一种对存储阵列进行刷盘的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种对存储阵列进行刷盘的方法和装置，属于计算机技术领域。所述方法包括：获取目标存储阵列对应的第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时读写IO数目；根据预先存储的刷盘时延、超时IO数目和调整系数的对应关系，以及所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时IO数目，确定对应的第一调整系数；根据所述第一调整系数，以及第二历史刷盘周期内的刷盘速率，确定目标刷盘速率；基于所述目标刷盘速率，对所述目标存储阵列进行刷盘处理。采用本发明专利技术，可以提高刷盘的效率。

Method and device for washing disk of storage array

The invention discloses a method and a device for carrying out a brush disc on a storage array, belonging to the computer technology field. The method includes: obtaining the number of time delay of the brush disk and the number of overtime read and write IO in the first history brush disk period corresponding to the target storage array; according to the pre stored time delay of the brush disk, the corresponding relation of the number of timeout IO and the adjustment coefficient, and the number of time delay of brush disk and the number of timeout IO in the first history brush disk period, and determine the corresponding number. An adjustment coefficient; the target brush disc rate is determined based on the first adjustment coefficient and the speed of the brush disc in the second history brush disc period; the target storage array is processed by the brush disk rate based on the target brush disk rate. The use of the invention can improve the efficiency of the brush plate.

【技术实现步骤摘要】
一种对存储阵列进行刷盘的方法和装置
本专利技术涉及计算机
，特别涉及一种对存储阵列进行刷盘的方法和装置。
技术介绍
目前，存储系统通常包括存储控制器和存储阵列。其中，存储控制器用于接收前台IO数据，并将接收到的前台IO数据临时存储到本地的缓存中(此处理过程可称为前台IO处理)，然后再按照预设的刷盘机制，将本地缓存中的数据下刷到存储阵列中(此处理过程可称为刷盘处理)，从而可以确保前台IO数据在存储控制器中停留时间不会过长，使得存储控制器有相应的空间可以接收服务器的写入数据。存储控制器的刷盘机制可以基于缓存的数据量，以及缓存中的数据增长速率来确定刷盘速率，刷盘速率可以是单次下刷的数据量。缓存的数据量越多，刷盘速率越快，这样，存储控制器的最大刷盘速率可以接近存储阵列的最大存储能力，从而提高数据存储的效率。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：在分布式存储系统中，一个存储阵列连接多个存储控制器，因此存储阵列的负载受到多个存储控制器的影响。这样，当存储阵列负载较大时，存储控制器仍基于上述刷盘机制下刷数据，会导致下刷的数据无法得到及时的处理，容易导致存储控制器循环超时重发，使得刷盘的效率较低。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了一种对存储阵列进行刷盘的方法和装置。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种对存储阵列进行刷盘的方法，所述方法包括：获取目标存储阵列对应的第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时读写IO数目；根据预先存储的刷盘时延、超时IO数目和调整系数的对应关系，以及所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时IO数目，确定对应的第一调整系数；根据所述第一调整系数，以及第二历史刷盘周期内的刷盘速率，确定目标刷盘速率；基于所述目标刷盘速率，对所述目标存储阵列进行刷盘处理。