叠层体基板、叠层体基板的制造方法、导电性基板、及导电性基板的制造方法技术

提供一种叠层体基板，其具有透明基材、及形成在透明基材的至少一个面侧的叠层体，叠层体具有黑化层及铜层，黑化层包含氧、铜及镍，黑化层的膜厚为15nm以上，黑化层包含的氧原子与镍原子的质量比O/Ni满足下式(1)，0.1≦O/Ni≦0.8 (1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】叠层体基板、叠层体基板的制造方法、导电性基板、及导电性基板的制造方法
本专利技术涉及一种叠层体基板、叠层体基板的制造方法、导电性基板及导电性基板的制造方法。
技术介绍
如专利文献1公开的历来使用的触控面板用透明导电性薄膜，在高分子薄膜上作为透明导电膜形成有ITO(氧化铟-锡)膜。在此，具备触控面板的显示屏近年趋向大画面化，随之，触控面板用透明导电性薄膜等的导电性基板也被要求大面积化。然而，由于ITO电阻值高，因此存在无法应求导电性基板的大面积化的问题。对此，例如专利文献2、3公开了使用对铜等的金属箔进行加工而成的金属细线来代替ITO膜的技术研究。但是，例如在金属细线采用铜的情况下，由于铜具有金属光泽，而会造成反射导致显示屏的识别性降低的问题。由此，想到了与铜层一同形成有黑化层的叠层体基板，其中铜层由铜等的金属箔构成，黑化层由黑色材料构成。为了将所述叠层体基板加工成具有金属细线的配线图案的导电性基板，在形成铜层及具有所要求的反射率等光学特性的黑化层之后，需要对铜层及黑化层进行蚀刻，以形成所希望的图案。然而，其中会出现铜层与黑化层对蚀刻液的反应性不同的问题。即，若对铜层与黑化层同时进行蚀刻，无法将其中的一个层蚀刻成所希望的形状。另外，分成不同工序实施铜层蚀刻及黑化层蚀刻的情况下，则会造成工序数增加的问题。<现有技术文献><专利文献>专利文献1：日本特开2003-151358号公报专利文献2：日本特开2011-018194号公报专利文献3：日本特开2013-069261号公报
技术实现思路
<本专利技术要解决的课题>鉴于上述历来技术的问题，本专利技术的目的在于提供一种具有可同时进行蚀刻处理的铜层及黑化层的叠层体基板。<解决上述课题的手段>为了达成上述目的，本专利技术提供一种叠层体基板，其具备透明基材及形成在所述透明基材的至少一个面侧的叠层体，所述叠层体具有黑化层及铜层，所述黑化层包含氧、铜及镍，所述黑化层的膜厚为15nm以上，所述黑化层包含的氧原子与镍原子的质量比O/Ni满足下式(1)。0.1≦O/Ni≦0.8(1)<专利技术的效果>根据本专利技术，能够提供具有可同时进行蚀刻处理的铜层及黑化层的叠层体基板。附图说明图1A是本专利技术的实施方式的叠层体基板的剖面图。图1B是本专利技术的实施方式的叠层体基板的剖面图。图2A是本专利技术的实施方式的叠层体基板的剖面图。图2B是本专利技术的实施方式的叠层体基板的剖面图。图3是本专利技术的实施方式的具有网格状配线图案的导电性基板的俯视图。图4A是沿着图3中A-A’线的剖面图。图4B是沿着图3中A-A’线的剖面图。图5是辊对辊溅镀装置的说明图。具体实施方式以下，关于本专利技术的叠层体基板、叠层体基板的制造方法、导电性基板及导电性基板的制造方法的一实施方式进行说明。(叠层体基板、导电性基板)本实施方式的叠层体基板可具备透明基材、及形成在透明基材的至少一个面侧的叠层体。并且，叠层体可具有黑化层及铜层，所述黑化层包含氧、铜及镍。另外，黑化层的膜厚为15nm以上，黑化层包含的氧原子与镍原子的质量比O/Ni优选满足下式(1)。0.1≦O/Ni≦0.8(1)在此，本实施方式的叠层体基板是指，在透明基材的表面设有铜层及黑化层的叠层体，且对铜层等进行蚀刻之前的基板。导电性基板是指对铜层及黑化层进行蚀刻而形成有金属细线的基板。在此，首先关于本实施方式的叠层体基板所包含的各部件进行说明。关于透明基材并无特别限定，能够优选使用可使可见光透射的绝缘体薄膜或玻璃基板等。作为可使可见光透射的绝缘体薄膜，例如可优选使用聚酰胺类薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇醇酯(PET)类薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，PEN)类薄膜、环烯烃类薄膜、聚酰亚胺类薄膜、聚碳酸酯类薄膜等树脂薄膜等。关于透明基材的厚度并无特别限定，可根据用于导电性基板时被要求的强度或透光率等任意选择。作为透明基材的厚度例如可以是10μm以上250μm以下。尤其是用于触控面板用途的情况下，优选为20μm以上200μm以下，更优选为20μm以上120μm以下。