一种提高Block使用率的方法、装置及系统制造方法及图纸

本申请公开了一种提高Block使用率的方法、装置及系统，获取数据存储指令之后，遍历Nand Flash中第一Multi‑plane的所有Block，确定坏Block所在的位置，然后降低plane中plane address的比特数量，得到第二Multi‑plane，将坏Block在第二Multi‑plane中排除，得到可用Block集合，最后向Block集合中存入数据。本申请提供的方法、装置及系统，可以通过降低plane address比特数量的方法，将多plane的Block结构，转换成单Block的结构，这样，即使多plane的Block结构中存在坏Block，也不影响其他Block的使用，即使Nand Flash不支持Unaligned‑plane Operation特性，也可以提高Block的使用率，同时不需要额外的维护开销。

【技术实现步骤摘要】
一种提高Block使用率的方法、装置及系统
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种提高Block使用率的方法、装置及系统。
技术介绍
在SSD(SolidStateDrives，固态硬盘)实际的使用场景中，通常会将多个Block(块，NandFlash中擦除的基本单元)绑到一起并行操作，以实现NandFlash(快闪记忆体)的Multi-planeOperation(多平面操作)的特性。这种特性在单次执行操作的时候，对多个物理Block进行基本操作，可以提高单次操作的数据量、带宽和效率，目前，主流的Multi-plane为4-plane、2-plane等，即4个物理Block和2个物理Block并发操作，其中，一个plane(平面)对应于一个Block。目前，SSD上的Multi-plane操作多是依赖于NandFlash的Unaligned-planeOperation(不对齐平面操作)的特性，Unaligned-planeOperation是指不是同一行的Block也可以组成多plane结构进行操作，这样对于NandFlash不支持Unaligned-planeOperation的情况，SSD进行Multi-plane操作的可行性会降低；另外，在NandFlash不支持Unaligned-planeOperation的情况下，如果有一个物理Block损坏，Multi-plane操作下的多个Block都会被标记为坏块而不被使用，使好的物理Block浪费，影响SSD内部容量的冗余，即使目前有使用好的Block对坏的Block进行替换的操作，也会造成额外的开销，造成不必要的浪费。可见，目前使用的Multi-plane操作过多依赖于NandFlash的Unaligned-planeOperation的特性，同时，为了维护Unaligned-plane，还要过多浪费额外的开销。
技术实现思路
本申请提供了一种提高Block使用率的方法、装置及系统，以解决目前使用的Multi-plane操作过多依赖于NandFlash的Unaligned-planeOperation的特性和过多浪费额外的开销的问题。第一方面，本申请提供了一种提高Block使用率的方法，包括：获取数据存储指令；根据所述数据存储指令，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block，确定坏Block所在的位置，其中，每一个所述Block对应一个plane；降低所述plane中planeaddress的比特数量，得到第二Multi-plane；将所述坏Block在所述第二Multi-plane中排除，得到可用Block集合；向所述Block集合中存入数据。可选的，所述第一Multi-plane为包含多个plane集合的集合，其中，所述plane集合为多个Block并行绑定的集合。可选的，所述第二Multi-plane中包括多个所述plane集合,其中,所述plane集合为多个Block并行绑定的集合或者单个Block组成的集合。可选的，所述根据所述数据存储指令，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block，确定坏Block所在的位置的步骤包括：标记第一Multi-plane中的所有Block，使所有Block带有标记信息，其中，标记信息与所述Block的位置对应；根据所述数据存储指令，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block；如果存在坏Block，则读取所述坏Block的标记信息，确定坏Block所在的位置。可选的，所述planeaddress是从Blockaddress的尾部划分出来的，以及，所述planeaddress的比特数量是指所述planeaddress的地址位长度。第二方面，本申请提供一种提高Block使用率的装置，包括：指令获取单元，用于获取数据存储指令；扫描单元，用于根据所述数据存储指令，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block，确定坏Block所在的位置，其中，每一个所述Block对应一个plane；控制单元，用于降低所述plane中planeaddress的比特数量，得到第二Multi-plane；整合单元，用于将所述坏Block在所述第二Multi-plane中排除，得到可用Block集合；存储单元，用于向所述Block集合中存入数据。