碳化钽陶瓷先驱体合成方法及所得碳化钽陶瓷技术

本发明专利技术提供了一种碳化钽陶瓷先驱体合成方法及所得碳化钽陶瓷，首先将钽源化合物TaX5(X＝Cl、Br、I)与至少含有两个N‑H键的多胺基化合物在室温下进行预反应后再升温进行反应，从而得到碳化钽陶瓷先驱体。本发明专利技术合成方法成本低，工艺简便，合成的碳化钽陶瓷先驱体适于碳化钽陶瓷材料的制备。

The synthesis method of tantalum carbide ceramic precursor and the tantalum carbide ceramics

【技术实现步骤摘要】
碳化钽陶瓷先驱体合成方法及所得碳化钽陶瓷
本专利技术涉及碳化钽陶瓷
，特别的涉及一种碳化钽陶瓷先驱体合成方法及所得碳化钽陶瓷。
技术介绍
航空航天技术的迅速发展，对超高温材料提出了迫切需求。超高温材料指的是在高温(2000℃以上)环境下以及高温反应气氛中能够保持物理和化学性质稳定的一种特殊材料。作为超高温材料中一员的碳化钽(TaC)陶瓷具有极高的熔点(3880℃)，高于大部分金属碳化物，同时具有高的机械强度、高硬度、优异的热力学和化学稳定性，具有优异的耐高温性能、抗氧化性能、抗烧蚀性能，是超高温材料领域中一种具有广泛应用前景的超高温陶瓷材料。现有先驱体多为钽源化合物和碳源化合物的物理级别的混合物，二者之间完全不涉及化学反应，影响后续关键反应的进行，使得所得产物中存在大量的杂质，进而降低了所得材料的纯度和性能。另一个方面，现有通过先驱体转化法制备TaC时，常需进行高温碳热还原反应后才能得到。若采用该法制备碳纤维增强TaC复合材料时，高温碳热还原时，必将会对碳纤维表面造成损伤，降低了所得复合材料的各项力学、耐高温性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种碳化钽陶瓷先驱体合成方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化钽陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，包括以下步骤：在保护气氛下，向钽源化合物中加入三乙胺然后滴加多胺化合物，搅拌反应2～8h，之后升温至280～350℃，保温0.5～4h，冷却至室温得到所述碳化钽陶瓷先驱体，所述钽源化合物为TaCl5、TaBr5或TaI5中的任意种的混合物或任一种；所述多胺化合物为至少含有两个N‑H键且不含氧的多胺基或多亚胺基化合物中的任意种的混合物或任一种。

【技术特征摘要】
1.一种碳化钽陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，包括以下步骤：在保护气氛下，向钽源化合物中加入三乙胺然后滴加多胺化合物，搅拌反应2～8h，之后升温至280～350℃，保温0.5～4h，冷却至室温得到所述碳化钽陶瓷先驱体，所述钽源化合物为TaCl5、TaBr5或TaI5中的任意种的混合物或任一种；所述多胺化合物为至少含有两个N-H键且不含氧的多胺基或多亚胺基化合物中的任意种的混合物或任一种。2.根据权利要求1所述的碳化钽陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，按Ta-X键与N-H键的摩尔比为1:1～1:5混合所述钽源化合物、所述三乙胺和所述多胺化合物，其中X为Cl、Br或I。3.根据权利要求1所述的碳化...

【专利技术属性】
技术研发人员：简科，王军，王浩，邵长伟，王小宙，苟燕子，谢征芳，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43