用于触控面板用途的情况下，例如尤其要求减小显示屏整体厚度的用途中，透明基材的厚度优选为20μm以上100μm以下。以下，关于铜层进行说明。关于铜层也并无特别限定，但为了避免透光率降低，在铜层与透明基材之间或铜层与黑化层之间不宜配置粘合剂。即，优选将铜层直接形成在其他部件的上面。为了在其他部件的上面直接形成铜层，优选采用溅镀法、离子镀法或蒸镀法等干式镀法来形成铜层。另外，想进一步加厚铜层的情况下，优选在干式镀层之后使用湿式镀法。即，例如能够在透明基材或黑化层上通过干式镀法形成铜薄膜层，并以所述铜薄膜层作为供电层，通过湿式镀法形成铜镀层。在此情况下，铜薄膜层与铜镀层可构成铜层。如上所述，通过仅采用干式镀法，或通过组合干式镀法及湿式镀法来形成铜层，无需利用粘合剂，就能在透明基材或黑化层上直接形成铜层，因此优选上述方法。关于铜层的膜厚并无特别限定，可根据将铜层用为配线时提供给所述配线的电流大小及配线宽度等任意选择。尤其是，为了能够提供充分的电流，铜层的膜厚优选为80nm以上，更优选为100nm以上，进而优选为150nm以上。关于铜层的膜厚的上限值并无特别限定，但随着铜层增厚，为形成配线进行蚀刻时将需要更多蚀刻时间，从而容易发生侧蚀，会造成在蚀刻中抗蚀层发生剥离等的问题。因此，铜层的膜厚优选为5000nm以下，更优选为3000nm，进而优选为1200nm以下。另外，如上所述，在铜层包括铜薄膜层与铜镀层的情况下，铜薄膜层的厚度与铜镀层的厚度的合计优选在上述范围内。其次，关于黑化层进行说明。本实施方式的叠层体基板中，黑化层可以包含氧、铜及镍。若是不具备黑化层而仅形成铜层并加以配线加工而成的金属细线，由于配线的铜层具有金属光泽，铜反射光，例如用为触控面板用配线基板的情况下，会造成显示屏的识别性降低的问题。对此，在研究设置黑化层的方法。为了抑制铜层表面的光反射，及为了在透明基材上形成铜层与黑化层之后进行配线加工，黑化层需兼备低反射率以及可同时将铜层与黑化层蚀刻成所希望的形状的蚀刻性。本专利技术的专利技术者们，为实现兼备低反射率与蚀刻性的黑化层，对包含氧、铜、镍的黑化层进行了研究。其中发现，根据构成黑化层的金属原子数与氧原子数之比，黑化层对蚀刻液的反应性即蚀刻性有时不够充分。并发现，在包含氧、铜、镍的黑化层的膜厚为15nm以上，并且黑化层中包含的氧原子与镍原子的质量比(O/Ni)满足下式(1)的情况下，黑化层可兼备低反射率与蚀刻性。0.1≦O/Ni≦0.8(1)例如通过干式镀法，能够形成本实施方式的叠层体基板的包含氧、铜、镍的黑化层。并且，通过干式镀法，利用镍-铜合金，在氩气等惰性气体中添加了氧的氛围中形成包含氧、铜、镍的黑化层时，镍被优先氧化。然而，上式(1)的O/Ni比小于0.1时，会造成镍的氧化不充分，作为黑化层成膜的Ni-Cu-O膜的反射率有时会提高。另外，上式(1)的O/Ni比大于0.8时，会增进镍的氧化，作为黑化层成膜的Ni-Cu-O膜变透明，透射率可能会提高。因此，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层体基板，其具备：透明基材；及叠层体，形成在所述透明基材的至少一个面侧，所述叠层体具有黑化层及铜层，所述黑化层包含氧、铜、镍，所述黑化层的膜厚为15nm以上，所述黑化层包含的氧原子与镍原子的质量比O/Ni满足下式(1)，0.1≦O/Ni≦0.8  (1)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.16 JP 2015-2046421.一种叠层体基板，其具备：透明基材；及叠层体，形成在所述透明基材的至少一个面侧，所述叠层体具有黑化层及铜层，所述黑化层包含氧、铜、镍，所述黑化层的膜厚为15nm以上，所述黑化层包含的氧原子与镍原子的质量比O/Ni满足下式(1)，0.1≦O/Ni≦0.8(1)。2.根据权利要求1所述的叠层体基板，其中，相对于所述黑化层中的铜与镍的合计，所述黑化层中的铜的比率按质量比为20％以上80％以下。3.根据权利要求1或2所述的叠层体基板，其中，所述铜层的膜厚为80nm以上5000nm以下。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的叠层体基板，其中，所述黑化层对波长400nm以上700nm以下的光的平均反射率为40％以下。5.一种叠层体基板的制造方法，用于制造权利要求1至4中的任一项所述的叠层体基板，所述叠层体基板的制造方法包括：黑化层形成工序，通过干式镀法进行所述黑化层的成膜，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边宽人，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP