不对称鳍状结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种不对称鳍状结构及其制作方法。其中该不对称鳍状结构包含一基底，基底具有一上表面，一鳍状元件由基底延伸而成并且和基底连结，鳍状元件包含一第一侧壁和一第三侧壁，第一侧壁和第三侧壁分别位于鳍状元件的相对两侧，第一侧壁接触基底的上表面以及一外延层接触并仅覆盖鳍状元件的第一侧壁，第三侧壁没有和任何外延层接触。

【技术实现步骤摘要】
不对称鳍状结构及其制作方法
本专利技术涉及一种不对称鳍状结构，尤其是涉及一种只有一侧有外延层的不对称鳍状结构。
技术介绍
在现有半导体产业中，多晶硅广泛地应用于半导体元件如金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶体管中，作为标准的栅极填充材料选择。然而，随着金属氧化物半导体晶体管尺寸持续地微缩，传统多晶硅栅极穿透效应导致元件效能降低，及其难以避免的空乏效应(depletioneffect)等问题，使得等效的栅极介电层厚度增加、栅极电容值下降，进而导致元件驱动能力的衰退等困境。因此现有平面式金属氧化物半导体晶体管的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面的场效晶体管元件，例如鳍状晶体管来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势，其具有立体的栅极通道(channel)结构，可有效减少基底的漏电、降低短通道效应，并具有较高的驱动电流。但由于鳍状晶体管是属于立体的结构，较传统结构复杂，制造难度也偏高，因此如何改良现行制作工艺以提升鳍状晶体管良率即为现今一重要课题
技术实现思路
根据本专利技术的一较佳实施例，一种不对称鳍状结构，包含一基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不对称鳍状结构，包含：基底，包含一上表面；第一鳍状元件，由该基底延伸而成并且和该基底连结，其中该第一鳍状元件包含第一侧壁，该第一侧壁接触该上表面；以及第一外延层，接触并仅覆盖该第一鳍状元件的该第一侧壁，其中该第一鳍状元件及该第一外延层共同形成该不对称鳍状结构。

【技术特征摘要】
1.一种不对称鳍状结构，包含：基底，包含一上表面；第一鳍状元件，由该基底延伸而成并且和该基底连结，其中该第一鳍状元件包含第一侧壁，该第一侧壁接触该上表面；以及第一外延层，接触并仅覆盖该第一鳍状元件的该第一侧壁，其中该第一鳍状元件及该第一外延层共同形成该不对称鳍状结构。2.如权利要求1所述的不对称鳍状结构，其中该第一鳍状元件的材料和该第一外延层的材料不同。3.如权利要求1所述的不对称鳍状结构，另包含：第三侧壁位于该第一鳍状元件上，该第一侧壁和该第三侧壁分别位于该第一鳍状元件的相对两侧，其中该第三侧壁没有和任何外延层接触。4.如权利要求1所述的不对称鳍状结构，另包含：第二鳍状元件，由该基底延伸出来并且和该基底连结，该第二鳍状元件和该第一鳍状元件平行，其中该第二鳍状元件包含第二侧壁，该第二侧壁接触该上表面；第二外延层，接触并仅部分覆盖该第二鳍状元件的该第二侧壁，其中该第二鳍状元件的材料和该第二外延层的材料不同。5.如权利要求4所述的不对称鳍状结构，另包含：第四侧壁，位于该第二鳍状元件上，该第二侧壁和该第四侧壁分别位于该第二鳍状元件的相对两侧，其中该第四侧壁没有和任何外延层接触。6.如权利要求4所述的不对称鳍状结构，其中该第二侧壁不面向该第一鳍状元件。7.如权利要求4所述的不对称鳍状结构，另外包含一絶缘层位于该第一鳍状元件和该第二鳍状元件之间，该絶缘层不接触该第一外延层和该第二外延层。8.如权利要求1所述的不对称鳍状结构，其中该第一鳍状元件为硅，该第一外延层为锗化硅。9.如权利要求1所述的不对称鳍状结构，另包含栅极结构，横跨该第一鳍状元件。10.如权利要求1所述的不对称鳍状结构，其中该第一鳍状元件和该基底为相同材料。11.一种不对称鳍状结构的制作方法，包含：提供一基底，一第一鳍状元件和一第二鳍状元件设于该基底上并且由该基底延伸出来，该第一鳍状元件和该第二鳍状元件平行，其中该第一鳍状元件包含一第一侧壁，该第二鳍状元件包含一第二侧壁，该第一侧壁不面向该第二鳍状元件，该第二侧壁不面向该第一鳍状元件；以及进行一外延制作工艺，同时仅在该第一侧壁上和该第二侧壁上分别形成一第一外延层和一第二外延层。12.如权利要求11所述的一种不对称鳍状结构的制作方法，其中在进行该外...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昭宏，黄同隽，蔡世鸿，郑志祥，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71