激光气体精炼系统技术方案

激光气体精炼系统作为将从使用包括氙气的激光气体的ArF准分子激光装置排出的排出气体精炼而供给到ArF准分子激光装置的激光气体精炼系统，具备：氙捕捉器，其降低排出气体的氙气浓度；及氙添加装置，其向通过了氙捕捉器的排出气体添加氙气。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光气体精炼系统
本公开涉及激光气体精炼系统。
技术介绍
近年来，在半导体曝光装置(以下，称为“曝光装置”)中，随着半导体集成电路的微型化及高集成化，要求提高分辨率。因此，从曝光用光源放出的光的短波长化得到推进。一般地，在曝光用光源中，代替以往的汞灯而使用气体激光装置。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出248nm的波长的紫外线的激光的KrF准分子激光装置和输出193nm的波长的紫外线的激光的ArF准分子激光装置。作为下一代的曝光技术，由液体填满曝光装置侧的曝光用透镜与晶片之间的浸液曝光被实用化。在该浸液曝光中，曝光用透镜与晶片之间的折射率变化，因此曝光用光源的表观的波长短波长化。在将ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行了液侵曝光的情况下，水中的134nm的波长的紫外光被照射到晶片。将该技术称为ArF浸液曝光(或ArF浸液光刻)。KrF准分子激光装置及ArF准分子激光装置的自然振荡宽度宽至约350～400pm。因此，如果用使KrF及ArF激光这样的紫外线透过的材料来构成投影透镜，则有时发生色差。其结果，可降低分辨率。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的频谱线宽度窄带化至能够忽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光气体精炼系统，其将从ArF准分子激光装置排出的排出气体进行精炼而供给到所述ArF准分子激光装置，该ArF准分子激光装置使用含氙气的激光气体，所述激光气体精炼系统具备：氙捕捉器，其降低所述排出气体的氙气浓度；和氙添加装置，其向通过了所述氙捕捉器的排出气体添加氙气。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光气体精炼系统，其将从ArF准分子激光装置排出的排出气体进行精炼而供给到所述ArF准分子激光装置，该ArF准分子激光装置使用含氙气的激光气体，所述激光气体精炼系统具备：氙捕捉器，其降低所述排出气体的氙气浓度；和氙添加装置，其向通过了所述氙捕捉器的排出气体添加氙气。2.根据权利要求1所述的激光气体精炼系统，其中，该激光气体精炼系统还具备第1杂质捕捉器，该第1杂质捕捉器对从所述ArF准分子激光装置排出的排出气体进行精炼，所述氙捕捉器降低通过了所述第1杂质捕捉器的排出气体的氙气浓度。3.根据权利要求1所述的激光气体精炼系统，其中，该激光气体精炼系统还具备第2杂质捕捉器，该第2杂质捕捉器对通过了所述氙捕捉器的排出气体进行精炼。4.根据权利要求2所述的激光气体精炼系统，其中，该激光气体精炼系统还具备第2杂质捕捉器，该第2杂质捕捉器对通过了所述氙捕捉器的排出气体进行精炼。5.根据权利要求1所述的激光气体精炼系统，其中，所述氙添加装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木夏志，八代将德，若林理，
申请(专利权)人：极光先进雷射株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP