The present invention discloses a new type of broadband lithium niobate electrooptic modulator based on the Teflon material buffer layer, from bottom to bottom, including base material, optical waveguide, buffer layer and electrode structure. The buffer layer uses a Teflon material with a thickness of 0.1um to 5um, and the optical waveguide uses a titanium diffusion optical waveguide or annealing quality. The waveguide widths range from 1 to 20 m and the diffusion depth is 1 to 20 m. This application makes use of the low dielectric constant characteristics of Teflon material to further improve the working bandwidth of the broadband electrooptic modulator of lithium niobate, improve the performance index of the device, and overcome the difficulties in the process of leveling the silicon dioxide buffer layer of the current lithium niobate ridge waveguide electrooptic modulator and reduce the niobium. The processing difficulty and cost of the lithium ion broadband electro-optic modulator increase the qualified rate of the product.
【技术实现步骤摘要】
基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器
本专利技术涉及光纤通信与光纤传感
,特别是涉及一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器。
技术介绍
目前,铌酸锂宽带电光调制器在光纤通信、光载微波或毫米波通信等工程领域中,以其低插入损耗、高调制带宽、零啁啾等特点,已成为应用最为广泛的一种外调制器。由于铌酸锂晶体具有较高的介电常数,处于微波频段的电磁波在铌酸锂晶体中传输时的折射率与光波的折射率有着较大的差值,导致微波与光波的相速度匹配程度较差,难以实现高调制带宽。为了降低微波折射率,达到较好的相速度匹配程度,常选择具有低介电常数的材料作为缓冲层置于铌酸锂晶体表面与金属薄膜电极之间。现有技术常采用的的缓冲层材料是二氧化硅,因为二氧化硅有着较低的介电常数(3.9)。为了实现微波与光波折射率更好的匹配,现有技术常采用刻蚀铌酸锂脊型波导结构,这样部分微波电磁场可分布于铌酸锂脊型波导之外,即空气中,以利用空气良好的介电常数(1.0)来实现微波折射率进一步地降低。然而现有技术采用的刻蚀铌酸锂脊型波导结构以及采用二氧化硅缓冲层的方案,存在着二氧化硅缓冲层需做平坦化处理的问题,这无疑增加了铌酸锂电光调制器制作的成本和工艺难度,一定程度上也降低了器件制作的成品率。此外,二氧化硅作为缓冲层材料虽然是当前的主流技术方案,但为了实现器件工作带宽的进一步提升,介电常数更低的材料无疑是更好的选择。
技术实现思路
本专利技术的目的提供一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器,以解决上述现有技术中存在的问题。为实现本专利技术的目的,本专利技术提供了一种基于特氟龙材料缓冲 ...
【技术保护点】
一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器,其特征在于,自下而上依次包括:基底材料(1)、光学波导(2)、缓冲层(3)、电极结构(4),所述缓冲层(3)采用厚度为0.1um至5um的特氟龙材料,所述光学波导(2)采用钛扩散光学波导或退火质子交换光学波导,波导扩散宽度为1至20μm,扩散深度为1至20μm;电极结构(4)采用厚度为0.1μm至30μm的金属薄膜制成的推挽型行波电极结构。
【技术特征摘要】
1.一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器,其特征在于,自下而上依次包括:基底材料(1)、光学波导(2)、缓冲层(3)、电极结构(4),所述缓冲层(3)采用厚度为0.1um至5um的特氟龙材料,所述光学波导(2)采用钛扩散光学波导或退火质子交换光学波导,波导扩散宽度为1至20μm,扩散深度为1至20μm;电极结构(4)采用厚度为0.1μm至30μm的金属薄膜制成的推挽型行波电极结构。2.根据权利要求1所述的一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器,其特征在于,所述基底材料(1)...
【专利技术属性】
技术研发人员:李萍,范宝泉,
申请(专利权)人:天津领芯科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:天津,12
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