，使用真空镀膜装置对步骤6）中的材料进行夹持镀膜，实现镀膜厚度均匀分布，保证滤光片镀膜一致性，使用IAD辅助低温真空蒸镀30-50层的红外截止膜后，直至材料保证平面度满足要求，无形变产生；6）表面检查及表面贴膜保护处理：当材料入射角0°→30°变化时，保证△λ（T=50％）中心波长漂移变化应小于5nm；△λ（T=15％）光谱波长漂移变化应小于20nm后，使用贴膜机进行表面贴膜保护；7）膜层一次检查处理：将材料经过130℃加热试验后，其加热时间为15-30min，观察膜层是否出现开裂问题后，完成生产。优选的，所述步骤2）中抛光液的组成成分按照以下配重比：HF1％-20％、H2SO41％-20％、HNO31％-30％、HCL1％-20％、H3PO41％-8％、纯水40-95％。优选的，所述步骤4）中的保护液包含以下成分的一种或其组合物：聚硅氧烷、硅酸钠、氢氧化钠、硅烷偶联剂。（三）有益效果与现有技术相比，本专利技术提供了一种晶圆衬底基片，具备以下有益效果：1、该一种晶圆衬底基片，通过使用高纯度的石英硅环作为低折射率蒸镀物质；使用结晶态高纯度的氧化钛作为高折射率蒸镀物质，对镀膜膜系设计进行改良，从而大大减小了大角度入射光谱中心波长漂移，保证了产品的高质量。2、该一种晶圆衬底基片，使用机械抛光以及化学抛光，大大提高了产品的抛光打磨效果，从而对晶圆衬底基片进行高强度提高，保证了晶圆衬底基片的出厂质量以及良品率。具体实施方式下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。1．一种晶圆衬底基片，其特征在于，包括以下步骤：1）使用0.1mm厚度以下树脂薄膜材料和0.21mm厚度蓝玻璃作为晶圆衬底基板；2）制备提高晶圆衬底基片表面强度的抛光液；3）使用抛光液对晶圆衬底基片表面进行抛光，将抛光液均匀的喷淋在晶圆衬底基片的表面，进行化学抛光，化学抛光时间为10分钟-20分钟，抛光液的组成成分按照以下配重比：HF1％-20％、H2SO41％-20％、HNO31％-30％、HCL1％-20％、H3PO41％-8％、纯水40-95％；4）化学抛光后，将晶圆衬底基片浸泡在保护液中，浸泡时间为15分钟-30分钟，之后将晶圆衬底基片放入硝酸钾钢化液中进行化学强化，保护液包含以下成分的一种或其组合物：聚硅氧烷、硅酸钠、氢氧化钠、硅烷偶联剂；5）将进行化学强化后的晶圆衬底基片在抛光盘上盘减压下，抛光盘转速1-20rpm抛光，直至75％的晶圆衬底基片的厚度差△h小于0.3mm，采用抛光盘上盘自重方式，抛光盘转速提高10-25rpm，抛光时间1-500圈，直至75％的晶圆衬底基片的厚度差△小于0.02mm，再次采用抛光盘上盘自重方式，抛光盘转速提高至20-35rpm，抛光至合适尺寸；6）使用高纯度的石英硅环作为低折射率蒸镀物质，使用结晶态高纯度的氧化钛作为高折射率蒸镀物质；7）将晶圆衬底基片以及镀膜材料放入洁净区，再由风机通过吹淋喷嘴喷出经过高效过滤的洁净氮气强风吹除晶圆衬底基片表面吸附尘埃，吹淋时间为15s；8）：对晶圆衬底基片进行蒸镀，使用真空镀膜装置对步骤6）中的材料进行夹持镀膜，实现镀膜厚度均匀分布，保证滤光片镀膜一致性，使用IAD辅助低温真空蒸镀30-50层的红外截止膜后，直至材料保证平面度满足要求，无形变产生；6）表面检查及表面贴膜保护处理：当材料入射角0°→30°变化时，保证△λ（T=50％）中心波长漂移变化应小于5nm；△λ（T=15％）光谱波长漂移变化应小于20nm后，使用贴膜机进行表面贴膜保护；7）膜层一次检查处理：将材料经过130℃加热试验后，其加热时间为15-30min，观察膜层是否出现开裂问题后，完成生产。综上所述，该一种晶圆衬底基片，通过使用高纯度的石英硅环作为低折射率蒸镀物质；使用结晶态高纯度的氧化钛作为高折射率蒸镀物质，对镀膜膜系设计进行改良，从而大大减小了大角度入射光谱中心波长漂移，保证了产品的高质量；使用机械抛光以及化学抛光，大大提高了产品的抛光打磨效果，从而对晶圆衬底基片进行高强度提高，保证了晶圆衬底基片的出厂质量以及良品率。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆衬底基片，其特征在于，包括以下生产步骤：

【技术特征摘要】
1.一种晶圆衬底基片，其特征在于，包括以下生产步骤：1）使用0.1mm厚度以下树脂薄膜材料和0.21mm厚度蓝玻璃作为晶圆衬底基板；2）制备提高晶圆衬底基片表面强度的抛光液；3）使用抛光液对晶圆衬底基片表面进行抛光，将抛光液均匀的喷淋在晶圆衬底基片的表面，进行化学抛光，化学抛光时间为10分钟-20分钟；4）化学抛光后，将晶圆衬底基片浸泡在保护液中，浸泡时间为15分钟-30分钟，之后将晶圆衬底基片放入硝酸钾钢化液中进行化学强化；5）将进行化学强化后的晶圆衬底基片在抛光盘上盘减压下，抛光盘转速1-20rpm抛光，直至75％的晶圆衬底基片的厚度差△h小于0.3mm，采用抛光盘上盘自重方式，抛光盘转速提高10-25rpm，抛光时间1-500圈，直至75％的晶圆衬底基片的厚度差△小于0.02mm，再次采用抛光盘上盘自重方式，抛光盘转速提高至20-35rpm，抛光至合适尺寸；6）使用高纯度的石英硅环作为低折射率蒸镀物质，使用结晶态高纯度的氧化钛作为高折射率蒸镀物质；7）将晶圆衬底基片以及镀膜材料放入洁净区，再由风机通过吹淋喷嘴喷出经过高效过滤的洁净氮气...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉平，高昆钰，高璐，曹红霞，黄舒婷，裴浩，尤依兰，王慧，赵峰，
申请(专利权)人：蒙锐上海光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31