一种用于微波无线电能传输装置的射频功率放大器系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于微波无线电能传输装置的射频功率放大器系统，射频功率放大器系统包括依次串接的第一级功率放大电路、第二级功率放大电路和第三级功率放大电路：所述第一级功率放大电路主要包括磷化镓铟异质结双级晶体管的信号源级功率放大器；所述第二级功率放大电路主要包括砷化镓异质结双级晶体管的驱动级放大器；所述第三级功率放大器主要包括氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明专利技术提供的射频功率放大器系统，拓扑结构简洁，元器件成本低廉，散热性能好温升小，能够稳定的进行大功率输出，满足了微波无线电能传输装置功率、效率和稳定性的需求。

A RF power amplifier system for microwave radio energy transmission device

The present invention provides a radio frequency power amplifier system for microwave radio energy transmission devices. The RF power amplifier system includes first stage power amplifier, second stage power amplifier and third stage power amplifier in sequence. The first stage power amplifier circuit mainly includes gallium and indium heterojunction The signal source level power amplifier of the double stage transistor; the second stage power amplifier mainly includes the drive stage amplifier of the GaAs Heterojunction dual transistor; the third stage power amplifier mainly includes the high electron mobility transistor. The RF power amplifier system provided by this invention is simple in topology, low in cost, low in heat dissipation and low in temperature, and is able to carry out high power output steadily. It meets the needs of power, efficiency and stability of microwave radio transmission devices.

【技术实现步骤摘要】
一种用于微波无线电能传输装置的射频功率放大器系统
本专利技术涉及微波无线电能传输领域，尤其涉及一种用于微波无线电能传输装置的射频功率放大器系统。
技术介绍
近些年来，随着人们生活水平的不断提高和探索物质世界的逐渐深入，人们对电能的传输方式和传输质量也有了新的要求。传统的电能传输主要是由导线或导体直接接触进行的，接触产生的火花、滑动磨损、碳积累及带电导体裸露等带来了一系列问题。无线输电是一种利用无线电传输电力能量的技术，最早由尼古拉·特斯拉提出，与传统的电能传输方式相比，无线输电的过程中供电和用电之间不存在电的直接连接，避免了裸露导体和接触火花，具有使用安全、方便等优点，因而受到了广大研究工作者的关注和重视。无线输电技术应用领域非常广泛，特别是在军事、矿山、水下、医疗、石油、交通等特殊和恶劣环境下具有广泛的应用前景。虽然讲能量谐振为微波来进行无线电能传输一直为人所知，但在应用时，需加装射频功率放大系统，现有的射频功率放大系统较为昂贵，且现有的射频功率放大器系统的电源的效率通常低于50％，这是微波无线电能传输装置不能接受的，因为电源的效率和使用成本均不能满足节能的标准。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种射频功率放大器系统，其特征在于，包括依次串接的第一级功率放大电路、第二级功率放大电路和第三级功率放大电路；所述第一级功率放大电路主要包括磷化镓铟异质结双级晶体管的信号源级功率放大器；所述第二级功率放大电路主要包括砷化镓异质结双级晶体管的驱动级放大器；所述第三级功率放大器主要包括氮化镓高电子迁移率晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器系统，其特征在于，包括依次串接的第一级功率放大电路、第二级功率放大电路和第三级功率放大电路；所述第一级功率放大电路主要包括磷化镓铟异质结双级晶体管的信号源级功率放大器；所述第二级功率放大电路主要包括砷化镓异质结双级晶体管的驱动级放大器；所述第三级功率放大器主要包括氮化镓高电子迁移率晶体管。2.如权利要求1所述的射频功率放大器系统，其特征在于，所述第一级功率放大器电路还包括电容器C1、电容器C2；所述电容器C1的正极连接约为1毫瓦的射频输入功率，所述电容器C1的负极连接所述磷化镓铟异质结双级晶体管的输入端，所述磷化镓铟异质结双级晶体管的一个输出端分别连接电容器C2的正极和5伏特的偏置电压。3.如权利要求2所述的射频功率放大器系统，其特征在于，所述第二级功率放大电路还包括电容器C3、电容器C4、电容器C5、电容器C6、阻抗Z1和阻抗Z2，其中：所述第一级功率放大器电路的电容器C2的负极连接所述第二级功率放大电路中的电容器C3的正极，所述电容器C3的负极分别连接电容器C4的正极和阻抗Z1的输入端，所述阻抗Z1的输出端连接所述砷化镓异质结双级晶体管的驱动级放大器的输入端，所述砷化镓异质结双级晶体管的驱动级放大器的输出端分别连接阻抗Z2的输入端以及5.伏特的偏置电压；所述阻抗Z2的输出端分别连接电容器C5的正极和电容器C6的正极；所述电容器C4的负极、C5的负极接地。4.如权利要求3所述的射频功率放大器系统，其特征在于，所述第三级功率放大电路还包括电容器C7、电容器C8、电容器C9、电容器C10、电容器C11、阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫大为，李晓宁，李阳，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51