一种齐纳触发的门极换流晶闸管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种齐纳触发的门极换流晶闸管，包括门极换流晶闸管本体，所述门极换流晶闸管本体包括P‑sub基区、门极N基区、P+阳极区、P缓冲区、N+阴极区，所述P‑sub基区上设有ZP区，所述ZP区上设有N+区，且N+区和门极N基区电性连接至门极端口Gate，所述ZP区与N+区形成齐纳二极管Dz，所述P+阳极区电性连接至阳极端口Anode，所述P‑sub基区下方设有P缓冲区，所述P缓冲区下方设有N+阴极区以及与齐纳二极管Dz相接触的P+接触区。本实用新型专利技术经济实用，利用齐纳二极管击穿产生巨大的反向电流，采用电压控制来替换额外的门极强脉冲电流产生电路，大大减小了外电路的寄生电感，使得开通延迟时间明显缩短，提高了di/dt耐量。

A gate commutated thyristor triggered by zener

The utility model discloses a zener triggered gate commutated thyristor, including gate commutated thyristor body, wherein the gate commutated thyristor P sub body comprises a base, a gate N base region, P+ region, P anode buffer, N+ cathode region, the the P sub base is arranged on the ZP area, the ZP area is arranged on the N+ area, and the N+ region and the gate of N base region is electrically connected to the gate port Gate, the ZP and N+ regions formed Dz zener diode, the P+ anode is electrically connected to the anode port Anode below the P sub base with P buffer, P+ under the contact area of the P buffer with N+ cathode region and zener diode Dz contact. The utility model has great use of reverse current zener diode breakdown, the voltage control to replace the additional gate pulse current generating circuit, greatly reducing the parasitic inductance of the external circuit, the opening delay time is shortened obviously, improve the di/dt tolerance.

【技术实现步骤摘要】
一种齐纳触发的门极换流晶闸管
本技术涉及门极换流晶闸管
，尤其涉及一种齐纳触发的门极换流晶闸管。
技术介绍
晶闸管是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，随着科技学技术的不断发展，晶闸管的种类变得越来越齐全，例如门极换流晶闸管就是晶闸管的派生器件，现有的门极换流晶闸管，需要外加的门极驱动器产生强电流脉冲来触发导通，门极驱动电路复杂，会增加门极电感，限制了开通过程中di/dt耐量。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种齐纳触发的门极换流晶闸管。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种齐纳触发的门极换流晶闸管，包括门极换流晶闸管本体，所述门极换流晶闸管本体包括P-sub基区、门极N基区、P+阳极区、P缓冲区、N+阴极区，所述P-sub基区上设有ZP区，所述ZP区上设有N+区，且N+区和门极N基区电性连接至门极端口Gate，所述ZP区与N+区形成齐纳二极管Dz，所述P+阳极区电性连接至阳极端口Anode，所述P-sub基区下方设有P缓冲区，所述P缓冲区下方设有N+阴极区以及与齐纳二极管Dz相接触的P+接触区，且P+接触区和N+阴极区电性相连接至接地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种齐纳触发的门极换流晶闸管，包括门极换流晶闸管本体，所述门极换流晶闸管本体包括P‑sub基区(1)、门极N基区(2)、P+阳极区(3)、P缓冲区(9)、N+阴极区(11)，其特征在于，所述P‑sub基区(1)上设有ZP区(5)，所述ZP区(5)上设有N+区(6)，且N+区(6)和门极N基区(2)电性连接至门极端口Gate(8)，所述ZP区(5)与N+区(6)形成齐纳二极管Dz(7)，所述P+阳极区(3)电性连接至阳极端口Anode(4)，所述P‑sub基区(1)下方设有P缓冲区(9)，所述P缓冲区(9)下方设有N+阴极区(11)和P+接触区(10)，且P+接触区(10)和N+阴极区(11)电...

【技术特征摘要】
1.一种齐纳触发的门极换流晶闸管，包括门极换流晶闸管本体，所述门极换流晶闸管本体包括P-sub基区(1)、门极N基区(2)、P+阳极区(3)、P缓冲区(9)、N+阴极区(11)，其特征在于，所述P-sub基区(1)上设有ZP区(5)，所述ZP区(5)上设有N+区(6)，且N+区(6)和门极N基区(2)电性连接至门极端口Gate(8)，所述ZP区(5)与N+区(6)形成齐纳二极管Dz(7)，所述P+阳极区(3)电性连接至阳极端口Anode(4)，所述P-sub基区(1)下方设有P缓冲区(9)，所述P缓冲区(9)下方设有N+阴极区(...

【专利技术属性】
技术研发人员：高秀秀，高耿辉，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，大连连顺电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35