在一种可能的实现方式中，所述根据预先存储的刷盘时延、超时IO数目和调整系数的对应关系，以及所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时IO数目，确定对应的第一调整系数，包括：获取刷盘时延阈值和超时IO数目阈值，确定所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延与所述刷盘时延阈值的第一刷盘时延比值；如果所述第一历史刷盘周期内的超时IO数目小于所述超时IO数目阈值，则根据预先存储的调整系数与刷盘时延比值的第一对应关系，确定所述第一刷盘时延比值对应的第一调整系数；如果所述第一历史刷盘周期内的超时IO数目大于所述超时IO数目阈值，则根据预先存储的调整系数与刷盘时延比值的第二对应关系中，确定所述第一刷盘时延比值对应的第一调整系数。在另一种可能的实现方式中，所述获取刷盘时延阈值，包括：根据连续的预设数目个统计周期中的每个统计周期的成功IO数目与IO总数目，分别确定所述每个统计周期的IO成功率，所述统计周期的时长包括至少一个刷盘周期的时长；如果所述每个统计周期的IO成功率均大于第一预设阈值，则根据历史刷盘时延阈值和预设的时延增加算法，确定当前的刷盘时延阈值；如果所述每个统计周期的IO成功率均小于第二预设阈值，则根据历史刷盘时延阈值和预设的时延减小算法，确定当前的刷盘时延阈值。在另一种可能的实现方式中，所述第一历史刷盘周期包括至少一个历史刷盘周期，所述获取目标存储阵列对应的第一历史刷盘周期内的刷盘时延，包括：根据目标存储阵列对应的所述至少一个历史刷盘周期中的每个历史刷盘周期的刷盘时延，以及所述每个历史刷盘周期对应的权值，确定加权平均时延，将所述加权平均时延作为所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延。在另一种可能的实现方式中，所述第一历史刷盘周期包括至少一个历史刷盘周期，所述获取目标存储阵列的第一历史刷盘周期内的超时IO数目，包括：根据目标存储阵列对应的所述至少一个历史刷盘周期中的每个历史刷盘周期的超时IO数目，以及所述每个历史刷盘周期对应的权值，确定加权平均数目，将所述加权平均数目作为所述第一历史刷盘周期内的超时IO数目。在另一种可能的实现方式中，所述第二历史刷盘周期为与当前刷盘周期最接近的前一个刷盘周期；或者，所述第二历史刷盘周期包括多个历史刷盘周期，所述方法还包括：根据所述多个历史刷盘周期中的每个历史刷盘周期的刷盘速率，以及所述每个历史刷盘周期对应的权值，确定加权平均速率，将所述加权平均速率作为所述第二历史刷盘周期内的刷盘速率。在另一种可能的实现方式中，所述方法还包括：获取目标存储阵列对应的第三历史刷盘周期内的刷盘量上限，以及用于调整刷盘量上限的第二调整系数；根据所述第三历史刷盘周期内的刷盘量上限和所述第二调整系数，确定目标刷盘量上限；所述基于所述目标刷盘速率，对所述目标存储阵列进行刷盘处理，包括：基于所述目标刷盘速率和所述目标刷盘量上限，对所述目标存储阵列进行刷盘处理。在另一种可能的实现方式中，所述获取目标存储阵列对应的用于调整刷盘量上限的第二调整系数，包括：获取历史缓存周期内无前台IO处理的总时长，所述历史缓存周期的时长包括至少一个刷盘周期的时长；根据预先存储的调整系数与时长比值的对应关系，以及所述无前台IO处理的总时长与所述历史缓存周期的总时长的时长比值，确定对应的第二调整系数。第二方面，提供了一种对存储阵列进行刷盘的装置，该装置包括：处理器、网络接口、存储器以及总线，存储器与网络接口分别通过总线与处理器相连；处理器被配置为执行存储器中存储的指令；处理器通过执行指令来实现上述第一方面或第一方面中任意一种可能的实现方式所提供的对存储阵列进行刷盘的方法。第三方面，本专利技术实施例提供了一种对存储阵列进行刷盘的装置，该处理音频信号的装置包括至少一个单元，该至少一个单元用于实现上述第一方面或第一方面中任意一种可能的实现方式所提供的对存储阵列进行刷盘的方法。上述本专利技术实施例第二到第三方面所获得的技术效果与第一方面中对应的技术手段获得的技术效果近似，在这里不再赘述。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例中，在对存储阵列进行刷盘时，可以根据预先存储的刷盘时延、超时IO数目和调整系数的对应关系，以及第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时IO数目，确定对应的第一调整系数，然后根据第一调整系数，以及第二历史刷盘周期内的刷盘速率，确定目标刷盘速率，进而基于目标刷盘速率，对目标存储阵列进行刷盘处理，这样，可以对刷盘速率进行调整，避免出现因存储阵列负载较大，而导致下发的刷盘数据无法得到及时的处理的情况，从而可以提高刷盘的效率。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种系统框架图；图2是本专利技术实施例提供的一种存储控制器的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种对存储阵列进行刷盘的方法流程图；图4是本专利技术实施例提供的一种刷盘周期的示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种刷盘时延阈值的档位调整的示意图；图6是本专利技术实施例提供的一种缓存周期的示意图；图7是本专利技术实施例提供的一种对存储阵列进行刷盘的方法流程图；图8是本专利技术实施例提供的一种对存储阵列进行刷盘的装置结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。本专利技术实施例提供了一种对存储阵列进行刷盘的方法，该方法的执行主体为存储控制器，也可以是存储控制器中的安装的某应用程序。