固体摄像装置和电子设备制造方法及图纸
Solid state camera and electronic equipment
The invention provides a solid-state camera and an electronic device. The solid-state imaging apparatus is constructed, with configuration on a semiconductor substrate by optical components, charge retention area and a floating diffusion region; first transmission door; and a second transmission gate, will be applied to the charge retention potential gradient region: through the first transmission gate from the light transmission element to maintain the signal charge area in charge the distribution of more than first second transmission side door multiple transmission.
【技术实现步骤摘要】
固体摄像装置和电子设备
本专利技术涉及固体摄像装置和使用该固体摄像装置的电子设备等。
技术介绍
以往，作为固体摄像装置，CCD是主流，但近年来，能够以低电压进行驱动并且还能够混载周边电路的CMOS传感器的发展显著。在CMOS传感器中，完成了基于完全传输技术和暗电流防止结构等的制造工艺的对策、基于CDS(correlateddoublesampling：相关双采样)等电路的对策等，如今，CMOS传感器正在成长为质与量均超越CCD的器件。CMOS传感器跃进的主要因素在于画质得到了很大改善，其中之一是存在电荷传输技术的改善。作为关联的技术，在专利文献1中公开了一种固体摄像装置，在该固体摄像装置中，排列多个能够实现信号电荷的完全传输的半导体元件作为像素，该固体摄像装置具有较高的空间分辨率。该半导体元件具有：第1导电型的半导体区域；第2导电型的受光用表面埋入区域，其埋入半导体区域的上部，入射光；第2导电型的电荷蓄积区域，其埋入半导体区域的上部，对由受光用表面埋入区域生成的信号电荷进行蓄积；电荷读出区域，其接收在电荷蓄积区域中蓄积的信号电荷；第1电位控制单元，其将信号电荷从受...
【技术保护点】
一种固体摄像装置，其构成为具有：配置在半导体衬底上的受光元件、电荷保持区域以及浮置扩散区域；第1传输门，其具有隔着栅绝缘膜配置在所述半导体衬底的所述受光元件与所述电荷保持区域之间的区域上的栅电极；以及第2传输门，其具有隔着栅绝缘膜配置在所述半导体衬底的所述电荷保持区域与所述浮置扩散区域之间的区域上的栅电极，所述固体摄像装置构成为将如下电势梯度施加给所述电荷保持区域：通过所述第1传输门从所述受光元件传输到所述电荷保持区域的信号电荷在所述第2传输门侧分布得比所述第1传输门侧多。
【技术特征摘要】
2016.09.20 JP 2016-1825181.一种固体摄像装置，其构成为具有：配置在半导体衬底上的受光元件、电荷保持区域以及浮置扩散区域；第1传输门，其具有隔着栅绝缘膜配置在所述半导体衬底的所述受光元件与所述电荷保持区域之间的区域上的栅电极；以及第2传输门，其具有隔着栅绝缘膜配置在所述半导体衬底的所述电荷保持区域与所述浮置扩散区域之间的区域上的栅电极，所述固体摄像装置构成为将如下电势梯度施加给所述电荷保持区域：通过所述第1传输门从所述受光元件传输到所述电荷保持区域的信号电荷在所述第2传输门侧分布得比所述第1传输门侧多。2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，所述电荷保持区域沿着所述第1传输门的端部具有第1宽度，并且，沿着所述第2传输门的端部具有比所述第1宽度大的第2宽度。3.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中，所述电荷保持区域具有从所述第1宽度向所述第2宽度单调递增的宽度。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的固体摄像装置，其中，所述浮置扩散区域沿着所述第2传输门的...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑泽和伸，中村纪元，关泽充生，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。