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本发明涉及一种射频三极管及其制作方法。所述制作方法包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成N型外延层、二氧化硅层以及具有尖角的场氧化层；在所述N型外延层表面再次形成另一二氧化硅层，所述另一二氧化硅层连接于所述N型外延层两端的场氧化层之间；进行第...
该专利属于深圳市晶特智造科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶特智造科技有限公司授权不得商用。

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