【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于探测和转换红外电磁辐射的方法
本专利技术涉及一种用于探测红外电磁辐射并且将其转换为电信号的方法,还涉及光电子元件,尤其是用于(近)红外探测的有机红外探测器并且涉及光电子元件的用于探测在780nm至10μm的波长范围内的电磁信号的用途。
技术介绍
感光的光电子元件将电磁环境辐射转换为电。元件种类包括太阳能电池和探测器。太阳能电池被优化以便将尽可能多的份额的太阳光转换为电功率。相反地,探测器经常以在外部提供的电压运行(并且相应地是非能量自给自足的),以便实现探测范围中的更高的外量子效率和更快的反应时间。此外,其探测范围可以位于可见光以外。探测器经常与用于读取和进一步处理由光电子元件生成的电流强度的装置联接。由现有技术公知了用于红外探测器(IR探测器)的各种各样的解决方案,其根据其功能方式分为五个类别。在此,本领域技术人员做出如下区分:1.基于半导体的单线吸收的探测器是公知的,其中,电子从被完全占据的状态(价带能或HOMO能或较低能态)提升至未占据的水平(导带能或LUMO能或较高能级)。此外借助所使用的活性介质可以分为以下四组:a)基于无机物的IR探测器大多基于稀土、例如铟或镓的使用,其中,其制造在技术上要求苛刻并且因此不利地是耗能的和尤其是昂贵的。但基于无机物的IR探测器在机械上是不柔韧的,并且与基于有机物的解决方案相比导致更大体积的或更重的构件(Downs和Vandervelde,Sensors(传感器)2013,13,doi:10.3390/s130405054)。b)在另外的基于无机物的实施方案中使用含铅的盐,例如硫化铅(II),其然而与1a)中相比 ...
【技术保护点】
用于探测在780nm至10μm的波长范围内的电磁信号的方法,所述方法具有如下步骤:a)提供光电子元件(1、1a、1b、1c、1d、1e、1f),所述光电子元件布置在基底(2)上并且i.具有两个彼此间隔开且对置的、构造出光学微腔的反射面,ii.具有布置在所述反射面之间的光活性层(5),所述光活性层包含至少一个化合物1和化合物2,其中,所述化合物1的HOMO能与所述化合物2的LUMO能之间的能量差位于1.6eV以下,其中,所述反射面之间的光程长度相应于待探测的信号的波长的25%至75%范围,并且其中,待探测的电磁信号的波长范围的能量当量位于‑通过所述化合物1的HOMO能和所述化合物2的LUMO能限定的能量差的范围内,和‑通过所述化合物1的HOMO能和LUMO能限定的能量差的范围内,其中,所述光活性层(5)以在所述光学微腔内处在所述待探测的电磁信号的波长的空间上的强度最大值处的方式在所述反射面之间取向;b)以780nm至10μm的波长范围内的电磁信号照射所述光电子元件(1、1a、1b、1c、1d、1e、1f);c)在所述光学微腔内增强所述待探测的电磁信号,其中,通过所述待探测的信号的波长诱导 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.14 DE 102015215581.11.用于探测在780nm至10μm的波长范围内的电磁信号的方法,所述方法具有如下步骤:a)提供光电子元件(1、1a、1b、1c、1d、1e、1f),所述光电子元件布置在基底(2)上并且i.具有两个彼此间隔开且对置的、构造出光学微腔的反射面,ii.具有布置在所述反射面之间的光活性层(5),所述光活性层包含至少一个化合物1和化合物2,其中,所述化合物1的HOMO能与所述化合物2的LUMO能之间的能量差位于1.6eV以下,其中,所述反射面之间的光程长度相应于待探测的信号的波长的25%至75%范围,并且其中,待探测的电磁信号的波长范围的能量当量位于-通过所述化合物1的HOMO能和所述化合物2的LUMO能限定的能量差的范围内,和-通过所述化合物1的HOMO能和LUMO能限定的能量差的范围内,其中,所述光活性层(5)以在所述光学微腔内处在所述待探测的电磁信号的波长的空间上的强度最大值处的方式在所述反射面之间取向;b)以780nm至10μm的波长范围内的电磁信号照射所述光电子元件(1、1a、1b、1c、1d、1e、1f);c)在所述光学微腔内增强所述待探测的电磁信号,其中,通过所述待探测的信号的波长诱导,实现从所述化合物1到所述化合物2的直接的生色团间的电荷转移;d)将所述电磁信号转换为电信号。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述光学微腔内布置有两个光学间距保持层(4)。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,两个对置的反射面平面平行地以相对彼此100nm至5000nm范围内的几何间距布置。4.根据权利要求1或2中任一项所述的方法,其特征在于,以频谱分辨的方式探测所述电磁信号,其中,所述光电子元件(1e、1f)的两个对置的反射面的几何间距在至少一个侧向方向上连续或不连续地变化。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述两个对置的反射面倾斜地以在1nm至500nm范围内的几何间距的连续变化和在100nm至5000nm范围内的平均几何间距相对彼此布置。6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述两个对置的反射面以几何间距的不连续变化来布置,其中,所述光电子元件(1f)具有彼此电绝缘的部段,在所述部段之内,两个对置的反射面平面平行地布置,其中,在相邻的部段内两个对置的反射面的几何间距彼此不同。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述化合物1和所述化合物2在所述光活性层(5)中混合地存在。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,通过电极(3、11、19)以及至少一个读取单元(7)读取所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员:伯恩哈德·西格蒙德,科恩·范德瓦尔,安德烈亚斯·米朔克,约翰内斯·本杜恩,多纳托·斯波尔托雷,克里斯蒂安·克尔纳,卡尔·莱奥,
申请(专利权)人:德累斯顿工业技术大学,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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