A positron emission tomography (PET) detector module and method of making the same. The module of the PET detector comprises a plurality of first rectangular section crystal blocks, a first pentagonal section crystal block and a second pentagonal section crystal block. The plurality of first rectangular cross section crystal blocks are positioned between the first and second pentagonal section crystal blocks.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及医学诊断领域，特别涉及一种象限共享的正电子发射断层成像的检测器模组及其制造方法。
技术介绍
正电子发射断层成像（Positronemissiontomography，简称PET）可以基于癌组织的生化特性检测活体的肿块。近年来，PET以其在探出分子机能方面的独特能力，在临床应用中被广泛应用于癌症诊断，并被认为是研究活体内癌症机能的重要工具。PET的活体分子成像能力引起了相当大的癌症研究兴趣以及放射性示踪剂的发展，所述放射跟踪用于研究与癌症相关的分子过程，比如：血管再生、细胞凋亡、细胞增殖、组织缺氧、基因表达和血流量。尽管如此，由于高昂的扫描成本以及较低的图像分辨率，时至今日，PET在全身癌症检测领域的潜力仍未被开发出来。到2009年，临床PET照相机具有4.0至6.3毫米的图像分辨率。但是由于其灵敏度低，在实际使用中，其临床分辨率更低，约7至10毫米，这可能导致在实际应用中无法检测出小的或早期的病灶和转移。过去十年中，低成本、超高分辨率的PET技术及照相机成了人们的研究热点。PET照相机的探测器一般是由成千上万个闪烁晶体和数以千计的光传感器构成。光电倍增管（photomultipliertubes，简称PMT）是最常见的应用于临床PET照相机中的光传感器。尽管其它固态的或者半导体光传感器也在研究之中，但是目前这些光传感器都比PMT成本高。PMT用于检测闪烁晶体发出的闪烁信号，并把闪烁信
【技术保护点】
一种正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，包括：多个光传感器；第一闪烁晶体阵列，所述第一闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体，所述晶体与所述光传感器耦合；其中，所述第一闪烁晶体阵列包括第一矩形截面晶体块，第一五边形截面晶体块和第二五边形截面晶体块，且所述第一矩形截面晶体块位于所述第一和第二五边形截面晶体块之间。
【技术特征摘要】
2012.11.20 US 61/728,3271.一种正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，包括：
多个光传感器；
第一闪烁晶体阵列，所述第一闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体，所述
晶体与所述光传感器耦合；
其中，所述第一闪烁晶体阵列包括第一矩形截面晶体块，第一五边形
截面晶体块和第二五边形截面晶体块，且所述第一矩形截面晶体块位于所
述第一和第二五边形截面晶体块之间。
2.如权利要求1所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，进
一步包括第二矩形截面晶体块，所述第二矩形截面晶体块位于所述第一和第
二五边形截面晶体块之间。
3.如权利要求2所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，进
一步包括k个矩形截面晶体块，所述k个矩形截面晶体块位于所述第一和第
二矩形截面晶体块之间，其中，k为大于或等于1的整数。
4.如权利要求3所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，进
一步包括N个闪烁晶体阵列，所述闪烁晶体阵列中的晶体与所述光传感器耦
合，组成连续的多边形探测器环，其中，N为大于或等于1的整数。
5.如权利要求4所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，
所述第一五边形截面晶体块包括与所述第一矩形截面晶体块相邻的第一
边，所述第一五边形截面晶体块还包括第二边和第三边，且所述第一边与所
述第二、三边均垂直；
所述第二五边形截面晶体块包括与所述第二矩形截面晶体块相邻的第一
边，所述第二五边形截面晶体块还包括第二边和第三边，且所述第一边与所
述第二、三边均垂直。
6.如权利要求5所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，
所述第一五边形截面晶体块包括第四边，所述第四边与所述第一五边形截
\t面晶体块第一、二、三边之间具有第一锥度角；
所述第一五边形截面晶体块包括第五边，所述第五边与所述第一五边形截
面晶体块第一、二边之间具有第二锥度角；
所述第一锥度角和所述第二锥度角相等。
7.如权利要求6所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，所述第一、
二锥度角均等于180°/N。
8.如权利要求6所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，所述多个
光传感器均为光电倍增管。
9.如权利要求8所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，第一光电
倍增管和第二光电倍增管相互平行；
所述第一、第二光电倍增管位于第三、第四光电倍增管之间；
所述第三、第四光电倍增管不相互平行；
第三、第四光电倍增管与所述第一、第二光电倍增管均不平行。
10.一种正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，包括：
多个光电倍增管和多个闪烁晶体阵列，所述多个光电倍增管与所述多
个闪烁晶体阵列耦合形成一个连续的探测器环，其中
每个闪烁晶体阵列包括多个矩形截面晶体块和多个不对称的五边
形截面晶体块；
每个矩形截面的晶体块位于一对不对称的五边形截面晶体块之间。
11.如权利要求10所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，每
个矩形截面晶体块与一个不对称的五边形截面晶体块和一个矩形截面晶体块
相邻。
12.如权利要求10所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，一
对矩形截面晶体块位于一对不对称的五边形截面晶体块之间。
13.如权利要求10所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，三
\t个矩形截面晶体块位于一对不对称的五边形截面晶体块之间。
14.如权利要求10所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，所
述连续的探测器环包括第一和第二轴向末端，所述第一、二轴向末端包括多
个闪烁晶体阵列，所述闪烁晶体阵列包括多个轴向长度大于周向长度的晶体
块。
15.一种正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，包括：
多个光电倍增管和多个闪烁晶体阵列，所述多个光电倍增管与所述多个闪
烁晶体阵列形成连续的探测器环，所述探测器环包括轴向和周向，其中
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李洪弟，王伟海，张玉烜，
申请(专利权)人：李洪弟，王伟海，张玉烜，
类型：发明
国别省市：美国;US
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