一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法。首先通过加入质子酸使铜酞菁发生质子化反应，然后加入有机溶液配成电解液，再用电沉积方法制备一种纳米铜酞菁薄膜。制备的一种纳米铜酞菁薄膜具有α相晶体结构，可通过调节铜酞菁溶液浓度、铜酞菁溶液温度、电压和电沉积时间来控制薄膜的形态和尺寸，所需的电压小（０．５～３Ｖ），时间短（５～６０分钟），容易操作，成膜均匀，成本低，利于工业化生产。本发明专利技术可用于电导、传感、发光二极管、场效应晶体管和光电转化等领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法，其特征在于制备方法如下，以下均以重量份来表示：　（１）将２．８８～２８．８份铜酞菁和５７００～１１４００份质子酸进行混合，再加入３７２００～４００００份有机溶剂，超声波处理１５～２０分钟，配成浓度为１×１０↑［－４］～１×１０↑［－３］ｍｏｌ／Ｌ的铜酞菁溶液；　（２）将正负电极放入上述配置的铜酞菁溶液中，正电极是铂电极，负电极是导电的金属片或透明的导电玻璃片，导电的金属片或透明的导电玻璃片在使用前依次在去离子水、丙酮、异丙酮、乙醇中超声波处理１５～２０分钟，烘干２～３小时，铜酞菁溶液的温度是２０～６０℃，使用０．５～３Ｖ的电压，电沉积５～６０分钟，然后依次在氨水和去离子水中洗涤，再真空干燥３～４小时，在负极上得到一种纳米铜酞菁薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛敏钊，苏瑾莉，马宁，盛巧蓉，张青，刘燕刚，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[]