一种提高关断速度的微弧氧化电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高关断速度的微弧氧化电源，该电源包括调压电路和斩波电路；所述调压电路包含一第一MOSFET功率场效应管Q1；所述斩波电路包含第二MOSFET功率场效应管Q2；所述第一MOSFET功率场效应管Q1和第二MOSFET功率场效应管Q2连接一脉冲隔离驱动电路。该电源通过脉冲隔离驱动电路的第一放电电路和第二放电电路为开关管关断时提供放电回路，提高电源的关断速度。

A micro arc oxidation power supply for improving the shutoff speed

The utility model discloses a micro arc oxidation power supply for increasing the shutoff speed, which includes a voltage regulating circuit and a chopper circuit, and the voltage regulation circuit includes a first MOSFET power field effect tube Q1; the chopper circuit includes a second MOSFET power field effect tube Q2; the first MOSFET power field effect tube Q1 and the power field effect transistor (Q1) and the power field effect transistor (FET) power, the first MOSFET power field effect tube Q1 and the power field effect transistor (FET) power. The field effect tube (FET) Q2 connects a pulse isolating drive circuit. The discharge circuit is provided by the first discharge circuit of the pulse isolating drive circuit and the second discharge circuit to switch off the switch tube to improve the turn off speed of the power supply.

【技术实现步骤摘要】
一种提高关断速度的微弧氧化电源
本技术涉及电源
，具体涉及一种提高关断速度的微弧氧化电源。
技术介绍
中国专利申请号CN201220235330.5公开了一种微弧氧化实验用的电源装置，该装置包括主电路和，所述主电路包括三相隔离变压器，三相整流滤波电路，调压电路和斩波电路；在调压电路和斩波电路中各采用了一个IGBT开关器件；IGBT开关器件；信号经驱动电路控制IGBT开关器件进而控制调压电路和斩波电路。在该专利中驱动电路的驱动芯片选用M57959L集成IGBT专用芯片。M57959L具有光耦电气隔离、双电源驱动、短信号传输延迟时间、过流保护等功能。但是，M57959L驱动芯片关断缓慢，导致大功率IGBT的开关效率降低。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足，本技术的目的在于提出一种提高关断速度的微弧氧化电源。为实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案予以实现。一种提高关断速度的微弧氧化电源，包括调压电路和斩波电路；所述调压电路包含一第一MOSFET功率场效应管Q1；所述斩波电路包含第二MOSFET功率场效应管Q2；所述第一MOSFET功率场效应管Q1和第二MOSFET功率场效应管Q2连接一脉冲隔离驱动电路；所述脉冲隔离驱动电路包括PWM1H波输入端和PWM1L波输入端；所述PWM1H波输入端依次串联电阻R1、电容C1、二极管D1、二极管D3；所述电容C1并联一电阻R3；所述二极管D1并联一三极管VT1；所述二极管D3并联一三极管VT3；所述三极管VT1的集电极通过电阻R5连接第一电源的正极，所述三极管VT1的发射极接地；所述三极管VT3的集电极通过电阻R7连接第一电源的正极，所述三极管VT3的发射极接地；所述三极管VT3的集电极连接第一功率放大电路；所述第一功率放大电路的输出端连接一隔离变压器T1的原边；所述隔离变压器T1的副边依次串联一个副边电容C6和一电阻R10；所述电阻R10连接所述第一MOSFET功率场效应管Q1；所述PWM1L波输入端依次串联电阻R2、电容C2、二极管D2、二极管D4；所述电容C2并联一电阻R4；所述二极管D2并联一三极管VT2；所述二极管D4并联一三极管VT4；所述三极管VT2的集电极通过电阻R6连接第二电源的正极，所述三极管VT2的发射极接地；所述三极管VT4的集电极通过电阻R8连接第一电源的正极，所述三极管VT4的发射极接地；所述三极管VT4的集电极连接第二功率放大电路；所述第二功率放大电路的输出端连接所述隔离变压器T1的原边；所述隔离变压器T1的副边依次串联一个副边电容C7和一电阻R11；所述电阻R11连接所述第二MOSFET功率场效应管Q2优选的，所述第一功率放大电路包括三极管VT5和三极管VT6；所述三极管VT5的集电极连接第一电源的正极；所述三极管VT5的发射极与所述三极管VT6的发射极相连；所述三极管VT6的集电极接地。优选的，所述第二功率放大电路包括三极管VT7和三极管VT8；所述三极管VT7的集电极连接第一电源；所述三极管VT8的发射极与所述三极管VT7的发射极相连；所述三极管VT8的集电极接地；所述三极管VT8的集电极通过二极管D8连接一电阻R9；所述三极管VT7的集电极通过二极管D7连接一电容C5；所述电容C5和电阻R9并联后连接所述隔离变压器T1的副边。优选的，所述电阻R10并联一第一放电回路；所述第一放电回路包括串联的二极管D11和电阻R12；所述二极管D11的一端连接所述电容C6；所述电阻R12的一端连接所述第一MOSFET功率场效应管Q1。优选的，所述电阻R11并联一第二放电回路；所述第二放电回路包括串联的二极管D12和电阻R13；所述二极管D12的一端连接所述电容C7；所述电阻R13的一端连接所述第二MOSFET功率场效应管Q2。本技术的有益效果：1、MOSFET功率场效应管输入阻抗大，驱动电路简单，驱动功率小，抗干扰能力强，由于其是单极型晶体管，只有一个极性的载流子，在开关过程中不存在载流子的复合，因此开关效率高。2、通过脉冲隔离驱动电路的第一放电电路和第二放电电路为开关管关断时提供放电回路，提高电源的关断速度。附图说明图1本技术实施例提供的脉冲隔离驱动电路结构图。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步说明：实施例1如图1所示，本技术提供一种提高关断速度的微弧氧化电源，包括调压电路和斩波电路；所述调压电路包含一第一MOSFET功率场效应管Q1；所述斩波电路包含第二MOSFET功率场效应管Q2；所述第一MOSFET功率场效应管Q1和第二MOSFET功率场效应管Q2连接一脉冲隔离驱动电路。由于脉冲隔离驱动电路一脉冲变压器为隔离部件，驱动电路结构简单，驱动信号传输无延迟，具有电器隔离、快速性的优点。而且体积较小，为驱动电路节省空间。实施例2在实施例1的基础上，如图1所示，所述脉冲隔离驱动电路包括PWM1H波输入端和PWM1L波输入端；所述PWM1H波输入端依次串联电阻R1、电容C1、二极管D1、二极管D3；所述电容C1并联一电阻R3；所述二极管D1并联一三极管VT1；所述二极管D3并联一三极管VT3；所述三极管VT1的集电极通过电阻R5连接第一电源的正极，所述三极管VT1的发射极接地；所述三极管VT3的集电极通过电阻R7连接第一电源的正极，所述三极管VT3的发射极接地；所述三极管VT3的集电极连接第一功率放大电路；所述第一功率放大电路的输出端连接一隔离变压器T1的原边；所述隔离变压器T1的副边依次串联一个副边电容C6和一电阻R10；所述电阻R10连接所述第一MOSFET功率场效应管Q1；所述PWM1L波输入端依次串联电阻R2、电容C2、二极管D2、二极管D4；所述电容C2并联一电阻R4；所述二极管D2并联一三极管VT2；所述二极管D4并联一三极管VT4；所述三极管VT2的集电极通过电阻R6连接第二电源的正极，所述三极管VT2的发射极接地；所述三极管VT4的集电极通过电阻R8连接第一电源的正极，所述三极管VT4的发射极接地；所述三极管VT4的集电极连接第二功率放大电路；所述第二功率放大电路的输出端连接所述隔离变压器T1的原边；所述隔离变压器T1的副边依次串联一个副边电容C7和一电阻R11；所述电阻R11连接所述第二MOSFET功率场效应管Q2。