射频三极管及其制作方法技术
【技术实现步骤摘要】
射频三极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造工艺
，特别地，涉及一种射频三极管及其制作方法。
技术介绍
现有射频三极管在形成场区氧化层的过程中，在场氧化层的尖角处，常会有部分缺陷产生。这些缺陷是由于氮化硅层在刻蚀过程中，以及后续场氧化层的氧化过程中产生的。这些缺陷会造成此处位置的相关PN结的击穿电压出现不稳定的现象。P-区(P型低掺杂区)注入时，需要做一层光刻，目的是为了使得P-区远离场氧化层的尖角处，避免场氧化层的尖角处的缺陷，这样就多了一层光刻，成本比较高。另外，因为击穿处得曲率是直角，击穿电压容易受到不良影响。此外，因为此处缺陷的存在，所以P-区需要尽量远离场氧化层的尖角处，这样一来，就浪费了一部分芯片面积。并且，这个距离的远近不太容易把握。如果距离太小，则P-与N型外延的击穿受到影响的可能性很大；如果距离太大，则芯片面积浪费情况严重。
技术实现思路
针对现有射频三极管的制造工艺流程和器件结构的问题，本专利技术提出一种新的射频三极管及其制作方法，解决上述至少一个技术问题，并且不增加过多的制造成本。一种射频三极管的制作方法，其包括以下步骤：提...
【技术保护点】
一种射频三极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成N型外延层；在所述N型外延层上依序形成二氧化硅层及氮化硅层；对所述氮化硅层进行光刻与刻蚀，去除两端的部分氮化层从而形成开口区域；对所述开口区域及邻近所述开口区域的部分二氧化硅层进行场氧化层的生长，从而在所述氮化硅层两端与所述N型外延层之间形成具有尖角的场氧化层，所述场氧化层的尖角对应另一部分的所述二氧化硅层，所述N型外延层包括邻近所述场氧化层的拐角；去除所述氮化硅层及所述二氧化硅层；在所述N型外延层表面再次形成另一二氧化硅层，所述另一二氧化硅层连接于所述N型外延层两端的场氧化层之间...
【技术特征摘要】
1.一种射频三极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成N型外延层；在所述N型外延层上依序形成二氧化硅层及氮化硅层；对所述氮化硅层进行光刻与刻蚀，去除两端的部分氮化层从而形成开口区域；对所述开口区域及邻近所述开口区域的部分二氧化硅层进行场氧化层的生长，从而在所述氮化硅层两端与所述N型外延层之间形成具有尖角的场氧化层，所述场氧化层的尖角对应另一部分的所述二氧化硅层，所述N型外延层包括邻近所述场氧化层的拐角；去除所述氮化硅层及所述二氧化硅层；在所述N型外延层表面再次形成另一二氧化硅层，所述另一二氧化硅层连接于所述N型外延层两端的场氧化层之间；进行第一次P型离子注入，从而在所述另一二氧化硅层下方的N型外延层表面形成第一P型低掺杂区；进行第二次P型离子注入，从而将所述第一P型低掺杂区的中央区域及下方的N型外延层表面形成第二P型低掺杂区，所述两端的部分第一P型低掺杂区被保留；进行第三次P型离子注入，从而在所述第二P型低掺杂区表面形成P型高掺杂区；在所述场氧化层上、所述另一二氧化硅层上形成介质层；对所述介质层进行第一次光刻与刻蚀，从而形成贯穿所述介质层并对应所述第二P型低掺杂区的第一通孔；在所述第一通孔处的另一二氧化硅层上及邻近所述第一通孔的部分介质层上形成多晶硅，对所述多晶硅进行N型离子注入；对所述多晶硅进行快速热退火，从而在所述第一通孔处的第二P型低掺杂区表面形成N型区域；对所述介质层进行第二次光刻与刻蚀，从而形成贯穿所述介质层且对应所述P型高掺杂区的第二通孔；在所述多晶硅上及邻近所述多晶硅的部分介质层上形成第一金属部以及在所述第二通孔及邻近所述第二通孔的介质层上形成第二金属部。2.如权利要求1所述的射频三极管的制作方法，其特征在于：所述场氧化层的生长温度在700摄氏度至1200摄氏度的范围内，生长厚度是0.4um至2um的范围内。3.如权利要求1所述的射频三极管的制作方法，其特征在于：去除所述氮化硅层及所述二氧化硅层的步骤包括：先采用热的浓磷酸去除掉所述氮化硅层；及再采用氢氟酸溶液去除所述二氧化硅层。4.如权利要求1所述的射频三极管的制作方法，其特征在于：去除部分所述场氧化层的步骤包括：采用氢氟酸溶液去除部分所述场氧化层。5.如权利要求1所述的射频三极管的制作方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市晶特智造科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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