电气特性测试方法技术

本发明专利技术公开了一种电气特性测试方法，应用于显示面板，所述显示面板的像素补偿电路包括多个薄膜晶体管，所述方法包括：去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层；使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作；使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试。本发明专利技术的电气特性测试方法，可以使得探针更精准地接触到显示区域内的金属层，方便对密集阵列显示区域内的薄膜晶体管器件进行电气特性测试与评价，还可以避免其他薄膜晶体管带来的漏电，影响测试结果。

【技术实现步骤摘要】
电气特性测试方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种应用于显示面板的电气特性测试方法。
技术介绍
在显示领域，有源矩阵有机发光二极体(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，AMOLED)具有宽广的色域、高的对比度、节能且可折叠等优点，在新一代显示技术中是最具竞争力的技术之一。目前，AMOLED的驱动电路大多具有7T1C结构(即像素补偿电路中包括7个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)和1个电容的结构)，该结构的电路可以有效地进行像素补偿，还可以有效地补偿驱动(Drive)TFT的阈值电压，从而改善画质。但是，相较于具有1T1C结构的液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)的驱动电路，AMOLED的驱动电路存在结构复杂、有限的空间内的TFT个数较多、连接关系复杂、而且金属裸露面积过小的问题，如此会导致对显示区域内的TFT器件(如DriveTFT)进行电气特性测试较为困难。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种用于测量显示面板的像素补偿电路的电气特性测试方法，其可以使得探针更精准地接触到显示区域内的金属层，方便对密集阵列显示区域内的薄膜晶体管器件进行电气特性测试与评价，还可以避免其他薄膜晶体管带来的漏电，影响测试结果。本专利技术实施例提供了一种电气特性测试方法，用于测量显示面板的像素补偿电路，所述显示面板的像素补偿电路包括多个薄膜晶体管，所述电气特性测试方法包括：去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层；使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作；使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，其中，所述探测位置至少包括第一探测位置、第二探测位置和第三探测位置；其中，所述第一探测位置和所述第二探测位置分别用于为所述待测薄膜晶体管的栅极和漏极提供电压，所述第三探测位置用于为发光信号线提供电压，所述发光信号线用于提供发光信号，所述发光信号为使得像素发光的开启信号。其中，所述去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，包括：对所述待测薄膜晶体管进行加热操作；当进行加热操作时，将浓酸滴在需要除膜的区域；使用超声清洗仪对所述薄膜晶体管进行清洗操作，去除位于所述待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，所述膜层包括有机膜层和/或无机膜层。其中，所述对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，包括：在加热板上对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，所述加热操作的温度为180℃，所述加热操作的时间为25至30分钟。其中，所述浓酸包括浓硝酸。其中，所述清洗操作的温度为80℃，所述清洗操作的时间为10分钟。其中，所述第一激光的波长为1064nm。其中，所述使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：使用第一探针、第二探针、第三探针和第四探针分别扎入所述第一探测位置、所述第二探测位置、所述第三探测位置和第四探测位置，其中，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压；向所述第一探针施加第一循环电压，向所述第二探针施加第一电压，向所述第三探针施加第一负压，以及向所述第四探针施加第二电压，得到第一电气特性曲线；向所述第一探针施加所述第一循环电压，向所述第二探针施加第三电压，向所述第三探针施加所述第一负压，以及向所述第四探针施加所述第二电压，得到第二电气特性曲线；通过对比所述第一电气特性曲线和所述第二电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管的电气特性。其中，所述电气特性测试方法还包括：在第四探测位置，使用第二激光对所述待测薄膜晶体管的栅极走线与所述待测薄膜晶体管的源极走线进行焊接操作，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压。其中，所述第二激光的波长为532nm。其中，所述使用探针扎入探测位置，并通过向所述探针施加预设电压，对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：使用第一探针、第二探针和第三探针分别扎入所述第一探测位置、所述第二探测位置和所述第三探测位置；向所述第一探针施加第二循环电压，向所述第三探针施加第二负压，向所述第二探针施加第三负压，得到第三电气特性曲线，其中，所述第三负压小于所述第二负压；向所述第一探针施加所述第二循环电压，向所述第三探针施加所述第二负压，向所述第二探针施加第四负压，得到第四电气特性曲线，其中，所述第四负压小于所述第二负压；通过对比所述第三电气特性曲线和所述第四电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管的电气特性。本专利技术实施例通过去除金属层上多余的有机膜层和/或无机膜层，可以使得探针更精准地接触到显示区域内的金属层，方便对密集阵列显示区域内的薄膜晶体管器件进行电气特性测试与评价；此外，通过激光切割，本专利技术实施例的电气特性测试方法还可以避免其他薄膜晶体管带来的漏电，影响测试结果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的应用于显示面板的电气特性测试方法的示意流程图。图2为本专利技术实施例提供的像素补偿电路的电路示意图。图3为本专利技术实施例提供的探针所接触位置的俯视示意图。图4为本专利技术实施例提供的除膜前探针所接触位置的截面示意图。图5为本专利技术实施例提供的除膜后探针所接触位置的截面示意图。图6为本专利技术实施例提供的激光切割位置示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式是本专利技术的一部分实施方式，而不是全部实施方式。基在本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都应属在本专利技术保护的范围。此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本专利技术，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。若本说明书中出现“工序”的用语，其不仅是指独立的工序，在与其它工序无法明确区域别时，只要能实现所述工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外，本说明书中用“～”表示的数值范围是指将“～”前后记载的数值本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电气特性测试方法，用于测量显示面板的像素补偿电路，所述显示面板的像素补偿电路包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述电气特性测试方法包括：去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层；使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作；使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，其中，所述探测位置至少包括第一探测位置、第二探测位置和第三探测位置；其中，所述第一探测位置和所述第二探测位置分别用于为所述待测薄膜晶体管的栅极和漏极提供电压，所述第三探测位置用于为发光信号线提供电压，所述发光信号线用于提供发光信号，所述发光信号为使得像素发光的开启信号。

【技术特征摘要】
1.一种电气特性测试方法，用于测量显示面板的像素补偿电路，所述显示面板的像素补偿电路包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述电气特性测试方法包括：去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层；使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作；使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，其中，所述探测位置至少包括第一探测位置、第二探测位置和第三探测位置；其中，所述第一探测位置和所述第二探测位置分别用于为所述待测薄膜晶体管的栅极和漏极提供电压，所述第三探测位置用于为发光信号线提供电压，所述发光信号线用于提供发光信号，所述发光信号为使得像素发光的开启信号。2.如权利要求1所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，包括：对所述待测薄膜晶体管进行加热操作；当进行加热操作时，将浓酸滴在需要除膜的区域；使用超声清洗仪对所述薄膜晶体管进行清洗操作，去除位于所述待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，所述膜层包括有机膜层和/或无机膜层。3.如权利要求2所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，包括：在加热板上对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，所述加热操作的温度为180℃，所述加热操作的时间为25至30分钟。4.如权利要求2所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述浓酸包括浓硝酸。5.如权利要求2所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述清洗操作的温度为80℃，所述清洗操作的时间为10分钟。6.如权利要求1所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述第一激光的波长为1064nm。7.如权利要求1至6任一项所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述使用探针...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕林鸿，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42