所述第一功率放大电路包括三极管VT5和三极管VT6；所述三极管VT5的集电极连接第一电源的正极；所述三极管VT5的发射极与所述三极管VT6的发射极相连；所述三极管VT6的集电极接地。所述第二功率放大电路包括三极管VT7和三极管VT8；所述三极管VT7的集电极连接第一电源；所述三极管VT8的发射极与所述三极管VT7的发射极相连；所述三极管VT8的集电极接地；所述三极管VT8的集电极通过二极管D8连接一电阻R9；所述三极管VT7的集电极通过二极管D7连接一电容C5；所述电容C5和电阻R9并联后连接所述隔离变压器T1的副边。所述电阻R10并联一第一放电回路；所述第一放电回路包括串联的二极管D11和电阻R12；所述二极管D11的一端连接所述电容C6；所述电阻R12的一端连接所述第一MOSFET功率场效应管Q1。所述电阻R11并联一第二放电回路；所述第二放电回路包括串联的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高关断速度的微弧氧化电源，其特征在于：包括调压电路和斩波电路；所述调压电路包含一第一MOSFET功率场效应管Q1；所述斩波电路包含第二MOSFET功率场效应管Q2；所述第一MOSFET功率场效应管Q1和第二MOSFET功率场效应管Q2连接一脉冲隔离驱动电路；所述脉冲隔离驱动电路包括PWM1H波输入端和PWM1L波输入端；所述PWM1H波输入端依次串联电阻R1、电容C1、二极管D1、二极管D3；所述电容C1并联一电阻R3；所述二极管D1并联一三极管VT1；所述二极管D3并联一三极管VT3；所述三极管VT1的集电极通过电阻R5连接第一电源的正极，所述三极管VT1的发射极接地；所述三极管VT3的集电极通过电阻R7连接第一电源的正极，所述三极管VT3的发射极接地；所述三极管VT3的集电极连接第一功率放大电路；所述第一功率放大电路的输出端连接一隔离变压器T1的原边；所述隔离变压器T1的副边依次串联一个副边电容C6和一电阻R10；所述电阻R10连接所述第一MOSFET功率场效应管Q1；所述PWM1L波输入端依次串联电阻R2、电容C2、二极管D2、二极管D4；所述电容C2并联一电阻R4；所述二极管D2并联一三极管VT2；所述二极管D4并联一三极管VT4；所述三极管VT2的集电极通过电阻R6连接第二电源的正极，所述三极管VT2的发射极接地；所述三极管VT4的集电极通过电阻R8连接第一电源的正极，所述三极管VT4的发射极接地；所述三极管VT4的集电极连接第二功率放大电路；所述第二功率放大电路的输出端连接所述隔离变压器T1的原边；所述隔离变压器T1的副边依次串联一个副边电容C7和一电阻R11；所述电阻R11连接所述第二MOSFET功率场效应管Q2。...

【技术特征摘要】
1.一种提高关断速度的微弧氧化电源，其特征在于：包括调压电路和斩波电路；所述调压电路包含一第一MOSFET功率场效应管Q1；所述斩波电路包含第二MOSFET功率场效应管Q2；所述第一MOSFET功率场效应管Q1和第二MOSFET功率场效应管Q2连接一脉冲隔离驱动电路；所述脉冲隔离驱动电路包括PWM1H波输入端和PWM1L波输入端；所述PWM1H波输入端依次串联电阻R1、电容C1、二极管D1、二极管D3；所述电容C1并联一电阻R3；所述二极管D1并联一三极管VT1；所述二极管D3并联一三极管VT3；所述三极管VT1的集电极通过电阻R5连接第一电源的正极，所述三极管VT1的发射极接地；所述三极管VT3的集电极通过电阻R7连接第一电源的正极，所述三极管VT3的发射极接地；所述三极管VT3的集电极连接第一功率放大电路；所述第一功率放大电路的输出端连接一隔离变压器T1的原边；所述隔离变压器T1的副边依次串联一个副边电容C6和一电阻R10；所述电阻R10连接所述第一MOSFET功率场效应管Q1；所述PWM1L波输入端依次串联电阻R2、电容C2、二极管D2、二极管D4；所述电容C2并联一电阻R4；所述二极管D2并联一三极管VT2；所述二极管D4并联一三极管VT4；所述三极管VT2的集电极通过电阻R6连接第二电源的正极，所述三极管VT2的发射极接地；所述三极管VT4的集电极通过电阻R8连接第一电源的正极，所述三极管VT4的发射极接地；所述三极管VT4的集电极连接第二功率放大电路；所述第二功率放大电路的输...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯建军，
申请(专利权)人：陕西蓝海电气有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61