匹配电路制造技术

本发明专利技术提出一种能够充分衰减放大信号的高次谐波分量的匹配电路。匹配电路(10)对放大输入信号(RFin)并输出放大信号(RFout1)的放大器(60)的输出阻抗进行匹配。匹配电路(10)具备低通滤波器(40)和高通滤波器(50)。低通滤波器(40)的接地与高通滤波器(50)的接地相分离。由此，能够抑制低通滤波器(40)和高通滤波器(50)之间的干涉，充分地使放大信号(RFout1)的高次谐波分量衰减。

【技术实现步骤摘要】
匹配电路
本专利技术涉及匹配电路。
技术介绍
在移动电话等移动通信终端中，使用对发送给基站的RF(RadioFrequency：射频信号)信号进行放大的功率放大模块。作为这种功率放大模块，在专利5858280号公报中提出了下述功率放大模块，该功率放大模块具备对从放大器输出的RF信号的第2高次谐波分量进行衰减的终端电路、以及进行放大器的输出阻抗匹配的匹配电路。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5858280号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题但是，经过本专利技术者的深入研究，新发现了若共用构成匹配电路的各电路元件的接地，则RF信号的高次谐波分量会因电路元件间的干涉而无法充分地得到衰减。因此，本专利技术的课题是提供一种能够充分地对放大信号的高次谐波分量进行衰减的匹配电路。用于解决技术问题的技术手段为了解决上述问题，本专利技术所涉及的匹配电路是对放大输入信号并输出放大信号的放大器的输出阻抗进行匹配的匹配电路，具备低通滤波器和高通滤波器，且低通滤波器的接地和高通滤波器的接地相分离。专利技术效果根据本专利技术，由于低通滤波器的接地和高通滤波器的接地相分离，因此能够抑制低通滤波器和高通滤波器间的干涉，能够充分地使放大信号的高次谐波分量衰减。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路的电路结构的说明图。图2是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路的布线布局的示意图。图3是表示比较例所涉及的匹配电路的电路结构的说明图。图4是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路和比较例所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图5是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路和比较例所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图6是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路和比较例所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图7是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路的电路结构的说明图。图8是表示本专利技术的实施方式2所涉及的匹配电路的电路结构的说明图。图9是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路和实施方式2所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图10是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路和实施方式2所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图11是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路和实施方式2所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图12是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路和实施方式2所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图13是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路和实施方式2所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图14是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路和实施方式2所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图15是表示本专利技术的实施方式2所涉及的匹配电路的电路结构的说明图。图16是表示本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的电路结构的说明图。图17是表示本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图18是表示本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图19是表示本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图20是表示本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图21是表示本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图22是表示本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图23是表示本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图24是表示本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的信号损耗的模拟结果的图表。图25是表示构成本专利技术的实施方式3所涉及的匹配电路的电容器元件的电容器元件的个数和信号损耗的关系的图表。具体实施方式下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。这里，令相同标号表示相同的电路元件，并省略重复说明。图1是表示本专利技术的实施方式1所涉及的匹配电路10的电路结构的说明图。匹配电路10设置在放大器70与后级的电路(例如，开关元件)之间，使放大器70的输出阻抗与后级的电路的输入阻抗相匹配。放大器70例如对输入到输入节点71的输入信号RFin进行放大，从输出节点72输出放大信号RFout1。放大器70具备发射极接地晶体管Tr，对通过输入节点71输入基极端子的输入信号RFin进行放大，并将其作为放大信号RFout1从集电极端子输出。输入信号RFin例如是规定的通信频带的RF信号。放大器70例如具备连接在信号线路73与接地之间的终端电路74。信号线路73将从晶体管Tr的集电极端子输出的放大信号RFout1传输给输出节点72。终端电路74对放大信号RFout1的第2高次谐波分量进行衰减。终端电路74例如是具备电容器元件C4和电感器元件L4的串联谐振电路。对电容器元件C4的电容值和电感器元件L4的电感值进行选定，以使放大信号RFout1的第2高次谐波的频率与串联谐振频率一致。由此，放大信号RFout1的第2高次谐波分量的大部分从信号线路73通过终端电路74流至接地，因此能够使从输出节点72输出的放大信号RFout1的第2高次谐波分量的大部分衰减。另外，晶体管Tr例如是异质结双极晶体管。但是，晶体管Tr并不限于双极晶体管，例如也可以是场效应晶体管。匹配电路10具备低通滤波器40、高通滤波器50、输入节点11、输出节点12、以及信号线路13。匹配电路10进行放大器70的输出阻抗匹配，并对输入输入节点11的放大信号RFout1的高次谐波分量进行衰减，将其作为放大信号RFout2从输出节点12输出。信号线路13连接输入节点11与输出节点12之间。低通滤波器40具备串联连接至信号线路13的电感器元件L1、以及并联连接在信号线路13与接地之间的电容器元件C1。高通滤波器50具备串联连接至信号线路13的电容器元件C2、以及并联连接在信号线路13与接地之间的电感器元件L2。低通滤波器40中，与低频侧的阻抗的变化相比，高频侧的阻抗的变化较大。另一方面，在高通滤波器50中，与高频侧的阻抗的变化相比，低频侧的阻抗的变化较大。因此，通过组合低通滤波器40和高通滤波器50，能够使彼此的阻抗变化相抵消。由此，在放大信号RFout1的载波频带(载波的基本频率频带)中，能够使匹配电路10的阻抗宽频带化。低通滤波器40对放大信号RFout1的高次谐波分量(例如，第2高次谐波分量、第3高次谐波分量、或其以上的高次谐波分量)进行衰减。图2是表示实施方式1所涉及的匹配电路10的布线布局的示意图。同一图中，标号301、302表示匹配电路10的布线图案。标号41表示低通滤波器40的接地，标号51表示高通滤波器50的接地。由此，低通滤波器40的接地41与高通滤波器50的接地51相分离。图3是表示比较例所涉及的匹配电路30的电路结构的说明图。匹配电路30具备低通滤波器40、高通滤波器50、输入节点31、输出节点32、以及信号线路33。信号线路33连接输入节点31与输出节点32之间。低通滤波器40具备串联连接至信号线路33的电感器元件L1、以及并联连接在信号线路33与接地之间的电容器元件C1。高通滤波器50具备串联连接至信号线路33的电容器元件C2、以及并联连接在信号线路33与接地之间的电感器元件L2。匹配电路30在低通滤波器40的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种匹配电路，该匹配电路对放大输入信号并输出放大信号的放大器的输出阻抗进行匹配，该匹配电路的特征在于，包括：低通滤波器；以及高通滤波器，所述低通滤波器的接地与所述高通滤波器的接地相分离。

【技术特征摘要】
2016.10.12 JP 2016-201146;2017.01.05 JP 2017-000661.一种匹配电路，该匹配电路对放大输入信号并输出放大信号的放大器的输出阻抗进行匹配，该匹配电路的特征在于，包括：低通滤波器；以及高通滤波器，所述低通滤波器的接地与所述高通滤波器的接地相分离。2.如权利要求1所述的匹配电路，其特征在于，还包括并联谐振电路，所述低通滤波器对所述放大信号的第3高次谐波分量进行衰减，所述并联谐振电路对所述放大信号的第2高次谐波分量进行衰减。3.如权利要求2所述的匹配电路，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中佑介，庄内大贵，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP