溶液镁源的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种溶液镁源的制备方法，该方法是：将固体二茂镁或二甲基二茂镁加入沸点在１１０℃以下的有机溶剂中，搅拌成均相；在搅拌下滴加９个碳以上的烷烃成９个碳以上的第三胺或芳香醛或芳香酮与５个碳以上的伯胺或５个碳以上的脂肪碳或酮与伯胺形成的席夫碱；继续加热搅拌，在减压下蒸馏除去溶剂，得到溶液镁源。本发明专利技术的优点是：选用９个碳以上的烷烃或９个碳以上的第三胺或芳香醛或芳香酮与五个碳以上的伯胺或五碳以上的脂肪醛或酮与伯胺形成的席夫碱，发现对固体二茂镁或二甲基二茂镁具有良好的液化能力，通常１份的溶剂能使３份以上的二茂镁或二甲基二茂镁完全液化。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于光电子
中的二、
技术介绍
高纯二茂镁、二甲基二茂镁是金属有机物气相沉积技术(MOCVD)生长化合物半导体材料的重要源材料，主要作为半导体材料的P型掺杂材料，应用于GaN、AlGaN、铟镓砷氮(InGaAsN)、铟镓砷(InGaAs)等化合物半导体材料的制备，在高亮度发光管、太阳能电池、激光器等光电器件的研制中具有重要的应用价值。纯粹的二茂镁和二甲基二茂镁在室温下均为固体，二茂镁的熔点为176℃，二甲基二茂镁的熔点为29-30℃。作为固体镁源，在使用过程中存在蒸汽压不稳定的严重缺点，影响生长过程中Mg掺杂的传输速率，严重影响化合物半导体薄膜材料生长过程的控制和化合物半导体薄膜材料的质量，当固体源的表面发生部分氧化后，二茂镁和二甲基二茂镁均易生成红色的部分氧化物，覆盖于固体源的表面，将使蒸汽压稳定问题更为突出。这一点上，与固体三甲基铟(TMI)源的情况非常相似。为解决固体源的使用问题，文献已经报道了一些解决办法，如在使用三甲基铟方面，文献报道了多种解决方案，如在封装容器中加入多孔型惰性支撑物，使固体三甲基铟附着于多孔物体的表面和孔道中，尽量减少固体之间的相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溶液镁源的制备方法，其特征在于该方法是：１）将固体二茂镁或二甲基二茂镁加入沸点在１１０℃以下的有机溶剂中，搅拌成均相；２）在搅拌下滴加９个碳以上的烷烃或９个碳以上的第三胺或芳香醛或芳香酮与５个碳以上的伯胺或５个碳以上的脂肪醛或酮 与伯胺形成的席夫碱；３）继续加热搅拌，在减压下蒸馏除去溶剂，得到溶液镁源。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘毅，李翔，陈化冰，虞磊，朱春生，孙祥祯，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]