一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路制造技术

技术编号:18177629 阅读:213 留言:0更新日期:2018-06-09 19:38
本实用新型专利技术公开了一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路,其特征在于,包括第一光电耦合器、第二光电耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一MOS管、第二MOS管、第一电容、二极管、稳压管。本实用新型专利技术提供一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路,其中第一光电耦合器的阳极通过第一电阻接入测试板,所述第二光电耦合器的集电极接入测试板,第一MOS管的漏极通过第三电阻接入被测试板,第二MOS管的栅极通过第九电阻接入被测试板,测试板的IO口和被测试板的IO口是通过第一光电耦合器和第二光电耦合器隔离开来的,使得两种电源电压不会相互干扰,避免损坏测试板的IO口。

【技术实现步骤摘要】
一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路
本技术属于光耦隔离电路,具体涉及一种用于测试电路保护板的光耦隔离电路。
技术介绍
充电池供电的设备里面都会有一块电池保护板来控制电池的充放电,便携式电动工具的充电池也不例外,里面也有一块电池保护板来控制电池工作。电池保护板是通过里面的微控制器来检测电池的电压和电池的工作电流来实现对电流的控制。由于电阻本身存在不确定的误差,各节电池存在不确定的误差,各节电池电压经电阻分压后的电压后也存在误差,造成微控制器读得的电池电压偏高会使电池充电时充不满电,如果读得的电池电压偏低会使电池充电时产生过充现象,损坏电池。因此,对保护板读得的电池电压进行校准是很有必要的,对电池保护板进行测试后再对每路电池电压进行了校准。在测试过程中,测试板的电源电路和被测试板的电源电路容易发生干扰,使得各自电源电路稳定性差。为此我们提出一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路来解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路,以解决上述
技术介绍
中存在的问题。为解决上述技术问题,本技术采用了如下的技术方案:一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路,包括第一光电耦合器、第二光电耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一MOS管、第二MOS管、第一电容、二极管、稳压管,所述第一光电耦合器的阳极与第一电阻连接,所述第一光电耦合器的阴极接地,所述第一光电耦合器的发射极接地,所述第一光电耦合器的集电极通过第二电阻接入供电电压,所述第一光电耦合器的集电极通过第五电阻接地,所述第一光电耦合器的集电极与第一MOS管的栅极连接;所述第一MOS管的源极接地,所述第一MOS管的漏极通过第三电阻、第四电阻与二极管的正极连接,所述二极管的负极与稳压管的负极连接,所述稳压管的正极接地;所述二极管的负极通过第八电阻接地,所述二极管的负极还通过第一电容接地;所述第二光电耦合器的集电极通过第六电阻接入供电电压,所述第二光电耦合器的发射极接地,所述第二光电耦合器的阴极接地,所述第二光电耦合器的阳极通过第七电阻接入供电电压,所述第二光电耦合器的阳极与第二MOS管的漏极连接;所述第二MOS管的源极接地,所述第二MOS管的栅极通过第八电阻与第二MOS管的源极连接,所述第二MOS管的栅极还通过第九电阻与第一MOS管的漏极连接。本技术的有益效果是:本技术提供一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路,其中第一光电耦合器的阳极通过第一电阻接入测试板,所述第二光电耦合器的集电极接入测试板,第一MOS管的漏极通过第三电阻接入被测试板,第二MOS管的栅极通过第九电阻接入被测试板,测试板的IO口和被测试板的IO口是通过第一光电耦合器和第二光电耦合器隔离开来的,使得两种电源电压不会相互干扰,避免损坏测试板的IO口。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术的实施例一起用于解释本技术,并不构成对本技术的限制。在附图中:图1是本实施例提供一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路的电气原理图;图2是本实施例被测试板的排针端子示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图和实施例,对本技术进行进一步的详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不限定本技术。下面结合具体实施例,进一步阐述本技术。这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围。在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设有”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。如图1所示,本实施例提供一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路,包括第一光电耦合器U1、第二光电耦合器U2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一电容C1、二极管D1、稳压管ZD1,所述第一光电耦合器U1的阳极与第一电阻R1连接,所述第一光电耦合器U1的阴极接地,所述第一光电耦合器U1的发射极接地,所述第一光电耦合器U1的集电极通过第二电阻R2接入供电电压,所述第一光电耦合器U1的集电极通过第五电阻R5接地,所述第一光电耦合器U1的集电极与第一MOS管Q1的栅极连接;所述第一MOS管Q1的源极接地,所述第一MOS管Q1的漏极通过第三电阻R3、第四电阻R4与二极管D1的正极连接,所述二极管D1的负极与稳压管ZD1的负极连接,所述稳压管ZD1的正极接地;所述二极管D1的负极通过第八电阻R8接地,所述二极管D1的负极还通过第一电容C1接地;所述第二光电耦合器U2的集电极通过第六电阻R6接入供电电压,所述第二光电耦合器U2的发射极接地,所述第二光电耦合器U2的阴极接地,所述第二光电耦合器U2的阳极通过第七电阻R7接入供电电压,所述第二光电耦合器U2的阳极与第二MOS管Q2的漏极连接;所述第二MOS管Q2的源极接地,所述第二MOS管Q2的栅极通过第八电阻R8与第二MOS管Q2的源极连接,所述第二MOS管Q2的栅极还通过第九电阻R9与第一MOS管Q1的漏极连接。如图1和图2所示,第一光电耦合器U1的阳极通过第一电阻R1接入测试板的命令发送口IR_TX,第二光电耦合器U2的集电极接入测试板的命令接收口IR_RX,二极管D1的负极接入测试板的AD口ON_DUT_VDD_DET,图2给出了被测试板的排针端子示意图,第一MOS管Q1的漏极通过第三电阻R3接入接到被测板的VDDON_DUT_5V,第二MOS管Q2的栅极通过第九电阻R9接入到被测试板的命令接收和发送口IR_PORT。测试板MCU的VDD是3.3V,被测试板MCU的VDD是5V,测试板的IO口和被测试板的IO口是通过第一光电耦合器U1和第二光电耦合器U2隔离开来的,没有直接连通的地方,当测试板通过IR_TX发送命令时,被测试板收到的高电平是通过ON_DUT_5V(被测试板的VDD)上拉到高电平来得到的,而不是测试板输出的高电平直接输到被测试板IO口。测试板和被测板两边的电源电压各不同,因此测试板和被测试板的IO口不会直接连接通信,使得两种电源电压不会相互干扰,避免损坏测试板的IO口。以上所述仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路

