【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆减薄后卸片的装置
本技术涉及一种用于砷化镓晶圆减薄后卸片的装置。
技术介绍
在半导体工艺过程中经常涉及晶圆的减薄,尤其是在砷化镓半导体激光芯片的制备过程中,为了达到良好的散热效果以及适应激光芯片轻小化发展趋势,需要将厚度为400多微米的晶圆减薄至100微米左右。具体主要是通过热剥离膜将晶圆P面粘合在有一定厚度的玻璃基板上,然后用磨抛设备配合研磨液对晶圆N面进行减薄。晶圆减薄至目标厚度后,需要通过加热热剥离膜的方式将晶圆从玻璃基板上顺利卸下来。现有技术一般采用直接接触电加热板卸片方式,粘在玻璃基板上的晶圆N面朝下直接水平放置在加热板上,加热热量先传递至晶圆N面、P面,然后再传递至热剥离膜。热剥离膜受热反应后,晶圆与玻璃基板分离。晶圆N面直接接触加热板表面会造成N面划痕、蹭伤,影响激光器芯片寿命。而且由于玻璃基板压在晶圆上部,受玻璃基板重力影响,热剥离膜受热发生反应后晶圆不能自动向上弹起、分离,导致剥离不彻底,卸片过程存在粘片。晶圆厚度的减薄导致其机械强度降低,粘片会导致卸片过程中出现晶圆裂片、碎片等风险,产品良率降低。原卸片技术见附图1。
技术实现思路
为了避免现有技术卸片过程中出现晶圆N面划痕,影响后期砷化镓激光器芯片的使用寿命;剥离不彻底,导致裂片、碎片等风险,本技术提出一种新的用于砷化镓晶圆减薄后卸片的装置,不仅杜绝了晶圆N面划痕、卸片粘片现象,降低了晶圆碎片、裂片风险,同时也缩短了卸片时间,提高了卸片综合效率。本技术的方案如下:晶圆的P面通过热剥离膜粘合在玻璃基板,晶圆的N面朝上,该装置包括冷板和非接触加热源,玻璃基板置于冷板上,所述非接触加热源 ...
【技术保护点】
一种用于晶圆减薄后卸片的装置,所述晶圆的P面通过热剥离膜粘合在玻璃基板,晶圆的N面朝上,其特征在于:该装置包括冷板和非接触加热源,玻璃基板置于冷板上,所述非接触加热源位于晶圆以及玻璃基板的上方、面向晶圆N面。
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆减薄后卸片的装置,所述晶圆的P面通过热剥离膜粘合在玻璃基板,晶圆的N面朝上,其特征在于:该装置包括冷板和非接触加热源,玻璃基板置于冷板上,所述非接触加热源位于晶圆以及玻璃基板的上方、面向晶圆N面。2.根据权利要求1所述的用于晶圆减薄后卸片的装置,其特征在于:所述非接触加热源采用远红外加热灯。3.根据权利要求2所述的用于晶圆减薄后卸片的装置,其特征在于:所述远红外加...
【专利技术属性】
技术研发人员:苗宏周,
申请(专利权)人:西安立芯光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:陕西,61
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