气体回收设备制造技术

本发明专利技术的气体回收设备有一ＣＶＤ装置，它包括具有惰性气体供应通道以及清洗气体供应通道的气体输入部分，这些通道都与ＣＶＤ装置相连；还设有废气排放部分，废气循环部分，冷却部分以及回收部分；稀释惰性气体包括沸点低于清洗气体的气体；供应成分与稀释惰性气体相同的液态冷惰性气体的供应部分、由冷惰性气体的汽化热冷却的惰性气体循环部分以及惰性气体排放部分构成冷却部分；惰性气体排放部分连接惰性气体供应通道。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种设有一化学气相淀积(“CVD”)装置的气体回收设备，所述CVD装置包括一气体输入部分，该部分具有一条用来供应稀释惰性气体的惰性气体供应通道以及一条用来供应清洗气体的清洗气体供应通道，每条所述通道都与CVD装置连结，此外，CVD装置还包括一个用来释放废气的废气排放部分。本专利技术还涉及一种设有一腐蚀装置的气体回收设备，所述腐蚀装置包括一个气体输入部分，该部分具有一条用来供应稀释惰性气体的惰性气体供应通道以及一条用来供应腐蚀气体的腐蚀气体供应通道，每条所述通道都与腐蚀装置连结，此外，腐蚀装置还包括一个用来释放废气的废气排放部分。在一种具有CVD装置的气体回收设备中，CVD装置装备有一个气体输入部分，该部分具有一条用来供应稀释惰性气体的惰性气体供应通道以及一条用来供应清洗气体的清洗气体供应通道，每条所述通道都与CVD装置相连。CVD装置还设有一个废气排放部分，它用来排放废气，以及在所述CVD装置中产生的杂质，例如二氧化硅(SiO2)、多晶硅、氮化硅、金属硅化物以及非晶硅。因为这些杂质对CVD装置中的产品具有不利的影响，所以必须将它们从CVD装置内除去。因此，已经采用将一种清洗气体引入所述CVD装置的方法，以便将这些杂质转变成易挥发物质并除去它们。即，如果把一种能与这些杂质反应从而使它们转变成气态组分的化合物，例如三氟化氮(NF3)引入所述CVD装置中，二氧化硅(SiO2)就被三氟化氮(NF3)转变成氟化硅(SiF4)而从CVD装置中除去。在过量的清洗气体由于没有完全地与杂质起反应而保留在CVD装置中的情况下，它可与废气混合在一起。特别是，在清洗气体是有害的情况下，因为必须将其转变为无害的，所以已经提出了一种用来回收清洗气体的气体回收设备。另外，在一种用于使与半导体薄膜或类似物起反应的腐蚀气体与半导体薄膜等接触从而进行腐蚀的腐蚀装置中，基于同样的理由，也希望回收腐蚀气体。因此，可以专利技术一种液化并回收清洗气体或者腐蚀气体的技术。然而，已经发现，由于这类清洗或者腐蚀气体通常都很昂贵，因此在进行无害处理后放掉这些气体是很不经济的。所以，希望开发出一种能经济有效地利用这些气体的技术。本专利技术的一个目的是提供一种具有较高的回收效率和较低的运行成本的气体回收设备。本专利技术的另一个目的是提供一种气体回收设备，它用以液化、回收清洗气体或者腐蚀气体，以便再次使用所回收的清洗气体或腐蚀气体。本专利技术的又一个目的是提供一种能以低成本有效地回收有害气体的装置和方法。根据本专利技术，用来实现上述目的的气体回收设备的特征结构可概括如下。这种设备可以包括一个设有一气体输入部分的CVD装置，该部分具有一用来供应稀释惰性气体的惰性气体供应通道以及一用来供应清洗气体的清洗气体供应通道，每条所述通道都与CVD装置连接。该CVD装置还配备有一个用来释放废气的废气体排放部分，一条用来循环来自CVD装置的废气的废气循环通道，一个用来冷却和液化废气中的清洗气体的冷却部分以及一个用来回收已在冷却部分中液化的清洗气体的回收部分；此外还设置了一条气体再循环通道，用来将在回收部分中回收的清洗气体供给气体输入部分。在另一个实施例中，这种设备可以包括一个设有一气体输入部分的腐蚀装置，该部分具有一条用来供应稀释惰性气体的惰性气体供应通道以及一条用来供应腐蚀气体的腐蚀气体供应通道，每条所述通道都与腐蚀装置相连。该腐蚀装置还设有一个用来释放废气的废气排放部分，一条用来循环来自腐蚀装置的废气的废气循环通道，一个用来冷却和液化废气中的腐蚀气体的冷却部分，以及一个用来回收在冷却部分中液化的腐蚀气体的回收部分；此外，还提供了一条气体再循环通道，它用来将在回收部分中回收的腐蚀气体供给气体输入部分。稀释惰性气体可以包括一种沸点低于清洗气体或者腐蚀气体沸点的气体。