提供一种显示装置。所述显示装置包括衬底、第一晶体管、及发光二极管。所述第一晶体管设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层含有具有第一晶格常数的硅。所述发光二极管设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管，其中所述发光二极管包括半导体层，所述半导体层含有具有第二晶格常数及第三晶格常数的氮化镓，且所述第三晶格常数大于所述第二晶格常数。所述第二晶格常数对所述第一晶格常数的比率大于或等于0.56且小于或等于0.68。本发明专利技术实施例提供的显示装置能够具有更好的发光效率(light emitting efficiency)。
【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术实施例涉及一种装置，且具体来说是涉及一种显示装置。
技术介绍
由于发光二极管(lightemittingdiode，LED)显示设备具有例如有源发光(activelightemitting)、高亮度、高对比度(contrastratio)、及低功耗等优点，因此近年来，其已成为得到大力发展的各种新显示器技术中的一种。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种能够具有更好的发光效率(lightemittingefficiency)的显示装置。在一个实施例中，本专利技术实施例的显示装置包括衬底、第一晶体管、及发光二极管。所述第一晶体管设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层含有具有第一晶格常数的硅。所述发光二极管设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管，其中所述发光二极管包括半导体层，所述半导体层含有具有第二晶格常数及第三晶格常数的氮化镓，且所述第三晶格常数大于所述第二晶格常数。所述第二晶格常数对所述第一晶格常数的比率大于或等于0.56且小于或等于0.68。在另一实施例中，本专利技术实施例的显示装置包括衬底、第一晶体管、第二晶体管、及蓝色发光二极管。所述第一晶体管设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括含有硅的第一半导体层。所述第二晶体管设置于所述衬底上，其中所述第二晶体管包括含有镓及氧的第二半导体层。蓝色发光二极管设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管及所述第二晶体管，其中所述蓝色发光二极管包括含有氮化镓的半导体层。所述第二晶体管的所述第二半导体层中所含有的镓的原子百分比对所述蓝色发光二极管的所述半导体层中所含有的镓的原子百分比的比率大于或等于0.26且小于或等于0.55。为了使本专利技术的上述特征能更易于理解，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明结合附图阅读以下详细说明，将最好地理解本专利技术的各个实施例。应注意，根据本产业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是根据本专利技术实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；图2是根据本专利技术另一实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；图3是氮化镓的晶体结构的示意图；图4是硅的晶体结构的示意图。附图标号说明10、20：显示装置；101：衬底；102：缓冲层；103：绝缘层/栅极绝缘层；104、105、106、107、108、109、IL、PV：绝缘层；120：第一电极；130：发光二极管/蓝色发光二极管；132、136、SL1、SL1’、SL2、SL2’、SL3、SL3’、SL4、SL4’：半导体层；134：有源层；138a、138b：电极；140：填充材料；150：第二电极；211、212、311、311’、312、312’、411、412、511、511’、512、512’：源极/漏极区；213、313、313’、413、513、513’：沟道区；214、214’、314、314’、414、414’、514、514’：栅极电极；214a：第一部分；214b：第二部分；215’、216、216’、315、315’、316、316’、415、415’、416、416’、515、515’、516’：源极/漏极电极；aGaN、cGaN、aSi：晶格常数；CL：电容器线；T1、T1’、T2、T2’、T3、T3’、T4、T4’：晶体管。具体实施方式现在将详细参照本专利技术的当前优选实施例，所述当前优选实施例的实例被示出于附图中。在附图及说明中尽可能使用相同的参考编号指代相同或相似的部件。在本专利技术实施例中，对在一结构“上方”或所述结构“上”形成另一结构的说明可包括在所述结构与所述另一结构之间形成直接接触的实施例，且也可包括在所述结构与所述另一结构之间形成附加结构、从而使所述结构可能不直接接触所述另一结构的实施例。在本专利技术实施例中，发光二极管(LED)的大小被最小化至微米级(micrometer-level)，从而使得所述发光二极管可具有为300μm×300μm、30μm×30μm、或10μm×10μm的横截面积。在示例性实施例中，发光二极管具有为10μm×10μm的横截面积，且操作此种发光二极管(例如，微型发光二极管(micro-LED))所需的驱动电流为约1×10-5A。为了满足此种驱动电流要求，在本专利技术实施例中，可在微型LED的驱动电路系统中采用低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管或氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，IGZO)薄膜晶体管。此外，本专利技术实施例的发光二极管被设计成发射可与传统波长转换材料(例如，量子点材料(quantumdotmaterial))兼容的蓝色光，如此一来由微型LED所发射的蓝色光可轻易地转换成红色光、绿色光、或白色光。