其中，存储控制器可以是分布式存储系统中的存储控制器，或者，也可以是其他存储系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对存储阵列进行刷盘的方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标存储阵列对应的第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时读写IO数目；根据预先存储的刷盘时延、超时IO数目和调整系数的对应关系，以及所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时IO数目，确定对应的第一调整系数；根据所述第一调整系数，以及第二历史刷盘周期内的刷盘速率，确定目标刷盘速率；基于所述目标刷盘速率，对所述目标存储阵列进行刷盘处理。

【技术特征摘要】
1.一种对存储阵列进行刷盘的方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标存储阵列对应的第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时读写IO数目；根据预先存储的刷盘时延、超时IO数目和调整系数的对应关系，以及所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时IO数目，确定对应的第一调整系数；根据所述第一调整系数，以及第二历史刷盘周期内的刷盘速率，确定目标刷盘速率；基于所述目标刷盘速率，对所述目标存储阵列进行刷盘处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预先存储的刷盘时延、超时IO数目和调整系数的对应关系，以及所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时IO数目，确定对应的第一调整系数，包括：获取刷盘时延阈值和超时IO数目阈值，确定所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延与所述刷盘时延阈值的第一刷盘时延比值；如果所述第一历史刷盘周期内的超时IO数目小于所述超时IO数目阈值，则根据预先存储的调整系数与刷盘时延比值的第一对应关系，确定所述第一刷盘时延比值对应的第一调整系数；如果所述第一历史刷盘周期内的超时IO数目大于所述超时IO数目阈值，则根据预先存储的调整系数与刷盘时延比值的第二对应关系中，确定所述第一刷盘时延比值对应的第一调整系数。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取刷盘时延阈值，包括：根据连续的预设数目个统计周期中的每个统计周期的成功IO数目与IO总数目，分别确定所述每个统计周期的IO成功率，所述统计周期的时长包括至少一个刷盘周期的时长；如果所述每个统计周期的IO成功率均大于第一预设阈值，则根据历史刷盘时延阈值和预设的时延增加算法，确定当前的刷盘时延阈值；如果所述每个统计周期的IO成功率均小于第二预设阈值，则根据历史刷盘时延阈值和预设的时延减小算法，确定当前的刷盘时延阈值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一历史刷盘周期包括至少一个历史刷盘周期，所述获取目标存储阵列对应的第一历史刷盘周期内的刷盘时延，包括：根据目标存储阵列对应的所述至少一个历史刷盘周期中的每个历史刷盘周期的刷盘时延，以及所述每个历史刷盘周期对应的权值，确定加权平均时延，将所述加权平均时延作为所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一历史刷盘周期包括至少一个历史刷盘周期，所述获取目标存储阵列的第一历史刷盘周期内的超时IO数目，包括：根据目标存储阵列对应的所述至少一个历史刷盘周期中的每个历史刷盘周期的超时IO数目，以及所述每个历史刷盘周期对应的权值，确定加权平均数目，将所述加权平均数目作为所述第一历史刷盘周期内的超时IO数目。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二历史刷盘周期为与当前刷盘周期最接近的前一个刷盘周期；或者，所述第二历史刷盘周期包括多个历史刷盘周期，所述方法还包括：根据所述多个历史刷盘周期中的每个历史刷盘周期的刷盘速率，以及所述每个历史刷盘周期对应的权值，确定加权平均速率，将所述加权平均速率作为所述第二历史刷盘周期内的刷盘速率。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：获取目标存储阵列对应的第三历史刷盘周期内的刷盘量上限，以及用于调整刷盘量上限的第二调整系数；根据所述第三历史刷盘周期内的刷盘量上限和所述第二调整系数，确定目标刷盘量上限；所述基于所述目标刷盘速率，对所述目标存储阵列进行刷盘处理，包括：基于所述目标刷盘速率和所述目标刷盘量上限，对所述目标存储阵列进行刷盘处理。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述获取目标存储阵列对应的用于调整刷盘量上限的第二调整系数，包括：获取历史缓存周期内无前台IO处理的总时长，所述历史缓存周期的时长包括至少一个刷盘周期的时长；根据预先存储的调整系数与时长比值的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄颖骅，张绍谦，王成，展昭臣，王工艺，
申请(专利权)人：成都华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51