铋氧氯单晶制备方法技术

本发明专利技术属于铋氧氯单晶制备技术领域，具体涉及一种铋氧氯单晶制备方法；本发明专利技术的目的是，针对现有技术不足，提供一种用配料成本低，反应条件温和的铋氧氯单晶制备方法；本发明专利技术的技术方案是：包括以下步骤：步骤一、配置铋氧氯溶液；步骤二、加入浓盐酸；步骤三、放入反应釜利用水热法合成铋氧氯单晶；所述步骤一种，使用五水合硝酸铋作为铋源，溶于去离子水/醇中，铋氧氯溶液浓度为0.0625mol/L；向配置好的铋氧氯溶液中滴加浓度为36％的浓盐酸，直至溶液中浓度达到0.025mol/L，搅拌至溶液澄清；所述水热时间至少为一小时，水热温度为180～200℃；所述步骤三中，水热法后将高压反应釜冷却到室温,收集反应产物、清洗、并干燥得到氯氧化铋单晶。

Preparation of bismuth oxychloride single crystal

The invention belongs to the technical field of bismuth oxychloride crystal preparation, and particularly relates to a method for preparing bismuth oxychloride crystal; the aim of the invention is based on the existing technology, provides a low material cost, bismuth oxychloride crystal preparation method has mild reaction condition; the technical scheme of the present invention includes: the following steps: 1, bismuth oxychloride solution configuration; step two, adding hydrochloric acid into a reaction kettle; step three, byhydrothermal synthesis of bismuth oxychloride crystal; the step a, using bismuth nitrate hydrate as bismuth source five, dissolved in deionized water / alcohol, concentration of bismuth oxychloride solution 0.0625mol/L; bismuth oxychloride to solution prepared by adding concentration of 36% hydrochloric acid, until the concentration reached 0.025mol/L, stirring to obtain clarification; the hydrothermal time for at least one hour, the temperature is 180~200 DEG C; the In the third step, the high-pressure reaction kettle was cooled to room temperature after hydrothermal method, and the reaction products were collected, and bismuth chloride single crystal was obtained by cleaning and drying.

【技术实现步骤摘要】
铋氧氯单晶制备方法
本专利技术属于铋氧氯单晶制备
，具体涉及一种铋氧氯单晶制备方法。
技术介绍
环境污染和能源危机是当今社会面临的最迫切需要解决的两大难题。在众多环境治理技术中，半导体氧化物作为催化剂可以利用太阳光作为驱动力来实现多相催化而且可以在室温下进行反应，具有分解有机物、分解水产氢产氧、二氧化碳还原和还原重金属离子等功能。半导体光催化剂性能稳定，价格低廉，可有效降解大部分有机物，耐化学腐蚀，因此在环境治理方面有很大的应用前景。环境污染和能源危机是当今社会面临的最迫切需要解决的两大难题。在众多环境治理技术中，半导体氧化物作为催化剂可以利用太阳光作为驱动力来实现多相催化而且可以在室温下进行反应，具有分解有机物、分解水产氢产氧、二氧化碳还原和还原重金属离子等功能。半导体光催化剂性能稳定，价格低廉，可有效降解大部分有机物，耐化学腐蚀，因此在环境治理方面有很大的应用前景。其中，半导体卤氧化物BiOX(X＝Cl，Br或I)系列化合物具有四方晶系的氟氯铅矿结构，可作为光催化剂、铁电材料、光致发光材料，有着广阔的应用前景，是当前国内外的研究热点之一.BiOCl的带隙为3.5eV，能够有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铋氧氯单晶制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、配置铋氧氯溶液；步骤二、加入浓盐酸；步骤三、放入反应釜利用水热法合成铋氧氯单晶。

【技术特征摘要】
1.一种铋氧氯单晶制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、配置铋氧氯溶液；步骤二、加入浓盐酸；步骤三、放入反应釜利用水热法合成铋氧氯单晶。2.如权利要求1所述的一种铋氧氯单晶制备方法，其特征在于：所述步骤一种，使用五水合硝酸铋作为铋源，溶于去离子水/醇中，铋氧氯溶液浓度为0.0625mol/L。3.如权利要求1所述的一种铋氧氯单晶制备方法，其特征在于：向配置好的铋氧氯溶液中滴加浓度为36％的浓盐酸，直至溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝维昌，崔丹丹，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：北京,11