该设备还可包括一个供应部分，用来供应成分与稀释惰性气体相同的处于液态的冷却的惰性气体；一个惰性气体循环部分，该部分借助于冷却的惰性气体的汽化而冷却下来；以及一个惰性气体排放部分，用来排出在惰性气体循环部分中汽化的冷却惰性气体，由此构成了所述的冷却部分。惰性气体排放部分可以连接到惰性气体供应通道上。清洗气体和/或腐蚀气体最好包括三氟化氮(NF3)、六氟乙烷(C2F6)、三氟化氯(ClF3)、四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、氯化氢(HCl)、氟气(F2)和氯气(Cl2)中的至少任何一个。另外，惰性气体最好是氮气。附图说明图1是本专利技术的气体回收设备的示意图；图2是根据本专利技术的另一实施例的气体回收设备的示意图。通过构成一种气体回收设备，由此使来自CVD装置或者腐蚀装置的废气在冷却部分的废气循环部分中冷却下来，就有可能从CVD装置或者腐蚀装置中回收清洗气体和/或腐蚀气体。由于提供了一条用于将气体从回收部分供往气体输入部分的气体再循环通道，就有可能重新使用在回收部分中回收的清洗气体和/或腐蚀气体。如果将其沸点低于清洗气体或者腐蚀气体两者之一的冷却的惰性气体供给所述冷却部分的惰性气体循环部分，就能把冷却部分冷却到低于清洗气体和腐蚀气体沸点的温度。因此，无需使用压缩机之类的动力，只要让冷却的惰性气体在惰性气体循环部分中汽化，就能使清洗气体和/或腐蚀气体液化。由于所选的冷却惰性气体与用来稀释清洗气体和/或腐蚀气体的稀释惰性气体的成分相同，并且用来排放冷却的惰性气体的惰性气体排放部分与CVD装置或者腐蚀装置的惰性气体供应通道相连，在所述惰性气体循环部分中汽化的冷却惰性气体可以用作为稀释惰性气体而引入CVD装置或者腐蚀装置。甚至当清洗气体或者腐蚀气体对环境有害时，由于能回收它的有效成分，清洗气体或者腐蚀气体也不会对环境产生消极影响。在清洗气体或腐蚀气体价格昂贵的情况下，由于清洗气体或者腐蚀气体在CVD装置或者腐蚀装置中的使用率提高，因而使用大量的清洗气体或腐蚀气体的必要性减少，同时能降低生产成本。由于冷却清洗气体和/或腐蚀气体时不使用压缩机之类的动力，故而可以高效率地冷却废气，并且能可靠地液化和回收清洗气体和/或腐蚀气体。如果冷却的惰性气体被用作CVD装置或腐蚀装置的稀释惰性气体，就能提供一种只需设置一个惰性气体供应系统的结构简单的气体回收设备。由于使用了一个惰性气体供应系统来供应冷却的惰性气体和稀释惰性气体，也可以降低工作成本。如果清洗气体或腐蚀气体含有三氟化氮(NF3)、六氟乙烷(C2F6)、三氟化氯(ClF3)、四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、氯化氢(HCl)、氟气(F2)和氯气(Cl2)中的至少一种，就会产生许多优点。具体地说，可以有效地汽化CVD装置中的杂质以及腐蚀装置中要被腐蚀的物质。甚至当使用低密度的清洗气体或腐蚀气体时，CVD装置和腐蚀装置也能有效地工作，并且可以限制清洗气体或腐蚀气体的用量，从而节省工作成本，并且容易回收清洗气体或腐蚀气体。清洗气体和腐蚀气体最好是能在CVD装置或者腐蚀装置中分解以生成卤素基团(例如氯基团、氟基团或碘基团)的气体。此外，最好用氮气作惰性气体，因为它非常便宜，并且沸点比各种清洗气体和腐蚀气体的沸点低。下面参照附图，介绍本专利技术的一个实施例。如图1所示，根据本专利技术的气体回收设备是这样构成的，即在CVD装置A的废气排放管A4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体回收设备，它包括：一个ＣＶＤ装置，它包括一个气体输入部分，一条用来供应稀释的惰性气体的惰性气体供应通道，一条用来供应清洗气体的清洗气体供应通道，以及一条废气排放通道，用于排放来自所述ＣＶＤ装置的废气；一个回收装置主体，它与所 述ＣＶＤ装置连通，并包括一个用来循环来自所述ＣＶＤ装置的废气的废气循环部分，一个用来冷却和液化留在所述废气中的任何清洗气体的冷却部分以及一个回收部分，用来回收在所述冷却部分中液化的清洗气体；以及一条气体再循环通道，它用来将在所述回收部分 中回收的所述清洗气体供给所述的气体输入部分。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：野成祯，富田伸二，
申请(专利权)人：缔酸株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]