一种用于提取双栅砷化镓pHEMT器件寄生电容的开路结构测试方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种用于提取双栅砷化镓pHEMT器件寄生电容的开路结构测试方法
本专利技术涉及微波器件测试领域，涉及一种双栅砷化镓pHEMT器件寄生电容的一种开路测试结构提取方法。技术背景双栅器件广泛用于功率放大器、移相器、混频器和单片微波集成电路中。在传统的建模方法中，小信号模型被优先建立以方便随后的大信号模型的建立。所以，精确地建立小信号模型十分关键。对于单栅器件的小信号模型，最常使用的方法是通过数值优化使模型的S参数与测得的S参数拟合。然而对于双栅砷化镓pHEMT器件，其小信号包含了外部寄生参数和两个pHEMT的内部本征参数，加起来总共29个未知参数，因此，想要通过三端口S参数的测量数据进行拟合是非常困难的。实际上，由于双栅结构与单栅不同，很难直接将单栅器件的分析方法直接应用于双栅器件中。Deng等人[DengWK,ChuTH.ElementsextractionofGaAsdual-gateMESFETsmall-signalequivalentcircuit[J].IEEETransactionsonMicrowaveTheory&Techniques,19...
【技术保护点】
一种用于提取双栅砷化镓pHEMT器件寄生电容的开路结构测试方法，包括如下步骤：步骤一：设计开路测试结构，并建立开路测试结构等效电路；步骤二：测量开路测试结构的三端口S参数；步骤三：将步骤二中测量得到的S参数转换为Y参数，通过Y参数计算得到寄生电容的值；所述步骤一中，开路测试结构与待测器件的测试结构相同，但不包含被测双栅砷化镓pHEMT器件；开路测试结构包括将双栅砷化镓pHEMT器件端口引出的互联线Interconnect和与探针接触来施加偏压的焊盘PAD；开路测试结构等效电路包括焊盘寄生电容部分(100)和焊盘间耦合电容部分(200)；所述焊盘寄生电容部分(100)由第一栅...
【技术特征摘要】
1.一种用于提取双栅砷化镓pHEMT器件寄生电容的开路结构测试方法，包括如下步骤：步骤一：设计开路测试结构，并建立开路测试结构等效电路；步骤二：测量开路测试结构的三端口S参数；步骤三：将步骤二中测量得到的S参数转换为Y参数，通过Y参数计算得到寄生电容的值；所述步骤一中，开路测试结构与待测器件的测试结构相同，但不包含被测双栅砷化镓pHEMT器件；开路测试结构包括将双栅砷化镓pHEMT器件端口引出的互联线Interconnect和与探针接触来施加偏压的焊盘PAD；开路测试结构等效电路包括焊盘寄生电容部分(100)和焊盘间耦合电容部分(200)；所述焊盘寄生电容部分(100)由第一栅极寄生电容Cpg1、第二栅极寄生电容Cpg2和漏极寄生电容Cpd构成，其中：第一栅极寄生电容Cpg1的一端与第一栅极节点G1相连接，另一端与第一源极节点S相连接；第二栅极寄生电容Cpg2的一端与第二栅极节点G2相连接，另一端与第一源极节点(S)相连接；漏极寄生电容Cpd的一端与第二漏极节点D相连接，另一端与第一源极节点S相连接；所述的焊盘间耦合电容部分(200)由第一栅极与第二栅极间耦合电容Cg1g2、第一栅极与漏极间耦合电容Cg1d和第二栅极与漏极间耦合电容Cg2d构成，其中：第一栅极与第二栅极间耦合电容Cg1g2的一端与第一栅极节点G1相连接，另一端与第二栅极节点G2相连接；第一栅极与漏极间耦合电容Cg1d的一端与第一栅极节点G1相连接，另一端与第二漏极节点D相连接；第二栅极与漏极间耦合电容Cg2d的一端与第二栅极节点G2相连接，另一端与第二漏极节点D相连接；所述步骤二中，利用矢量网络分析仪测量开路测试结构的S参数(散射参数)；测量时，采用矢量网络分析仪在器件的工作频段范围内测量开路结构的三端口S参数，例如10MHz到40GHz；所述步骤三中，将步骤二中测得的三端口S参数通过Matlab中s2y函数转换为Y参数；从步骤一中建立的等效电路得到Y参数矩阵，通过Y参数的虚部求得各寄生电容的值，公式如下所示：
【专利技术属性】
技术研发人员：吕志浩，党锐锐，徐志伟，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。