【技术实现步骤摘要】
一种耦合器设计的叠层结构
本技术涉及耦合器设计
,具体涉及一种耦合器设计的叠层结构。
技术介绍
作为通信系统中常用的无源器件,耦合器特别是3dB耦合器在射频、微波电路与通信系统中应用广泛。耦合器是一种通用的微波/毫米波部件,可用于信号的分离与合成。3dB耦合器能够沿传输线路某一确定方向上对传输功率连续取样,能将一个输入信号分为两个互为等幅且具有90°相位差的信号,也可用于多信号合成,提高输出信号的利用率。3dB耦合器还可以用于功率放大器、低噪声放大器、可调移相器和可调衰减器中。其核心指标主要包括:回波损耗、插入损耗、耦合度、隔离度、耦合平坦度、幅度平坦度。3dB耦合器的工艺难点主要涉及到中间层一对耦合带状线的加工。耦合带状线由一对或多对双导体传输线组合而成,传输线之间产生电磁耦合现象。耦合带状线的对位精度、线宽线距控制以及介质压合之后的变化情况,这些因素均会对耦合器的指标产生影响。随着通信频段的日益扩展,3dB耦合器的设计频段也在不断地扩宽,甚至还包括不等分功率分配比的设计,以及耦合器体积的小型化。
技术实现思路
本技术实施例提供一种耦合器设计的叠层结构,用于实现宽 ...
【技术保护点】
一种耦合器设计的叠层结构,其特征在于,该叠层结构主要由上芯板层、上介质层、中间芯板层、下介质层和下芯板层压合而成,其中:所述中间芯板层包括中间绝缘层及其上、下表面的两层内层图形,所述两层内层图形构成用于耦合器的耦合带状线结构,所述上芯板层包括上绝缘层及其上表面的上铜箔层,所述下芯板层包括下绝缘层及其下表面的下铜箔层,所述上铜箔层和所述下铜箔层分别构成耦合器的顶层铜和底层铜。
【技术特征摘要】
1.一种耦合器设计的叠层结构,其特征在于,该叠层结构主要由上芯板层、上介质层、中间芯板层、下介质层和下芯板层压合而成,其中:所述中间芯板层包括中间绝缘层及其上、下表面的两层内层图形,所述两层内层图形构成用于耦合器的耦合带状线结构,所述上芯板层包括上绝缘层及其上表面的上铜箔层,所述下芯板层包括下绝缘层及其下表面的下铜箔层,所述上铜箔层和所述下铜箔层分别构成耦合器的顶层铜和底层铜。2.根据权利要求1所述的耦合器设计的叠层结构,其特征在于,所述叠层结构设有用于连接所述上铜箔层和所述下铜箔层的金属化通孔。3.根据权利要求2所述的耦合器设计...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈媛,
申请(专利权)人:深南电路股份有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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