提升激光损伤阈值的基片处理方法技术

技术编号:17549166 阅读:71 留言:0更新日期:2018-03-28 03:39
采用热处理和超声清洗相结合的技术,提出一种提升基片表面及透射类薄膜元件激光损伤阈值的基片处理方法。利用热处理技术将基片亚表面的杂质颗粒析出至基片表面,然后通过超声清洗技术去除析出至基片表面的杂质颗粒。本发明专利技术能够在去除(亚)表面杂质颗粒的同时增加薄膜的附着力,提升基片表面及透射类薄膜元件的激光损伤阈值。

A base sheet processing method for improving the threshold of laser damage

Based on the combination of heat treatment and ultrasonic cleaning, a base sheet treatment method for laser damage threshold of surface and transmission thin film elements is proposed. The impurity particles on the sub surface of the substrate are precipitated to the surface of the substrate by heat treatment technology, and then the impurity particles precipitated to the substrate surface are removed by ultrasonic cleaning. The invention can increase the adhesion of the film at the same time to remove the impurity particles on the surface, and improve the laser damage threshold of the surface of the substrate and the transmission of the film elements.

【技术实现步骤摘要】
提升激光损伤阈值的基片处理方法
本专利技术涉及光学薄膜领域,是一种为了提升激光损伤阈值的基片处理方法。
技术介绍
激光损伤阈值是光学薄膜元件性能的重要参数之一,关乎薄膜元件能否在高功率激光系统中得到良好应用。已有研究表明杂质缺陷是诱导激光损伤的根源:一方面,在激光辐照时,杂质缺陷处的局部温度迅速增加,在热力耦合作用下产生激光损伤;另一方面,基片(亚)表面的杂质在镀膜过程中因热迁移效应在基片表面形成更大尺寸的杂质颗粒与膜层发生耦合效应,导致薄膜元件的损伤阈值远低于薄膜的本征损伤阈值,甚至低于基片表面的损伤阈值。因此对于镀膜元件而言,基片的清洁程度是影响镀膜产品质量好坏的关键因素之一。高功率激光系统,如我国神光系列装置、美国国家点火装置(NIF)、法国LMJ装置、日本LFEX和GEKKO装置等大型高功率激光装置对薄膜元件的抗激光损伤性能提出了很高的要求,使得镀膜前基片的清洗必须更加严格和规范。常用的基片清洗包括有机溶剂擦洗和超声清洗:前者效率低下且在实际的操作过程中易受操作人员影响;后者能去除基片表面的污染,但不能有效去除基片加工过程残留的亚表面杂质缺陷。2015年全国薄膜技术学术研讨会本文档来自技高网...
提升激光损伤阈值的基片处理方法

【技术保护点】
一种提升基片表面及透射类薄膜元件激光损伤阈值的基片处理方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤1)采用超声清洗方法清除基片表面污染,具体为:①去离子水喷淋3‑30分钟;②碱液超声清洗3‑10分钟,超声频率为40KHz;③去离子水喷淋,时间3‑30分钟,冲洗残留的清洗剂;④去离子水超声清洗3‑10分钟,超声频率为40KHz;⑤从清洗槽中提出基片;⑥超净环境中红外烘烤基片5分钟以上;步骤2)采用热处理技术使基片亚表面的杂质颗粒析出至基片表面:将基片置于在烤箱中进行热处理,热处理温度:200~800℃;热处理时间:2~8小时;热处理气氛:大气环境;待基片在烤箱中自然冷却至室温后取出基片;步骤3)采...

【技术特征摘要】
1.一种提升基片表面及透射类薄膜元件激光损伤阈值的基片处理方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤1)采用超声清洗方法清除基片表面污染,具体为:①去离子水喷淋3-30分钟;②碱液超声清洗3-10分钟,超声频率为40KHz;③去离子水喷淋,时间3-30分钟,冲洗残留的清洗剂;④去离子水超声清洗3-10分钟,超声频率为40KHz;⑤从清洗槽中提出基片;⑥超净环境中红外烘烤基片5分钟以上;步骤2)采用热处理技术使基片亚表面的杂质颗粒析出至基片表面:将基片置于在烤箱中进行热处理,热处理温度:200~800℃;热处理时间:2~8小时;热处理气氛:大气环境;待基片在烤箱中自然冷却至室温后取出基片;步骤3)采用超声清洗方法清除析出至基片表面的杂...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱美萍曾婷婷邵建达柴英杰许诺尹超奕易葵
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
类型:发明
国别省市:上海,31

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