高保真高效率功放电路制造技术

本实用新型专利技术的高保真高效率功放电路，包括甲乙类功率放大单元、丁类功率放大单元、第二电源和用于为甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元供电的第一电源，所述甲乙类功率放大单元的输入端和丁类功率放大单元的输入端连接，所述甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元的放大倍数和相位相同，所述丁类功率放大单元的输出端和第二电源的接地端连接，所述甲乙类功率放大单元包括两个末级互补功率管，所述末级互补功率管采用场效应晶体管或双极性晶体管，第二电源的正极、负极分别与该两个末级互补功率管的漏极或集电极连接。由第二电源给甲乙类功率放大单元的两个末级互补功率管供电来提高甲乙类功率放大单元的效率，得到高保真高效率的功放电路。

【技术实现步骤摘要】
高保真高效率功放电路
本技术涉及功放
，特别是涉及一种高保真高效率功放电路。
技术介绍
在目前流行的后级功率放大电路中，有较高保真的甲乙类(AB类)，还有高效的丁类(D类)。甲乙类高保真高效率功放电路中，采用两个功率管推挽工作，并且对该两个推挽功率管加入基本工作电流解决交越失真，保真度很高。但是该类电路效率较低，理论平均效率低于50％，这是因为功率管工作于线性方式，当将电压输出到负载时，更多的压降需要功率管承受。而丁类高保真高效率功放电路用PWM方式工作，先将模拟量用脉冲方式表现，再将脉冲信号用无源器件进行滤波还原成平缓模拟量，功率管只有开关状态，故效率很高，理论上可接近100％。但是众所周知该类方式的信号失真较为严重，包括畸变、噪音、残留载波等等。总的来说，传统的高保真高效率功放电路中，高保真和高效率之间存在矛盾，难以在保持较高保真度的前提下实现高效率。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提出一种高保真度和高效率的功放电路。本技术的技术方案为：高保真高效率功放电路，包括甲乙类功率放大单元、丁类功率放大单元、第二电源和用于为甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元供电的第一电源，所述甲乙类功率放大单元的输入端和丁类功率放大单元的输入端连接，所述甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元的放大倍数和相位相同，所述丁类功率放大单元的输出端和第二电源的接地端连接，所述甲乙类功率放大单元包括两个末级互补功率管，所述末级互补功率管采用场效应晶体管或双极性晶体管，第二电源的正极、负极分别与该两个末级互补功率管的漏极或集电极连接。进一步，所述两个末级互补功率管采用第一P型场效应晶体管和第一N型场效应晶体管，所述第二电源的正极与第一N型场效应晶体管的漏极连接，所述第二电源的负极与第一P型场效应晶体管的漏极连接。进一步，所述两个末级互补功率管采用第一PNP型双极性晶体管和第一NPN型双极性晶体管，所述第二电源的正极与第一NPN型双极性晶体管的集电极连接，所述第二电源的负极与第一PNP型双极性晶体管的集电极连接。进一步，在甲乙类功率放大单元的末级互补功率管之前还设有放大电路。进一步，所述放大电路采用具有恒流源的二级放大电路。进一步，所述丁类功率放大单元包括丁类功放芯片、第一电阻、第二电阻、第二N型场效应晶体管、第三N型场效应晶体管、电感和电容；所述丁类功放芯片的第三引脚分别与第一电阻的一端和第二电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端作为丁类功率放大单元的输入端，所述第二电阻的另一端分别与丁类功放芯片的第十三引脚、第二N型场效应晶体管的源极、第三N型场效应晶体管的漏极和电感的一端连接，所述第二N型场效应晶体管的漏极与第一电源的正极连接，所述第二N型场效应晶体管的栅极与丁类功放芯片的第十四引脚连接，所述第三N型场效应晶体管的源极与第一电源的负极连接，所述第三N型场效应晶体管的栅极与丁类功放芯片的第十一引脚连接，所述电感的另一端通过电容接地，且所述电感的另一端作为丁类功率放大单元的输出端。本技术的有益效果为：本技术的高保真高效率功放电路，包括甲乙类功率放大单元、丁类功率放大单元、第二电源和用于为甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元供电的第一电源，所述甲乙类功率放大单元的输入端和丁类功率放大单元的输入端连接，所述甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元的放大倍数和相位相同，所述丁类功率放大单元的输出端和第二电源的接地端连接，所述甲乙类功率放大单元包括两个末级互补功率管，所述末级互补功率管采用场效应晶体管或双极性晶体管，第二电源的正极、负极分别与该两个末级互补功率管的漏极或集电极连接。甲乙类功率放大单元具有传统甲乙类功率放大电路的高保真度，通过将第二电源用于为甲乙类功率放大单元的两个末级互补功率管供电，因为第二电源的电压远小于第一电源的电压，故在末级互补功率管的电流不变的情况下极大的降低互补功率管的能量损耗，从而提高了功放的效率。因此，该高保真高效率功放电路具有高保真度和高效率。附图说明图1是本技术高保真高效率功放电路的第一具体实施例的电路图；图2是本技术第一具体实施例中甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元的输出信号图；图3是本技术第一具体实施例中甲乙类功率放大单元的输出信号和第二电源的电压图。具体实施方式高保真高效率功放电路，包括甲乙类功率放大单元、丁类功率放大单元、第二电源和用于为甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元供电的第一电源，所述甲乙类功率放大单元的输入端和丁类功率放大单元的输入端连接，所述甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元的放大倍数和相位相同，所述丁类功率放大单元的输出端和第二电源的接地端连接，所述甲乙类功率放大单元包括两个末级互补功率管，所述末级互补功率管采用场效应晶体管或双极性晶体管，第二电源的正极、负极分别与该两个末级互补功率管的漏极或集电极连接。进一步作为优选的实施方式，所述两个末级互补功率管采用第一P型场效应晶体管和第一N型场效应晶体管，所述第二电源的正极与第一N型场效应晶体管的漏极连接，所述第二电源的负极与第一P型场效应晶体管的漏极连接。进一步作为优选的实施方式，所述两个末级互补功率管采用第一PNP型双极性晶体管和第一NPN型双极性晶体管，所述第二电源的正极与第一NPN型双极性晶体管的集电极连接，所述第二电源的负极与第一PNP型双极性晶体管的集电极连接。进一步作为优选的实施方式，在甲乙类功率放大单元的末级互补功率管之前还设有放大电路。进一步作为优选的实施方式，所述放大电路采用具有恒流源的二级放大电路。进一步作为优选的实施方式，所述丁类功率放大单元包括丁类功放芯片、第一电阻、第二电阻、第二N型场效应晶体管、第三N型场效应晶体管、电感和电容；所述丁类功放芯片的第三引脚分别与第一电阻的一端和第二电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端作为丁类功率放大单元的输入端，所述第二电阻的另一端分别与丁类功放芯片的第十三引脚、第二N型场效应晶体管的源极、第三N型场效应晶体管的漏极和电感的一端连接，所述第二N型场效应晶体管的漏极与第一电源的正极连接，所述第二N型场效应晶体管的栅极与丁类功放芯片的第十四引脚连接，所述第三N型场效应晶体管的源极与第一电源的负极连接，所述第三N型场效应晶体管的栅极与丁类功放芯片的第十一引脚连接，所述电感的另一端通过电容接地，且所述电感的另一端作为丁类功率放大单元的输出端。本技术的第一具体实施例如图1所示，高保真高效率功放电路，包括甲乙类功率放大单元、丁类功率放大单元、第二电源和用于为甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元供电的第一电源，所述甲乙类功率放大单元的输入端和丁类功率放大单元的输入端连接，所述甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元的放大倍数和相位相同，所述丁类功率放大单元的输出端和第二电源的接地端连接，所述甲乙类功率放大单元包括两个末级互补功率管，所述末级互补功率管采用场效应晶体管，第二电源的正极、负极分别与该两个末级互补功率管的漏极连接；所述丁类功率放大单元包括型号为IRS2092的丁类功放芯片U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第二N型场效应晶体管Q1、第三N型场效应晶体管Q2、电感L1和电容C1；所述丁类功放芯片U1的IN-引脚分别与第一电阻R1的一端本文档来自技高网...

【技术保护点】
高保真高效率功放电路，其特征在于，包括甲乙类功率放大单元、丁类功率放大单元、第二电源和用于为甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元供电的第一电源，所述甲乙类功率放大单元的输入端和丁类功率放大单元的输入端连接，所述甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元的放大倍数和相位相同，所述丁类功率放大单元的输出端和第二电源的接地端连接，所述甲乙类功率放大单元包括两个末级互补功率管，所述末级互补功率管采用场效应晶体管或双极性晶体管，第二电源的正极、负极分别与该两个末级互补功率管的漏极或集电极连接。

【技术特征摘要】
1.高保真高效率功放电路，其特征在于，包括甲乙类功率放大单元、丁类功率放大单元、第二电源和用于为甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元供电的第一电源，所述甲乙类功率放大单元的输入端和丁类功率放大单元的输入端连接，所述甲乙类功率放大单元和丁类功率放大单元的放大倍数和相位相同，所述丁类功率放大单元的输出端和第二电源的接地端连接，所述甲乙类功率放大单元包括两个末级互补功率管，所述末级互补功率管采用场效应晶体管或双极性晶体管，第二电源的正极、负极分别与该两个末级互补功率管的漏极或集电极连接。2.根据权利要求1所述的高保真高效率功放电路，其特征在于，所述两个末级互补功率管采用第一P型场效应晶体管和第一N型场效应晶体管，所述第二电源的正极与第一N型场效应晶体管的漏极连接，所述第二电源的负极与第一P型场效应晶体管的漏极连接。3.根据权利要求1所述的高保真高效率功放电路，其特征在于，所述两个末级互补功率管采用第一PNP型双极性晶体管和第一NPN型双极性晶体管，所述第二电源的正极与第一NPN型双极性晶体管的集电极连接，所述第二电源的负极与第一PNP型双极性晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆东海，
申请(专利权)人：广州市微龙电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44