【技术保护点】
一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路,其特征在于,包括第一光电耦合器、第二光电耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一MOS管、第二MOS管、第一电容、二极管、稳压管,所述第一光电耦合器的阳极与第一电阻连接,所述第一光电耦合器的阴极接地,所述第一光电耦合器的发射极接地,所述第一光电耦合器的集电极通过第二电阻接入供电电压,所述第一光电耦合器的集电极通过第五电阻接地,所述第一光电耦合器的集电极与第一MOS管的栅极连接;所述第一MOS管的源极接地,所述第一MOS管的漏极通过第三电阻、第四电阻与二极管的正极连接,所述二极管的负极与稳压管的负极连接,所述稳压管的正极接地;所述二极管的负极通过第八电阻接地,所述二极管的负极还通过第一电容接地;所述第二光电耦合器的集电极通过第六电阻接入供电电压,所述第二光电耦合器的发射极接地,所述第二光电耦合器的阴极接地,所述第二光电耦合器的阳极通过第七电阻接入供电电压,所述第二光电耦合器的阳极与第二MOS管的漏极连接;所述第二MOS管的源极接地,所述第二MOS管的栅极通过第八电阻与第二MOS管的源极连接,所述第二MOS管的栅极还通过第九电阻与第一MOS管的漏极连接。...

【技术特征摘要】
1.一种用于测试电池保护板的光耦隔离电路,其特征在于,包括第一光电耦合器、第二光电耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一MOS管、第二MOS管、第一电容、二极管、稳压管,所述第一光电耦合器的阳极与第一电阻连接,所述第一光电耦合器的阴极接地,所述第一光电耦合器的发射极接地,所述第一光电耦合器的集电极通过第二电阻接入供电电压,所述第一光电耦合器的集电极通过第五电阻接地,所述第一光电耦合器的集电极与第一MOS管的栅极连接;所述第一MOS管的源极接地,所述第一MOS管的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员:张广
申请(专利权)人:深圳市乐祺微电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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