光伏电池片及相应的网版与方阻和/或接触电阻率的测量方法技术

本发明专利技术提供了一种光伏电池片及相应的网版与方阻和/或接触电阻率的测量方法，涉及光伏电池技术领域，该用于测量金属‑半导体接触电阻率的光伏电池片，光伏电池片表面包括M个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由N条矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；其中，M≥2；N≥3。利用该光伏电池片测试方阻和接触电阻率能够现有技术中利用TLM测试样品测试电池的方阻和接触电阻率不够准确的技术问题，达到提高测试准确度的效果。

Measurement of resistivity of photovoltaic cells and corresponding net plates and resistance to square and / or contact

The present invention provides a method for measuring the photovoltaic cell and the screen and the corresponding resistance and / or contact resistivity, relates to the technical field of photovoltaic cells, photovoltaic cell for the measurement of metal semiconductor contact resistivity photovoltaic cell surface, including M from the inside to the outside of the test area, by a group of N a rectangular electrode in spaced parallel arrangement of the test electrode disposed at least each test area; wherein, M = 2; N = 3. Using this PV cell chip to test square resistance and contact resistance, it is possible to use TLM to test samples in existing technology to test the technical problems of battery's square resistance and contact resistivity, which is not accurate enough, so as to improve the accuracy of the test.

