用于数字成像系统中的多传感器像素架构技术方案

本发明专利技术涉及一种用于数字成像系统中的多传感器像素架构，并具体描述了一种用于数字成像系统中的多传感器像素架构的系统和方法。系统包括至少一个半导电层，以用于吸收入射到至少一个半导电层的对侧上的辐射；以及在半导电层的一侧上的电极组，以用于传送与半导电层所吸收的辐射相关联的信号。

Multi-sensor pixel architecture for digital imaging system

The invention relates to a multi-sensor pixel architecture for digital imaging system, and specifically describes a system and method for multi-sensor pixel architecture used in digital imaging system. The system includes at least 1.5 conductive layers for absorbing radiation on the opposite side incident to at least 1.5 conductive layers, and an electrode set on one side of the semiconducting layer to transmit signals associated with the radiation absorbed by the semiconducting layer.

【技术实现步骤摘要】
用于数字成像系统中的多传感器像素架构
本公开通常涉及数字成像系统，并且更具体地，涉及用于数字成像系统中的多传感器像素架构。
技术介绍
传统上，X射线诊断方法在卤化银胶片上记录x射线成像图形。这些系统通常指引撞击X射线辐射或X射线穿过待研究物体的初始均匀的图形，在X射线穿过待研究物体之后，采用X射线辐射增光屏截取X射线辐射的已调制图形，在卤化银胶片上记录已修改的图形，以及将潜影图形化学地转换为永久并可见的、称作射线照片的图像。通过使用辐射敏感材料层而产生射线照片以直接地将射线照明图像捕捉作为电荷的已调制图形。取决于入射的X射线辐射的强度，使用离散固态辐射传感器的规则设置的阵列来量子化由X射线辐射电学地或光学地(经由闪烁体(scintillator)间接地)产生的电荷。近期，在用于使用有源矩阵技术的数字射线学的大面积、平板、数字X射线成像器的领域已经具有快速的进展。有源矩阵包括采用大面积可兼容半导体材料制成的薄膜晶体管(TFT)的二维阵列(其每一个元件称作像素)。存在用于制造平板X射线成像器的两种通常方案。这些方案可以视作直接方案或间接方案。直接方案主要地使用非晶硒光导电体作为直接地偶接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于数字成像系统中的探测器元件，所述探测器元件包括：至少一个半导电层，所述至少一个半导电层用于吸收入射到所述至少一个半导电层的相对侧面上的辐射；以及电极组，所述电极组位于所述至少一个半导电层的一侧上以用于传送与所述至少一个半导电层所吸收的辐射相关联的信号；其中所述信号被传送至读出电子器件组。

【技术特征摘要】
2016.09.15 US 15/266,0511.一种用于数字成像系统中的探测器元件，所述探测器元件包括：至少一个半导电层，所述至少一个半导电层用于吸收入射到所述至少一个半导电层的相对侧面上的辐射；以及电极组，所述电极组位于所述至少一个半导电层的一侧上以用于传送与所述至少一个半导电层所吸收的辐射相关联的信号；其中所述信号被传送至读出电子器件组。2.根据权利要求1所述的探测器元件，其中，所述电极组包括：检测电极；以及偏置电极。3.根据权利要求2所述的探测器元件，其中，所述检测电极和所述偏置电极横向间隔开。4.根据权利要求1所述的探测器元件，进一步包括阻挡层，所述阻挡层位于所述电极组与所述半导电层之间。5.根据权利要求1所述的探测器元件，其中，所述半导电层包括非晶硅、硫化钼、氧化铟镓锌、多晶硅、非晶硒、碘化汞、氧化铅、微晶硅、纳米晶硅、单晶硅、苝四甲酸双苯并咪唑PTCBI、硅纳米线和酞菁铜CuPc中的至少一种。6.根据权利要求1所述的探测器元件，其中，所述探测器元件偶接到读出电路元件。7.根据权利要求6所述的探测器元件，其中，所述读出电路元件包括晶体管开关电路、有源像素传感器电路和光子计数像素电路中的至少一种。8.根据权利要求4所述的探测器元件，其中，所述阻挡层包括非晶氮化硅、非晶氧化硅、非晶氮氧化硅、聚酰亚胺、PVK、苯并环丁烯BCB、透明金属氧化物和聚苯乙烯中的至少一种。9.根据权利要求1所述的探测器，其中，所述电极中的至少一个是透明的。10.一种用于数字成像系统的探测器元件，所述探测器元件包括：至少一个顶电极金属-半导体-金属MSM探测器；以及至少一个底电极MSM探测器；其中所述至少一个顶电极MSM探...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡里姆·S·卡里姆，西纳·甘巴尔扎德，
申请(专利权)人：KA成像股份有限公司，
类型：发明
国别省市：加拿大,CA