集成的自注入锁定锁相环光电振荡器制造技术

本发明专利技术详细介绍了具有频率和相位稳定性的集成光电振荡器(100)的制造指南，该振荡器在一个相对较小的尺寸(相比高阶电实现射频滤波器的较大尺寸)具有较高的频率选择性，降低温度敏感性以及减少频率漂移。集成光学组件(101、103、105、107)和射频振荡器(140)可使用利用CMOS和BiCMOS技术的硅光子和微电子集成，消除大体积和/或分立的光学和微波组件的需求。 1

Integrated self injection locked phase locked loop optoelectronic oscillator

The invention provides a detailed description of the manufacturing guide for an integrated photoelectric oscillator (100) with frequency and phase stability, which has a higher frequency selectivity, lower temperature sensitivity and less frequency drift in a relatively small size (compared to the larger size of a high order radio frequency filter). Integrated optical components (101, 103, 105, 107) and radio frequency oscillators (140) can use the silicon photons and microelectronic integration of CMOS and BiCMOS technologies to eliminate the demand for large volume and / or discrete optical and microwave components. One

【技术实现步骤摘要】
集成的自注入锁定锁相环光电振荡器本申请是基于申请号为US13/796,446、申请日为2013年3月12日的美国专利，上述专利申请公开的内容作为本申请的参考。
本专利技术公开内容涉及一种易于实现并且价格低廉的用于控制光电振荡器(“OEO”)的系统和方法。在优选的实施方案中，光电振荡器能够产生重复的电子正弦波或任意波和/或连续的电调制波或脉冲光信号。
技术介绍
一般来说，除了电源直流(DC)功率形式的能量外，光电振荡器从光源处，如激光器，获得泵浦持续功率。通过利用窄带滤波机制满足振荡频率所需的增益和相位特性，能量被转换成基于有效功率转换的射频(RF)信号和微波信号。光电振荡器通常表现出低损耗光延迟、低温度敏感性，且能以模块化结构实现。与电子振荡器相比，无论是从短期还是长期来说，这些优点通常使得光电振荡器拥有高的品质因数和更好的稳定性。例如，在系列号为US13/760,767的美国专利申请中公开的自注入锁定锁相环(ILPLL)光电振荡器，上述专利申请公开的内容作为本申请的参考。在该申请公开的光电振荡器中，纯正弦振荡信号的维持是通过从促进近端载波相位噪声的周围干扰源中自动过滤出持续信号。相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有单片集成硅光子结构的光电振荡器，包括：

【技术特征摘要】
1.具有单片集成硅光子结构的光电振荡器，包括：调制器，用于提供光信号；第一光电探测器，用于转换部分光信号为电信号，第一光电探测器具有被耦合到第一放大器的输出；光滤波器，用于接收部分光信号，光滤波器具有被耦合到第二光电探测器的输出，第二光电探测器用于转换部分光信号为电信号，第二光电探测器具有被耦合到第二放大器的输出；第三光电探测器，用于转换部分光信号为电信号，第三光电探测器具有被耦合到第三放大器的输出；相位探测器，用于接收来自第一光电探测器的第一射频信号和来自第二放大器的第二射频信号，第二射频信号具有比第一射频信号更长延迟，相位探测器用于确定第一和第二射频信号之间的相位差；以及压控振荡器，用于接收来自第三光电探测器的第三射频信号，以及用于接收来自相位探测器的电信号，其中压控振荡器被用来输出振荡信号以响应电信号和第三射频信号中的每一个，振荡信号被用来控制调制器的输出，其特征在于：调制器、光电探测器、放大器、光滤波器、相位探测器以及压控振荡器中的每一个被集成在集成电路中。2.根据权利要求1所述的光电振荡器，其特征在于：调制器为包括电光聚合物的光学马赫-曾德尔调制器。3.根据权利要求2所述的光电振荡器，其特征在于：光学马赫-曾德尔调制器包括发色团的混合物和电光聚合物。4.根据权利要求2所述的光电振荡器，其特征在于：调制器在波长大约为1550nm时表现出大约为100pm/V或者更大的电光系数。5.根据权利要求4所述的光电振荡器，其特征在于：调制器与光子带隙结构集成在一起。6.根据权利要求2所述的光电振荡器，其特征在于：调制器在波长大约为1060nm时表现出大约为1150pm/V的电光系数。7.根据权利要求2所述的光电振荡器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·K·鄱达，U·L·罗德，A·S·哒尤氏，
申请(专利权)人：协同微波公司，
类型：发明
国别省市：美国,US