可选的，所述扫描单元还包括：标记单元，用于标记第一Multi-plane中的所有Block，使所有Block带有标记信息，其中，标记信息与所述Block的位置对应；遍历单元，用于根据所述数据存储指令，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block；定位单元，用于如果存在坏Block，则读取所述坏Block的标记信息，确定坏Block所在的位置。第三方面，本申请提供一种提高Block使用率的系统，包括：主控器和NandFlash；所述主控器，用于获取数据存储指令；根据所述数据存储指令，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block，确定坏Block所在的位置，其中，每一个所述Block对应一个plane；降低所述plane中planeaddress的比特数量，得到第二Multi-plane；将所述坏Block在所述第二Multi-plane中排除，得到可用Block集合；向所述Block集合中存入数据；所述NandFlash，用于存储数据。由以上技术方案可知，本申请提供了一种提高Block使用率的方法、装置及系统，获取数据存储指令之后，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block，确定坏Block所在的位置，然后降低plane中planeaddress的比特数量，得到第二Multi-plane，将坏Block在第二Multi-plane中排除，得到可用Block集合，最后向Block集合中存入数据。本申请提供的方法、装置及系统，可以通过降低planeaddress比特数量的方法，将多plane的Block结构，转换成单Block的结构，这样，即使多plane的Block结构中存在坏Block，也不影响其他Block的使用，即使NandFlash不支持Unaligned-planeOperation特性，也可以提高Block的使用率，同时不需要额外的维护开销。附图说明为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施案例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种提高Block使用率的方法流程图；图2为本申请实施例提供的第二种提高Block使用率的方法流程图；图3为本申请实施例中的2-plane的结构图；图4为本申请实施例中提供的Blockaddress的地址结构图；图5为本申请实施例中的Single-plane的结构图；图6为本申请实施例中的4-plane的结构图；图7为本申请实施例中由4-plane转换而来的2-plane的结构图；图8为本申请实施例提供的一种提高Block使用率的装置的结构图；图9为本申请实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高Block使用率的方法，其特征在于，包括：获取数据存储指令；根据所述数据存储指令，遍历Nand Flash中第一Multi‑plane的所有Block，确定坏Block所在的位置，其中，每一个所述Block对应一个plane；降低所述plane中plane address的比特数量，得到第二Multi‑plane；将所述坏Block在所述第二Multi‑plane中排除，得到可用Block集合；向所述Block集合中存入数据。

【技术特征摘要】
1.一种提高Block使用率的方法，其特征在于，包括：获取数据存储指令；根据所述数据存储指令，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block，确定坏Block所在的位置，其中，每一个所述Block对应一个plane；降低所述plane中planeaddress的比特数量，得到第二Multi-plane；将所述坏Block在所述第二Multi-plane中排除，得到可用Block集合；向所述Block集合中存入数据。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一Multi-plane为包含多个plane集合的集合，其中，所述plane集合为多个Block并行绑定的集合。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二Multi-plane中包括多个所述plane集合，其中,所述plane集合为多个Block并行绑定的集合或者单个Block组成的集合。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述数据存储指令，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block，确定坏Block所在的位置的步骤包括：标记第一Multi-plane中的所有Block，使所有Block带有标记信息，其中，标记信息与所述Block的位置对应；根据所述数据存储指令，遍历NandFlash中第一Multi-plane的所有Block；如果存在坏Block，则读取所述坏Block的标记信息，确定坏Block所在的位置。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述planeaddress是从Blockaddress的尾部划分出来的，以及，所述planeaddress的比特数量是指所述planeaddress...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，彭鹏，姜黎，
申请(专利权)人：湖南国科微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43