【技术实现步骤摘要】
光伏电池片及相应的网版与方阻和/或接触电阻率的测量方法
本专利技术涉及光伏电池
，尤其是涉及一种光伏电池片及相应的网版与方阻和/或接触电阻率的测量方法。
技术介绍
太阳电池工艺中，在印刷浆料后会进行烧结工艺，烧结的主要目的一是去除浆料中的水分，使浆料固化，凝结成低电阻率的金属电极；二是使电极与半导体硅片形成良好的欧姆接触，降低电池的填充因子损失，提高电池的效率。通常评判电极与半导体硅片接触好坏的方式是测量它们的接触电阻率，接触电阻率越小，电池的性能越优良。接触电阻率一般与浆料成分、烧结温度等有关，准确测量接触电阻率有利于帮助太阳能电池生产企业优化浆料成分与烧结温度，以降低接触电阻，提高电池片的填充因子，最终达到提高电池片效率的目的。当前测试接触电阻率的主要方法是传输线法(TLM方法)，它是通过在硅片上印刷特殊电极的方法制作电池片，其电极结构如图1所示，包括一系列间距不同的平行且间隔设置的矩形电极。测试步骤一般为：i)依次测量相邻矩形电极之间的间距L，分别记为L12，L23，……，L(n-1)n，并测试相邻矩形电极之间的电阻R，分别记为R12，R23，……，L(N-1)N，以及测试电极长度W；ii)以L为横坐标，R为纵坐标做图，线性拟合得到拟合直线，进而得到拟合直线的斜率A和截距B；3)根据接触电阻率的计算公式得到ρc＝(A*W/2)2*W2/Rsheet。但是根据电池片的实际性能测试来看，TLM方法得到的测试结果只能反映电极位置处的接触水平，不能反映整个电池片的平均接触水平。有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，以缓解现有技术中利用TLM测试样品测试电池的方阻和接触电阻率不够准确的技术问题。本专利技术的第二目的在于提供一种网版，用于制备上述光伏电池片。本专利技术的第三目的在于提供一种方阻和/或接触电阻率的测量方法，用该方法测试得到方阻和接触电阻率更准确。为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，所述光伏电池片表面包括M个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由N条矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；其中，M≥2；N≥3。进一步的，所述M个测试区域由内至外依次相邻设置，第一个测试区域为口字形组成的测试区域，第二个测试区域至第M个测试区域均为回字形组成的环形的测试区域。进一步的，所述M个测试区域的面积相等。进一步的，所述M个测试区域的边缘轮廓为正方形。进一步的，第m个测试区域的外边框的边长为其中，Lc为光伏电池片的边长。进一步的，不同测试区域内的测试电极至少以所述光伏电池片的一条对称轴对称设置。进一步的，所述矩形电极的宽度为0.1-2mm；优选地，所述矩形电极的长度小于所述测试区域的边界；优选地，所述矩形电极的间距为0.2-100mm；优选地，所述矩形电极的间距之差为0.2-20mm；优选地，所述矩形电极的数量为4-20。一种网版，所述网版的印刷图形与上述光伏电池片的图形相匹配。一种方阻和/或接触电阻率的测量方法，利用上述光伏电池片中的测试电极分别测量每个对应测试区域内的方阻和/或接触电阻率，测量后取平均值得到光伏电池片的方阻和/或接触电阻率；或，利用权利要求1-7任一项中的测试电极分别测量每个对应测试区域内的接触电阻率，然后利用公式M/ρc＝1/ρc1+1/ρc2+1/ρc3+1/ρc4+……1/ρcM，计算得到整片电池片的接触电阻率ρc，ρc1、ρc2、ρc3、ρc4、……ρcM分别对应每个测试区域的平均接触电阻率。进一步的，测试前将每组测试电极对应的区域用激光切片的方法沿矩形电极的长度方向的边缘切开，然后再进行方阻和/或接触电阻率的测量。与已有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：采用TLM方法制备测试样品时，只是在硅片的中心位置印刷一组测试电极，由于在扩散工序中晶舟的位置关系，硅片中心接触掺杂源少，扩散方阻高；硅片边缘接触掺杂源多，扩散方阻低，因此整个硅片存在扩散不均的现象，导致不同的位置方阻不同，电池片不同位置的方阻和接触电阻率差异性较大，因此，利用目前的TLM测试样品得到的方阻和接触电阻率并不能代表整个电池片的方阻和接触电阻率的真实值。而本专利技术中的光伏电池片，通过设置M个由内向外设置的测试区域，使不同测试区域包含了不同的扩散浓度的区域，从而可以在多个不同扩散浓度的区域内进行测量，最后取平均值得到的方阻和接触电阻率更能真实表征整个光伏电池片的方阻和金属-半导体之间的接触电阻率，从而提高了数据的真实性，对于指导实际生产和选择原材料更具有参考价值。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为TLM测试方法所用的光伏电池片的结构示意图；图2为本专利技术实施例1提供的光伏电池片的结构示意图；图3为本专利技术实施例2提供的光伏电池片的结构示意图；图4为本专利技术实施例3提供的光伏电池片的结构示意图；图5为本专利技术实施例5提供的光伏电池片的结构示意图。图标：1-光伏电池片；2-测试电极。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本专利技术的一个方面提供了一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，所述光伏电池片表面包括M个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由N条矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；其中，M≥2；N≥3。采用TLM方法制备测试样品时，只是在硅片的中心位置印刷一组测试电极，由于在扩散工序中晶舟的位置关系，硅片中心接触掺杂源少，扩散方阻高；硅片边缘接触掺杂源多，扩散方阻低，因此整个硅片存在扩散不均的现象，导致不同的位置方阻不同，电池片不同位置的方阻和接触电阻率差异性较大，因此，利用目前的TLM测试样品得到的方阻和接触电阻率并不能代表整个电池片的方阻和接触电阻率的真实值。而本专利技术中的光伏电池片，通过设置M个由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测量金属‑半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述光伏电池片表面包括M个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由N条矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；其中，M≥2；N≥3。

【技术特征摘要】
1.一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述光伏电池片表面包括M个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由N条矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；其中，M≥2；N≥3。2.根据权利要求1所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述M个测试区域由内至外依次相邻设置，第一个测试区域为口字形组成的测试区域，第二个测试区域至第M个测试区域均为回字形组成的环形的测试区域。3.根据权利要求2所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述M个测试区域的面积相等。4.根据权利要求3所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述M个测试区域的边缘轮廓为正方形。5.根据权利要求4所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，第m个测试区域的外边框的边长为其中，Lc为光伏电池片的边长。6.根据权利要求1-5任一项所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，不同测试区域内的测试电极至少以所述光伏电池片的一条对称轴对称设置。7.根据权利要求1-5任一项所述的用于测量金属-半导体接触电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李硕，王栩生，蒋方丹，邢国强，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯阳光电力集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32