再者，在本专利技术实施例中，通过控制LTPS薄膜晶体管中所含有的硅的晶格常数(latticeconstant)及微型LED中所含有的氮化镓的晶格常数，显示装置的发光效率可被增强。此外，通过控制IGZO薄膜晶体管中所含有的镓对微型LED中所含有的镓的比率，显示装置的发光效率可被增强。图1是根据本专利技术实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。为清楚起见，图1绘制一个子像素单元，然而，相关领域中的普通技术人员应理解，显示装置一般包括基于需求而以特定方式排列的多个子像素单元的阵列，其中所述子像素单元的数目在本专利技术中并无特定限制。参照图1，显示装置10包括衬底101、晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、及发光二极管130。显示装置10进一步包括缓冲层102、栅极绝缘层103、多个绝缘层104～109、第一电极120、填充材料140、及第二电极150。衬底101的材料可为例如玻璃、石英、有机聚合物(例如，聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二脂(polyethyleneterephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)等)、不透明/反射材料(例如，导电材料、金属、晶片、陶瓷等)、其他可应用材料、或者上述材料中的至少两种的堆叠或混合物，但本专利技术并非仅限于此。如图1中所示，缓冲层102可选地设置于衬底101上。缓冲层102的材料可包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或以上材料的堆叠层。参照图1，晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、及晶体管T4设置于衬底101及缓冲层102上。晶体管T1包括半导体层SL1、栅极电极214、及源极/漏极电极216。在实施例中，栅极电极214位于半导体层SL1上。举例来说，如图1中所示，栅极电极214可包括第一部分214a及第二部分214b；在另一实例(图中未示出)中，栅极电极214可包括第一部分214a与第二部分214b中的一个，本专利技术并非仅限于此。详细来说，半导体层SL1包括源极/漏极区211、源极/漏极区212、及位于源极/漏极区211与源极/漏极区212之间的沟道区213。如图1中所示，源极/漏极电极216连接至源极/漏极区212，栅极电极214与沟道区213交叠，且晶体管T1的源极/漏极区211与晶体管T4共享。在实施例中，半导体层SL1的材料为低温多晶硅，因而晶体管T1为低温多晶硅薄膜晶体管。在实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，包括：衬底，第一晶体管，设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层含有具有第一晶格常数的硅；以及发光二极管，设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管，其中所述发光二极管包括半导体层，所述半导体层含有具有第二晶格常数及第三晶格常数的氮化镓，且所述第三晶格常数大于所述第二晶格常数，其中所述第二晶格常数对所述第一晶格常数的比率大于或等于0.56且小于或等于0.68。
【技术特征摘要】
2016.12.02 US 62/429,162;2017.01.03 US 62/441,579;1.一种显示装置，其特征在于，包括：衬底，第一晶体管，设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层含有具有第一晶格常数的硅；以及发光二极管，设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管，其中所述发光二极管包括半导体层，所述半导体层含有具有第二晶格常数及第三晶格常数的氮化镓，且所述第三晶格常数大于所述第二晶格常数，其中所述第二晶格常数对所述第一晶格常数的比率大于或等于0.56且小于或等于0.68。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二晶格常数对所述第一晶格常数的所述比率大于或等于0.57且小于或等于0.61。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第三晶格常数对所述第一晶格常数的比率大于或等于0.92且小于或等于1.10。4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第三晶格常数对所述第一晶格常数的所述比率大于或等于0.94且小于或等于0.99。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一半导体层的晶体比率大于50％。6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一晶体管的所述第一半导体层中所含有的硅的原子百分比大于所述发光二极管的所述半导体层中所含有的镓的原子百分比。7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光二极管是蓝色发光二极管。8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一半导体层为多晶相。9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，进一步包括设置于所述衬底上的第二晶体管，其中所述第二晶体管包括含有镓及氧的第二半导体层。10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第二晶体管电连接至所述发光二极管。11.根据权利要求9所述的显示装...
【专利技术属性】
技术研发人员：李冠锋，吴昱娴，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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