移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置制造方法及图纸

技术编号:17781681 阅读:50 留言:0更新日期:2018-04-22 11:22
本发明专利技术实施例提供一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置,涉及显示技术领域,用于同时解决现有GOA电路的稳定性差、工作寿命短和功耗大的问题。该移位寄存器单元包括上拉控制模块、上拉模块、下拉控制模块、下拉模块、复位模块和M个去噪模块。其中,去噪模块连接第二控制端、上拉节点、信号输出端和第一电压端,去噪模块用于在第二控制端的控制下,将上拉节点和信号输出端的电位下拉至第一电压端。该移位寄存器单元用于与该移位寄存器单元相连接的栅线输出栅线扫描信号。

【技术实现步骤摘要】
移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管-液晶显示器)技术中,为了实现低成本和窄边框,通常采用GOA(英文全称:GatedriverOnArray,中文名称:栅极驱动电路集成在基板上)技术,即将栅极驱动电路通过薄膜晶体管工艺集成在面板内部,从而实现窄边框和降低IC(英文全称:IntegratedCircuit,中文名称:集成电路)及装配成本等优势。在设计GOA电路时,需要重点考虑GOA电路中各个薄膜晶体管的栅极偏压时间,防止阈值电压漂移(Vthshift)过大易导致电路失效,进而导致GOA电路的工作寿命降低,使得GOA电路的稳定性差。从显示器的应用方面考虑,GOA电路的高寿命、低功耗、高稳定性是目前TFT-LCD技术的发展趋势。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置,用于同时解决现有GOA电路的稳定性差、工作寿命短和功本文档来自技高网...
移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置

【技术保护点】
一种移位寄存器单元,其特征在于,包括:上拉控制模块、上拉模块、下拉控制模块、下拉模块、复位模块、以及M个去噪模块,其中M为整数,M≥1;所述上拉控制模块连接信号输入端和上拉节点,用于在所述信号输入端的控制下,将所述上拉节点的电位上拉至所述信号输入端;所述上拉模块连接所述上拉节点、时钟信号端和信号输出端,用于在所述上拉节点的控制下,将所述时钟信号端的信号输出至所述信号输出端;所述下拉控制模块连接第一控制端、下拉节点、第一电压端和所述上拉节点,用于在所述上拉节点的控制下,将所述下拉节点的电位下拉至所述第一电压端,或者,用于在所述第一控制端的控制下,将所述第一控制端的电压输出至所述下拉节点;所述下拉...

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元,其特征在于,包括:上拉控制模块、上拉模块、下拉控制模块、下拉模块、复位模块、以及M个去噪模块,其中M为整数,M≥1;所述上拉控制模块连接信号输入端和上拉节点,用于在所述信号输入端的控制下,将所述上拉节点的电位上拉至所述信号输入端;所述上拉模块连接所述上拉节点、时钟信号端和信号输出端,用于在所述上拉节点的控制下,将所述时钟信号端的信号输出至所述信号输出端;所述下拉控制模块连接第一控制端、下拉节点、第一电压端和所述上拉节点,用于在所述上拉节点的控制下,将所述下拉节点的电位下拉至所述第一电压端,或者,用于在所述第一控制端的控制下,将所述第一控制端的电压输出至所述下拉节点;所述下拉模块连接所述下拉节点、所述上拉节点、所述第一电压端和所述信号输出端,用于在所述下拉节点的控制下,将所述上拉节点和所述信号输出端的电位下拉至所述第一电压端;每个所述去噪模块连接第二控制端、所述上拉节点、所述信号输出端和所述第一电压端,用于在所述第二控制端的控制下,将所述上拉节点和所述信号输出端的电位下拉至所述第一电压端;所述复位模块连接复位信号端、所述第一电压端和所述上拉节点,用于在所述复位信号端的控制下,将所述上拉节点的电位下拉至所述第一电压端。2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述上拉控制模块包括第一晶体管;所述第一晶体管的栅极和第一极连接所述信号输入端,第二极连接所述上拉节点。3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述上拉模块包括第二晶体管和第一电容;所述第二晶体管的栅极连接所述上拉节点,第一极连接所述时钟信号端,第二极连接所述信号输出端;所述第一电容的一端连接所述上拉节点,另一端连接所述信号输出端。4.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述下拉控制模块包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管;所述第三晶体管的栅极和第一极连接所述第一控制端,第二极连接所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的第一极;所述第四晶体管的第一极连接所述第一控制端,第二极连接所述下拉节点;所述第五晶体管的栅极连接所述上拉节点,第二极连接所述第一电压端;所述第六晶体管的栅极连接所述上拉节点,第一极连接所述下拉节点,第二极连接所述第一电压端。5.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述下拉模块包括第七晶体管和第八晶体管;所述第七晶体管的栅极连接所述下拉节点,第一极连接所述上拉节点,第二极连接所述第一电压端;所述第八晶体管的栅极连接所述下拉节点,第一极连接信号输出端,第二极连接所述信号输出端。6.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,每个所述去噪模块包括第九晶体管和第十晶体管;所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:张元波王孝林许卓陈帅刘珠林
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司重庆京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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