一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法技术

本发明专利技术公开了一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法，本方法能够使得4G通信基站用集束信号电缆的物理机械性能强度高、阻燃性好、耐高低温性能好、信号传输衰减随温度变化小的情况下，减少锡液的使用量，并且保持表面光滑，减少凹凸点。

A 4G cluster signal cable weave shielding layer vertical tin immersion method

The invention discloses a 4G cluster signal cable braided shielding layer vertical dipping method, this method can make the 4G communication base station of physical and mechanical properties of high strength cluster signal cable, flame retardant, high temperature resistant, good signal transmission attenuation changes with temperature under the condition of small, reduce the use amount of tin and liquid. Keep the surface smooth, convex concave point reduction.

【技术实现步骤摘要】
一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法
本专利技术涉及一种通信信号电缆，尤其是涉及一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法。
技术介绍
随着4G通信技术的全面加快发展，4G基站的建设范围及数量也在不断的扩大与展开，用于连接传输信号的射频同轴线缆需求量不断增加的同时，对于电缆传输性能及安全性能的问题也随之增加；如基站机房内通信设备与天线间连接的集束同轴电缆，在要求保证良好的信号传输性能同时，还需要保证可靠的耐抗环境气候性及防火性。传统的信号电缆在屏蔽层上面使用的是编织网屏蔽体结构，存在着屏蔽效果不理想，物理机械强度低，安装使用效果差。现有的无缝隙浸锡屏蔽体层是将编织好编织屏蔽层的电缆线芯平行浸过纯度为99.99％锡块通过高温融化成液状物后形成的锡液，让液体自然粘附在编织屏蔽层的编织网表面，形成锡纯度为99.99％的浸锡层，形成一个无缝隙浸锡屏蔽体层，而浸锡屏蔽体层会有凹凸不平的问题。
技术实现思路
本专利技术为解决现有4G通信基站用屏蔽集束信号电缆存在信号衰减随温度变化大，物理机械强度低，阻燃性差，浸锡屏蔽体层会有凹凸不平的问题等现状而提供一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法。本专利技术为解决上述技术问题所采用的具体技术方案为：一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法，包括如下步骤：步骤1.将纯度为99.99％锡块通过高温融化成液状物后形成的锡液待编织屏蔽层通过；步骤2.将编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液后垂直上升固化，多余的锡液由于重力的作用流入锡液池；步骤3.让液体自然粘附在编织屏蔽层的编织网表面，形成锡纯度为99.99％的浸锡层，形成一个无缝隙浸锡屏蔽体层，提高电缆线芯抗电磁干扰性。优选的，在编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液之前或之后，伸缩编织屏蔽层，使得50±10次/分钟。优选的，在编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液时，编织屏蔽层经过锡液池的速度为50±10米/分钟。优选的，所述的步骤2中，将编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液后垂直上升固化时，是在锡液池中或者经过锡液池后进行平行转垂直运行轨迹。本专利技术的有益效果是：一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法，本方法能够使得4G通信基站用集束信号电缆的物理机械性能强度高、阻燃性好、耐高低温性能好、信号传输衰减随温度变化小的情况下，减少锡液的使用量，并且保持表面光滑，减少凹凸点。附图说明图1是本专利技术4G通信基站用集束信号电缆的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步的详细说明:图1所示的实施例中，一种4G通信基站用集束信号电缆，包括多根电缆线芯，所述电缆线芯包括内导体层1、绝缘层2、浸锡屏蔽体层、内护套层5，绝缘层2包覆在内导体层1外面，内导体层采用单根镀银铜导体，缆芯内导体直流电阻更小，所述绝缘层采用聚四氟乙烯材质挤包于内导体层1表面上，绝缘层外包覆有浸锡屏蔽体层，所述浸锡屏蔽体层包括编织屏蔽层3和浸锡层4，编织好编织屏蔽层3的电缆线芯浸过纯度为99.99％锡块通过高温融化成液状物后形成的锡液，让液体自然粘附在编织屏蔽层的编织网表面，形成锡纯度为99.99％的浸锡层，形成一个无缝隙浸锡屏蔽体层，提高电缆线芯抗电磁干扰性。在编织屏蔽层表面形成浸锡层4，浸锡屏蔽体层外表面挤包一层内护套层5，形成单根电缆线芯内护套，对浸锡屏蔽体层和绝缘层进行更有效保护；在多根电缆线芯组成的信号电缆集束外表面绕制有共同的聚全氟乙丙烯材质绕包层6，绕包层外表面设有聚全氟乙炳烯材质的外护套层7。内外护套其具备良好的机构物理性，阻燃性，阻水性，耐气候性及耐腐蚀性等特点。产品长期使用在温度范围为-90℃至200℃时，其缆芯相关物理结构特性能，电气性能，传输性能不发生变化。具有在高低温环境中传输衰减值小，传输速率高，传输性能稳定可靠，易于安装等特点。编织屏蔽层采用编织密度大于90％的镀锡铜编织网，编织屏蔽层360度包覆于每根电缆线芯的绝缘层表面上，提高整体屏蔽效果，同时有利于集束信号电缆与终端设备连接处理。一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法，包括如下步骤：步骤1.将纯度为99.99％锡块通过高温融化成液状物后形成的锡液待编织屏蔽层通过；步骤2.将编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液后垂直上升固化，多余的锡液由于重力的作用流入锡液池；步骤3.让液体自然粘附在编织屏蔽层的编织网表面，形成锡纯度为99.99％的浸锡层，形成一个无缝隙浸锡屏蔽体层，提高电缆线芯抗电磁干扰性。在编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液之前或之后，伸缩编织屏蔽层，使得50±10次/分钟。在编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液时，编织屏蔽层经过锡液池的速度为50±10米/分钟。所述的步骤2中，将编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液后垂直上升固化时，是在锡液池中或者经过锡液池后进行平行转垂直运行轨迹。本专利技术线缆传输速率在70％左右，在频率6GHz时测试其最大衰减值小于0.81dB/m，介电强度DC,7.5KV，1min不击穿，具备优异的阻燃性,绝缘电阻≥15000MΩ.km，特性阻抗在200MHz满足50±2Ω。以上内容和结构描述了本专利技术产品的基本原理、主要特征和本专利技术的优点，本行业的技术人员应该了解。上述实例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都属于要求保护的本专利技术范围之内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1.将纯度为99.99％锡块通过高温融化成液状物后形成的锡液待编织屏蔽层通过；步骤2.将编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液后垂直上升固化，多余的锡液由于重力的作用流入锡液池；步骤3.让液体自然粘附在编织屏蔽层的编织网表面，形成锡纯度为99.99％的浸锡层，形成一个无缝隙浸锡屏蔽体层，提高电缆线芯抗电磁干扰性。

【技术特征摘要】
1.一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1.将纯度为99.99％锡块通过高温融化成液状物后形成的锡液待编织屏蔽层通过；步骤2.将编织好编织屏蔽层的电缆线芯浸过锡液后垂直上升固化，多余的锡液由于重力的作用流入锡液池；步骤3.让液体自然粘附在编织屏蔽层的编织网表面，形成锡纯度为99.99％的浸锡层，形成一个无缝隙浸锡屏蔽体层，提高电缆线芯抗电磁干扰性。2.按照权利要求1所述的一种4G集束信号电缆编织屏蔽层垂直浸锡方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤代兵，
申请(专利权)人：汤代兵，
类型：发明
国别省市：湖北,42