一种存储单元、像素电路及其驱动方法、显示面板技术

本申请实施例提供一种存储单元、像素电路及其驱动方法、显示面板，涉及显示技术领域，用于降低穿戴设备的功耗。上述存储单元包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管；第一晶体管的栅极与第二晶体管的第二极相连接，第一晶体管的第一极与第一电压端相连接，第一晶体管的第二极与第三晶体管的栅极相连接；第二晶体管的栅极和第一极与第一电压端相连接；第三晶体管的第一极与第二晶体管的第二极相连接，第三晶体管的第二极与第二电压端相连接；其中，第三晶体管的宽长比大于第二晶体管的宽长比。该存储单元用于存储信号。

【技术实现步骤摘要】
一种存储单元、像素电路及其驱动方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种存储单元、像素电路及其驱动方法、显示面板。
技术介绍
显示装置在穿戴设备中的应用越来越广泛。对于一些具有显示功能的穿戴设备而言，例如智能手表，通常需要具备低功耗的特性，以达到省电，延长续航能力的目的。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种存储单元、像素电路及其驱动方法、显示面板，用于降低穿戴设备的功耗。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本申请实施例的一方面，提供一种存储单元，包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的第二极相连接，所述第一晶体管的第一极与第一电压端相连接，所述第一晶体管的第二极与所述第三晶体管的栅极相连接；所述第二晶体管的栅极和第一极与所述第一电压端相连接；所述第三晶体管的第一极与所述第二晶体管的第二极相连接，所述第三晶体管的第二极与第二电压端相连接；其中，所述第三晶体管的宽长比大于所述第二晶体管的宽长比。可选的，所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管和所述第三晶体管为N型晶体管；或者，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储单元，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的第二极相连接，所述第一晶体管的第一极与第一电压端相连接，所述第一晶体管的第二极与所述第三晶体管的栅极相连接；所述第二晶体管的栅极和第一极与所述第一电压端相连接；所述第三晶体管的第一极与所述第二晶体管的第二极相连接，所述第三晶体管的第二极与第二电压端相连接；其中，所述第三晶体管的宽长比大于所述第二晶体管的宽长比。

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的第二极相连接，所述第一晶体管的第一极与第一电压端相连接，所述第一晶体管的第二极与所述第三晶体管的栅极相连接；所述第二晶体管的栅极和第一极与所述第一电压端相连接；所述第三晶体管的第一极与所述第二晶体管的第二极相连接，所述第三晶体管的第二极与第二电压端相连接；其中，所述第三晶体管的宽长比大于所述第二晶体管的宽长比。2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管和所述第三晶体管为N型晶体管；或者，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管和所述第三晶体管为P型晶体管。3.一种像素电路，其特征在于，包括写入单元、显示驱动单元以及如权利要求1或2所述的存储单元；所述写入单元与所述存储单元和所述显示驱动单元相连接；所述写入单元用于向所述存储单元和所述显示驱动单元提供数据电压；所述存储单元用于对所述数据电压进行存储；所述显示驱动单元还与所述存储单元以及像素电极相连接；所述显示驱动单元用于根据所述写入单元输出的数据电压或者所述存储单元存储的数据电压，对所述像素电极进行充电。4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述显示驱动单元还与第一显示信号线和第二显示信号线相连接；在所述存储单元包括第一晶体管和第二晶体管的情况下，所述显示驱动单元包括第四晶体管和第五晶体管；所述第四晶体管的栅极与所述写入单元和第一晶体管的第二极相连接，所述第四晶体管的第一极与所述第一显示信号线相连接，所述第四晶体管的第二极与所述像素电极相连接；所述第五晶体管的栅极与所述第二晶体管的第二极相连接，所述第五晶体管的第一极与所述像素电极相连接，所述第五晶体管的第二极与所述第二显示信号线相连接。5.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述显示驱动单元还与第一显示信号线和第二显示信号线相连接；在所述存储单元包括第一晶体管和第二晶体管的情况下，所述显示驱动单元包括第四晶体管和第五晶体管；所述第四晶体管的栅极与所述第一显示信号线相连接，所述第四晶体管的第一极与所述写入模块和所述第一晶体管的第二极相连接，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王秀娟，邵贤杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11