光调制器模块制造技术

本发明专利技术提供一种光调制器模块，减轻从光调制器模块的壳体内的钎料产生锡而向电极间进行气相输送，在电极间进行析出生长从而引起偏压稳定的劣化的问题。光调制器模块具备：波导基板，形成有光波导和用于控制在光波导中传播的光波的控制电极(信号电极、DC偏压电极等)；中继基板，配置在波导基板的附近，并形成有对控制电极(DC偏压电极)供给DC偏压的DC偏压配线；及壳体，收容波导基板和中继基板，其中，在DC偏压配线的局部设置有从中继基板向比波导基板的上表面高的位置立起的天线，天线配置在距壳体内的任一个钎料使用部位为10mm以内的位置。

【技术实现步骤摘要】
光调制器模块
本专利技术涉及光调制器模块，尤其是涉及具备波导基板、配置在该波导基板的附近的中继基板、以及收容该波导基板和该中继基板的壳体的光调制器模块。
技术介绍
在使用电子配线的业界中，已知有锡(Sn)晶须伴随时间而缓慢生长，不久之后与印制配线基板上的端子接触而引起短路事故的情况。到21世纪00年代前半之前向锡添加铅来抑制晶须的发生，但是目前由于RoHS(RestrictiononHazardousSubstances：限制有害物质)等电子设备的环境对应而使用了以无铅的钎料为首的无铅的原料，由晶须引起的短路再次成为问题。在将铌酸锂(LiNbO3)使用于波导基板的LN光调制器中，会产生以金锡钎料含有的锡为起因的其他的问题。从连接器与壳体的连接部、光纤与壳体的密封连接部等的钎料，将锡向LN光调制器的电极间进行气相输送，在电极间进行析出生长，引起偏压稳定的劣化。除了无铅化之外，DP-BPSK(DualPolarization-BinaryPhaseShiftKeying：双极化二进制相移键控)调制器或DP-QPSK(DualPolarization-QuadraturePhaseShiftKeying：双极化正交相移键控)调制器等的电气配线部的增大、壳体内部的自由空间的缩窄、调制器内部的集成密度的上升等成为原因。进而，在双波长对应DP-QPSK中，除了电气配线数之外，与光纤连接的连接数也倍增，因此此问题变得特别显著。另外，在DP-BPSK调制器或DP-QPSK调制器等极化复用方式的光调制器模块中，在各调制器的光波导输出端口与光纤的连接中，通常不是进行对接而是进行透镜耦合。而且，在极化复用所使用的光学部件或透镜耦合的构造的模块中，为了防止由颗粒引起的光轴遮挡所产生的突发差错，而进行清洁的环境下的模块组装。而且，为了防止由于雾、溶胶等被气相输送的物质的向光波导端面的附着或烧结所引起的光透过特性的逐年劣化(光损失的增大)，而使用将各部件徹底地清洗，而且密封有干燥氮的壳体构造。在本说明书中，将颗粒、雾、溶胶等的处于气体的状态的物质或浮游在空间内而被输送的物质总称为“气相输送物质”。另外，近年来，下述(1)～(3)不断发展。(1)由壳体的小型化引起的壳体内部空间的大幅减少(2)高度集成化造成的部件个数的增多引起的成为气相输送物质的起源的材料和构件的增多(3)传输距离延长、OSNR(OpticalSignaltoNoiseRatio；光信噪比)改善用的光量的增多因此，颗粒与光轴会合的概率显著地增大，由光轴遮挡引起的突发差错成为深刻的问题。而且，由于气相输送物质的显著的增多，它们的附着或烧结引起的光透过特性的逐年劣化(光损失的增大)也变得显著。此外，由于光量的增多，即使气相输送物质不接近光波导端，但是仅在光轴上穿过就会被激光捕获，固定在光轴上或者附着或烧结于波导端面的情况也变得显著。另外，LN结晶自身具有强的热电效应，由于温度变化而结晶表面较强地带电。即，带电的气相输送物质具有容易被LN结晶表面吸引的特性。在LN光调制器的基板上，为了确保动作稳定性，除了具有光波导的端部的面(波导端部面)之外，通常还形成有带电防止膜或金属膜等导电膜(例如，参照专利文献1、2)。另一方面，虽然在波导端部面上存在形成反射防止膜的情况，但是大多数的情况下为裸露，未形成导电膜。因此，带电的颗粒等容易被波导端部面吸引。尤其是在温度环境变化激烈的环境下使用时(例如，RoF(RadiooverFiber：光纤无线电)系统、车载NW(网络)等)，LN结晶带电是深刻的问题。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开昭62-173428号公报【专利文献2】日本特开2003-172839号公报
技术实现思路
