用于电子芯片的热辐射性能测量方法技术

本发明专利技术公开了用于电子芯片的热辐射性能测量方法，包括检测装置，所述检测装置包括以下步骤：步骤1：提供待检测设备，置于检测平台上；步骤2：在高温状态下通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K1；步骤3：待步骤2中的待检测设备冷却至常温状态，再次通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K2；步骤4：将K1，K2与阈值范围H比较，超出H范围标记为不合格，不超出H范围标记为合格。所述阈值范围H根据实际待测器件的大小种类具体设定。所述检测平台底部设置温度探测器和控制器，所述温度探测器探测检测平台的温度并发送至控制器，控制器接收温度信息并根据预设的阈值范围H判断。

A method for measuring thermal radiation performance of electronic chips

Heat radiation performance measurement methods are disclosed for electronic chip, including the detection device, the detection device comprises the following steps: Step 1: to provide testing equipment, in the detection platform; step 2: in the condition of high power for 30 minutes, the temperature changes in the slope of linear K1 detection equipment to be detected within 30 minutes step 3: stay; step 2 detecting equipment cooling to normal temperature, re energized for 30 minutes, the temperature changes in the slope of linear K2 detection equipment to be detected within 30 minutes; step 4: K1, K2 and H exceeded the threshold range, H van rigging is not qualified, not beyond the scope of H markers qualified. The threshold range H is specifically set according to the size of the actual device to be measured. A temperature detector and a controller are set at the bottom of the detection platform. The temperature detector detects the temperature of the detection platform and sends it to the controller. The controller receives temperature information and judges it according to the preset threshold range H.

【技术实现步骤摘要】
用于电子芯片的热辐射性能测量方法
本专利技术涉及一种检测装置，具体涉及用于电子芯片的热辐射性能测量方法。
技术介绍
随着网络技术的发展，网络被广泛的应用到各个领域，然而对网络的状态信息的获取目前还仅限于网络中互相通讯的微机状态并不能对网络的实时状态、性能和运行环境等信息进行有效的获取，网络的维护还被动的依赖于网络中微机的联网状态，现在的计算机网络监控装置，结构较为复杂，体积庞大，散热效果较差，在具体使用时特别是网络监测装置大功率运行时，会产生大量的热量，若不及时的散热，将会出现网络监测装置运行缓慢，严重时将会导致网络监测装置烧坏的现象。电子照明设备也一样，散热不及时或者不达标会烧坏照明器件，所以我们需要在出厂时对元器件设备的散热状态做一个合格的检测。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是出厂时对元器件设备的散热状态做一个合格的检测，目的在于提供用于电子芯片的热辐射性能测量方法，解决出厂时对元器件设备的散热状态做一个合格的检测的问题。本专利技术通过下述技术方案实现：用于电子芯片的热辐射性能测量方法，包括检测装置，所述检测装置包括以下步骤：步骤1：提供待检测设备，置于检测平台上；步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于电子芯片的热辐射性能测量方法，其特征在于：包括检测装置，所述检测装置包括以下步骤：步骤1：提供待检测设备，置于检测平台上；步骤2：在高温状态下通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K1；步骤3：待步骤2中的待检测设备冷却至常温状态，再次通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K2；步骤4：将K1，K2与阈值范围H比较，超出H范围标记为不合格，不超出H范围标记为合格。

【技术特征摘要】
1.用于电子芯片的热辐射性能测量方法，其特征在于：包括检测装置，所述检测装置包括以下步骤：步骤1：提供待检测设备，置于检测平台上；步骤2：在高温状态下通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K1；步骤3：待步骤2中的待检测设备冷却至常温状态，再次通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K2；步骤4：将K1，K2与阈值范围H比较，超出H范围标记为不合格，不超出H范围标记为合格。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋祥春，
申请(专利权)人：蒋祥春，
类型：发明
国别省市：四川,51