金属的生长工艺制造技术

本发明专利技术涉及金属的生长工艺，包括以下步骤：在炉管内放入基体；将基体加热至沉积温度；在炉管内通入气态的六氟化钨和氢气，在基体上沉积得到钨薄膜；通过对炉管进行高温退火，实现对钨薄膜的高温退火。本发明专利技术通过在金属钨的生长工艺中加入高温退火步骤，降低了沉积形成的钨的电阻率和应力，进一步减小了整个器件的电阻和晶圆的弯曲。此外，对于三维存储器中的其他金属结构，本次创新性的退火工艺对其他结构制成具有重要的指导意义。

【技术实现步骤摘要】
金属的生长工艺
本专利技术涉及半导体的制造工艺领域，特别涉及一种金属的生长工艺。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，三维存储器的技术研发是国际研发的主流之一。随着存储器技术的发展由二维到三维，对工艺的要求也越来越严苛。同时，作为栅极材料的金属钨的生长方式也逐渐从物理气相沉积慢慢发展到化学气相沉积。通常情况下，所谓的化学气相沉积，是在中温或者高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上，特殊情况下，通过等离子和激光辅助技术促进化学反应，也可以使沉积在较低的温度下进行。在目前的三维存储器结构中，金属钨栅极结构由于具有很高的深宽比，为了实现良好的金属栅极的填充性能，一般采用低温环境的化学气相沉积的生长方式。但是在低温条件下，形成的金属钨栅通常会具有较高的电阻率和应力，这是因为，金属钨的化学气相沉积过程中会用到反应气体六氟化钨(WF6)与氢气(H2)。在钨生长时，氟元素很容易积聚在金属钨晶粒的晶界且无法逃逸出去，这会增加整个金属钨薄膜的电阻率，同时低温生长时薄膜也会存在很大的应力。金属钨栅的高电本文档来自技高网...

【技术保护点】
金属的生长工艺，其特征在于，包括以下步骤：在炉管内放入基体；将基体加热至沉积温度；在炉管内通入气态的金属初始化合物和辅助气体，在基体上沉积得到金属薄膜；对金属薄膜进行高温退火。

【技术特征摘要】
1.金属的生长工艺，其特征在于，包括以下步骤：在炉管内放入基体；将基体加热至沉积温度；在炉管内通入气态的金属初始化合物和辅助气体，在基体上沉积得到金属薄膜；对金属薄膜进行高温退火。2.如权利要求1所述的金属钨的生长工艺，其特征在于，通过对炉管高温退火实现对金属薄膜的高温退火，炉管高温退火的温度为650～750℃，退火的时长为1....

【专利技术属性】
技术研发人员：许爱春，李远，彭浩，左明光，詹侃，唐浩，万先进，郁赛华，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42