SiC 晶片的生成方法技术
The generation method of SiC chip
A method for generating SiC wafers is provided, which can efficiently separate SiC wafers from single crystal SiC ingots. The generation method of the SiC wafer includes the following procedure: a stripping layer forming process, a laser light (LB) point (FP) that has transmittance of the single crystal SiC (LB) is positioned at the depth of the first surface (4) (end) of the SiC crystal ingot (2) equal to the thickness of the SiC wafer to be generated, and the SiC crystal ingot (2) is irradiated with laser light (LB), forming an exfoliation. The separation layer (22), the stripping layer (22) is separated by SiC into the modification part (18) of Si and C and a crack (20) formed in the isotropic form of the C surface from the modification part (18); and the SiC wafer formation process impregnates the SiC ingot (2) in the liquid (26), and the liquid (26) gives the SiC crystal ingot (2) to a frequency similar to the inherent vibration frequency of the SiC ingot (2) with the SiC ingot (2). The ultrasonic frequency of the frequency above is stripped (22) as an interface to peel off part of the SiC ingot (2) and generate the SiC wafer (34). One
【技术实现步骤摘要】
SiC晶片的生成方法
本专利技术涉及一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件形成于将功能层层叠在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)等作为材料的晶片的正面并由多条交叉的分割预定线所划分的区域。另外，功率器件、LED等形成于将功能层层叠在以单晶SiC(碳化硅)作为材料的晶片的正面并由多条交叉的分割预定线所划分的区域。形成有器件的晶片利用切削装置或激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片。分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电气设备中。形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(参见专利文献1)。但是，在利用划片锯将晶锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，晶锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC晶锭，其硬度高，难以利用划片锯进行切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面存在问题。因此，本申请人提出了下述技术，将对于SiC晶锭具有透过性...
【技术保护点】
1.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和
【技术特征摘要】
2016.12.06 JP 2016-2367011.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与该c轴垂直的c面，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，形成剥离层，该剥离层由SiC分离成Si和C的改质部和从改质部起在c面各向同性地形成的裂纹构成；以及SiC晶片生成工序，将单晶SiC晶锭浸渍于液体中，藉由液体对单晶SiC晶锭赋予具有与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以该剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片。2.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，与所述单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率为单晶SiC晶锭的固有振动频率的0...
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