用于窗膜的组合物、由所述组合物形成的可挠性窗膜及包括所述可挠性窗膜的可挠性显示器制造技术

技术编号:17743432 阅读:53 留言:0更新日期:2018-04-18 17:30
本发明专利技术提供:一种用于窗膜的组合物、由所述组合物形成的窗膜以及包括所述窗膜的可挠性显示器,用于窗膜的组合物含有包含以下化学式1的硅树脂、交联剂及引发剂。<化学式1>(R1SiO3/2)x(SiO3/2‑Q‑SiO3/2)y(R2SiO3/2)z(在化学式1中,R1及R2分别独立地为环脂肪族环氧基、含环脂肪族环氧基的官能基、缩水甘油基或含缩水甘油基的官能基;Q为R3或‑A1‑T‑A2‑;R3为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基或者经取代或未经取代的C6到C30亚芳基;A1及A2分别独立地为单键或者经取代或未经取代C1到C5亚烷基;T为单环氧烷基或聚环氧烷基、或含酰亚胺基的官能基;且0<x<1,0<y<1,0≤z<1,x+y+z=1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于窗膜的组合物、由所述组合物形成的可挠性窗膜及包括所述可挠性窗膜的可挠性显示器
本专利技术涉及一种用于窗膜的组合物、由所述组合物形成的可挠性窗膜以及包括所述可挠性窗膜的可挠性显示器。
技术介绍
近来,随着在显示器中玻璃衬底或高硬度衬底被替换为膜,在现有领域中已开发出能够进行折叠或展开的可挠性(flexible)显示器。可挠性显示器为轻薄的,具有高的耐冲击性,可进行折叠及展开,且因此可被制造成各种形状。在此种可挠性显示器中,不仅衬底且各种元件也需要具有可挠性。尤其,由于窗膜设置在显示器的最外侧处,因此需要使窗膜具有可挠性、高硬度及良好的光学可靠性。本专利技术的
技术介绍
公开于未经审查的日本专利公开第2007-176542号中。
技术实现思路
技术问题本专利技术的一个方面是提供一种可实现可挠性窗膜的用于窗膜的组合物,所述可挠性窗膜在硬度、可挠性、光学可靠性及外观方面具有良好的性质,无需使用用于改善外观的流平剂便可形成,且不会遭受流平剂的洗脱及相容性劣化。本专利技术的另一方面是提供一种用于窗膜的组合物,所述用于窗膜的组合物可实现在与基底膜粘合、透光度及可挠性方面表现出良好性质的窗膜。本专利技术本文档来自技高网...
用于窗膜的组合物、由所述组合物形成的可挠性窗膜及包括所述可挠性窗膜的可挠性显示器

【技术保护点】
一种用于窗膜的组合物,包含:硅酮树脂,包含由式1表示的化合物;交联剂;以及引发剂,<式1>(R

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.25 KR 10-2015-0119871;2015.12.22 KR 10-2011.一种用于窗膜的组合物,包含:硅酮树脂,包含由式1表示的化合物;交联剂;以及引发剂,&lt;式1&gt;(R1SiO3/2)x(SiO3/2-Q-SiO3/2)y(R2SiO3/2)z(在式1中,其中R1及R2分别独立地为脂环族环氧基、含脂环族环氧基的官能基、缩水甘油基或含缩水甘油基的官能基;Q为R3或-A1-T-A2-,R3为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基或者经取代或未经取代的C6到C30亚芳基,A1及A2分别独立地为单键或者经取代或未经取代的C1到C5亚烷基,T为单环氧烷基或聚环氧烷基、或者含酰亚胺基的官能基;并且0<x<1,0<y<1,0≤<1,x+y+z=1)。2.根据权利要求1所述的用于窗膜的组合物,其中所述硅酮树脂包含由式1-1到式1-8表示的化合物中的至少一者:&lt;式1-1&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-SiO3/2)y&lt;式1-2&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C6H4-SiO3/2)y&lt;式1-3&gt;(GpSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-SiO3/2)y&lt;式1-4&gt;(GpSiO3/2)x(SiO3/2-C6H4-SiO3/2)y&lt;式1-5&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C6H12-SiO3/2)y&lt;式1-6&gt;(GpSiO3/2)x(SiO3/2-C6H12-SiO3/2)y&lt;式1-7&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C8H16-SiO3/2)y&lt;式1-8&gt;(GpSiO3/2)x(SiO3/2-C8H16-SiO3/2)y(在式1-1到式1-8中,其中Ec为环氧环己基乙基,Gp为缩水甘油氧基丙基,0<x<1,0<y<1,x+y=1)。3.根据权利要求1所述的用于窗膜的组合物,其中式1的所述硅酮树脂是由式1-9到式1-26中的至少一者表示:&lt;式1-9&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]2-SiO3/2)y&lt;式1-10&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]3-SiO3/2)y&lt;式1-11&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]4-SiO3/2)y&lt;式1-12&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]5-SiO3/2)y&lt;式1-13&gt;(GpSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]2-SiO3/2)y&lt;式1-14&gt;(GpSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]3-SiO3/2)y&lt;式1-15&gt;(GpSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]4-SiO3/2)y&lt;式1-16&gt;(GpSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]5-SiO3/2)y&lt;式1-17&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-CHCH3CH2-]2-[-OC2H4-]-SiO3/2)y&lt;式1-18&gt;(GpSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-CHCH3CH2-]2-[-OC2H4-]-SiO3/2)y&lt;式1-19&gt;&lt;式1-20&gt;(在式1-9到式1-20中,其中Ec为环氧环己基乙基,Gp为缩水甘油氧基丙基,0<x<1,0<y<1,x+y=1)&lt;式1-21&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]2-SiO3/2)y(GpSiO3/2)z&lt;式1-22&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]3-SiO3/2)y(GpSiO3/2)z&lt;式1-23&gt;(EcSiO3/2)x(SiO3/2-C2H4-[-O-C2H4-]4-SiO3/2)y(GpSiO3/2)z&lt;式1-24&gt;(EcSiO3/2)x(...

【专利技术属性】
技术研发人员:禹昌秀姜炅求金旻惠朴志桓任智善张胜宇韩东一
申请(专利权)人:三星SDI株式会社三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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