【专利技术的概要】【专利技术要解决的课题】本专利技术要解决的课题在于减轻从光调制器模块的壳体内的钎料(连接器与壳体的连接部、光纤与壳体的密封连接部等的钎料)产生锡而向电极间进行气相输送，在电极间进行析出生长，引起偏压稳定的劣化的问题。【用于解决课题的方案】为了解决上述课题，本专利技术的光调制器模块具有以下的技术特征。(1)一种光调制器模块，具备：波导基板，形成有光波导和用于控制在该光波导中传播的光波的控制电极；中继基板，配置在该波导基板的附近，并形成有对该控制电极供给DC偏压的DC偏压配线；及壳体，收容该波导基板和该中继基板，所述光调制器模块的特征在于，在该DC偏压配线的局部设置有从该中继基板向比该波导基板的上表面高的位置立起的天线，该天线配置在距该壳体内的任一个钎料使用部位为10mm以内的位置。(2)在上述(1)记载的光调制器模块中，其特征在于，该天线兼用作将该DC偏压配线与该波导基板上的该控制电极的配线电连接的点到点连接配线(空中配線)。(3)在上述(1)或(2)记载的光调制器模块中，其特征在于，该天线设置在该DC偏压配线的正极线和负极线这两方。(4)在上述(1)至(3)中任一记载的光调制器模块中，其特征在于，该天线的表面积为9400μm2以上。(5)在上述(1)至(4)中任一记载的光调制器模块中，该天线未被包覆。(6)在上述(1)至(5)中任一记载的光调制器模块中，该DC偏压为20V以上。(7)在上述(1)至(6)中任一记载的光调制器模块中，在该波导基板和该中继基板中的至少一个基板钎焊连接有对气相输送物质进行吸附的吸气材料。(8)在上述(1)至(6)中任一记载的光调制器模块中，该DC偏压配线具有分支线。【专利技术效果】本专利技术的光调制器模块具备：波导基板，形成有光波导和用于控制在该光波导中传播的光波的控制电极；中继基板，配置在该波导基板的附近，并形成有对该控制电极供给DC偏压的DC偏压配线；及壳体，收容该波导基板和该中继基板，其中，在该DC偏压配线的局部设置有从该中继基板向比该波导基板的上表面高的位置立起的天线，该天线配置在距该壳体内的任一个钎料使用部位为10mm以内的位置，因此，能够减轻从光调制器模块的壳体内的钎料产生锡而向电极间进行气相输送，在电极间进行析出生长从而引起偏压稳定的劣化的问题。附图说明图1是表示本专利技术的光调制器模块的实施例的俯视图。图2是波导基板与中继基板的连接部分的放大图。图3是表示在DC偏压配线的局部设置的天线的例子的图。图4是表示在DC偏压配线的局部设置的天线的另一例的图。【标号说明】1壳体2波导基板3、4中继基板6、7金属丝21光波导22DC偏压配线24吸气材料25信号电极26、27DC偏压电极42DC偏压配线43分支线44吸气材料具体实施方式以下，详细说明本专利技术的光调制器模块。如图1、图2所示，本专利技术的光调制器模块具备：波导基板2，形成有光波导21和用于控制在该光波导21中传播的光波的控制电极(信号电极25、DC偏压电极26、27等)；中继基板4，配置在该波导基板2的附近，并形成有对该控制电极(DC偏压电极26、27)供给DC偏压的DC偏压配线42；及壳体1，收容该波导基板2和该中继基板4，所述光调制器模块的特征在于，在该DC偏压配线42的局部设置有从该中继基板4向比该波导基板2的上表面高的位置立起的天线6，该天线6配置在距该壳体1内的任一个钎料使用部位为10mm以内的位置。图1是表示本专利技术的光调制器模块的实施例的俯视图。光调制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光调制器模块，具备：波导基板，形成有光波导和用于控制在所述光波导中传播的光波的控制电极；中继基板，配置在所述波导基板的附近，并形成有对所述控制电极供给DC偏压的DC偏压配线；及壳体，收容所述波导基板和所述中继基板，所述光调制器模块的特征在于，在所述DC偏压配线的局部设置有从所述中继基板向比所述波导基板的上表面高的位置立起的天线，所述天线配置在距所述壳体内的任一个钎料使用部位为10mm以内的位置。

【技术特征摘要】
2016.09.30 JP 2016-1947501.一种光调制器模块，具备：波导基板，形成有光波导和用于控制在所述光波导中传播的光波的控制电极；中继基板，配置在所述波导基板的附近，并形成有对所述控制电极供给DC偏压的DC偏压配线；及壳体，收容所述波导基板和所述中继基板，所述光调制器模块的特征在于，在所述DC偏压配线的局部设置有从所述中继基板向比所述波导基板的上表面高的位置立起的天线，所述天线配置在距所述壳体内的任一个钎料使用部位为10mm以内的位置。2.根据权利要求1所述的光调制器模块，其特征在于，所述天线兼用作将所述DC偏压配线与所述波导基板上的所述控制电极的配线电连接的...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂井猛，市川润一郎，
申请(专利权)人：住友大阪水泥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP