用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的荫罩技术

本发明专利技术涉及一种用于制造金属荫罩的方法和荫罩，并且涉及一种用于制造具有其上形成的掩膜图案的荫罩的方法，本主题为用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的荫罩，用于制造荫罩的方法包括：用于在基底的上侧上照射激光束的激光加工步骤，由此在基底上形成激光加工图案；以及用于在其中形成激光加工的图案的基底的下侧或者上侧上执行湿法蚀刻的湿法蚀刻步骤，由此形成对激光加工的图案的延续的湿法蚀刻的图案。因此，激光加工和湿法蚀刻被混合使用，并且因此解决了由于传统激光加工工艺导致的生产力恶化问题，并且示出了能够借助于湿法蚀刻提供高质量荫罩的效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的荫罩
本专利技术一般地涉及制造金属荫罩的方法和由该方法制造的荫罩。更具体地，本专利技术涉及制造金属荫罩的方法以及由该方法制造的荫罩，其中包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工被用于形成荫罩上的包括湿法刻蚀的图案和激光加工的图案的掩模图案。
技术介绍
金属掩模一般被用于在制造有机电致发光(EL)器件、有机半导体元件等时的真空沉积工艺。此类金属掩模具有三维(3D)结构，其具有多个圆形孔或锥形结构。通过将金属掩模布置在衬底上并且向该衬底的特定区域沉积期望图案的发光层来制造诸如有机EL器件的半导体元件。美国专利号5348825和5552662公开了用于制造金属掩模的常规湿法刻蚀方法，该方法包括制造荫罩的化学湿法刻蚀方法。应用于目前工业场所的荫罩是化学湿法刻蚀类型。下面参照图1对常规湿法刻蚀的简要说明进行描述。1.抗蚀剂涂覆：将光刻胶2涂覆在金属膜1的两个面上。2.图案涂覆：通过使用玻璃掩模图案3(或石英掩模)在光刻胶2上执行曝光工艺。3.显影：在玻璃掩模图案3(或石英掩模)转移到光刻胶2的上表面上之后，去除用于形成图案的玻璃掩模3并且通过执行显影工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造荫罩的方法，其中，混合加工被用于在所述荫罩上形成掩模图案，所述方法包括：通过从基底上方照射激光束而形成激光加工的图案；以及通过从其上形成有激光加工的图案的基底上方或从其上形成有激光加工的图案的基底下方执行湿法刻蚀而形成从所述激光加工的图案延续的湿法刻蚀的图案。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.10 KR 10-2015-01126091.一种制造荫罩的方法，其中，混合加工被用于在所述荫罩上形成掩模图案，所述方法包括：通过从基底上方照射激光束而形成激光加工的图案；以及通过从其上形成有激光加工的图案的基底上方或从其上形成有激光加工的图案的基底下方执行湿法刻蚀而形成从所述激光加工的图案延续的湿法刻蚀的图案。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成激光加工的图案包括：在基底上设置单元加工区域的第一步；在沿着从所述单元加工区域的第一边界至第二边界的第一扫描路径移动激光束的同时执行激光加工以在所述单元加工区域内形成所述激光加工的图案的一部分的第二步；将激光束转到下一个方向、将激光束移动一个步距并且在沿着第二扫描路径移动激光束的同时执行激光加工以在所述单元加工区域内形成所述激光加工的图案的另一部分的第三步；以及在沿着第n扫描路径移动激光束的同时重复所述第二步和第三步直到完成激光加工的第四步，从而在所述单元加工区域的整个区域上完成激光加工。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述形成激光加工的图案进一步包括：设置扫描路径中的每个的加工深度。4.根据权利要求3所述的方法，其中，由沿着扫描路径移动的激光束的重叠率来确定所述加工深度[重叠率＝{(激光束的尺寸-扫描节距)/激光束的尺寸}×100，扫描节距＝v/f，v：激光束与由操作部件操作的基底的相对速度，f：施加到基底的激光束源的脉冲频率]。5.根据权利要求3所述的方法，其中，由扫描路径的重叠数目来确定所述加工深度。6.根据权利要求3所述的方法，其中，通过设置针对每个扫描路径的激光束的强度、通过设置一个扫描路径内的激光束源中的每个脉冲的能量强度、或者通过设置上述两种的组合来确定所述加工深度。7.根据权利要求3所述的方法，其中，由以下各项中的两个或更多个的组合来确定所述加工深度：激光束的重叠率[重叠率＝{(激光束的尺寸-扫描节距)/激光束的尺寸}×100，扫描节距＝v/f，v：激光束与由操作部件操作的基底的相对速度，f：施加到基底的激光束源的脉冲频率]；扫描路径的重叠数目；以及针对每个扫描路径的激光束的强度的设置或针对激光束源中的每个脉冲的能量强度的设置。8.根据权利要求2所述的方法，其中，通过设置第一至第n扫描路径和第一至第m扫描路径来形成所述激光加工的图案，所述第一至第m扫描路径与所述第一至第n扫描路...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟甲，金宝蓝，许俊圭，金度勋，
申请(专利权)人：AP系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR