一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，包括依次连接的输入电路和输出电路；所述输入电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第一MOS管NM1和变压器；所述变压器包括互感的第一线圈和第二线圈；所述R1的一端和第一线圈的一端共节点，且R1的另一端接偏置电压Vbias，第一线圈的另一端接NM1的栅极；所述C1的一端、NM1的源极和第二线圈的一端共节点，且C1的另一端接输入电压Vin，第二线圈的另一端接地，NM1的漏级接输出电路；所述NM1的衬底接衬底偏置电压Vbs。本发明专利技术一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，由于变压器和衬底偏置电压的相互作用，实现了整个装置的低功耗、低噪声和高增益。

【技术实现步骤摘要】
一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器
本专利技术属于射频CMOS集成电路领域，具体涉及一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器。
技术介绍
在无线局域网射频前端系统中，低噪声放大器是一个关键的组成部分，它直接影响着整个系统的性能。它的主要功能就是将从天线接收到的微弱信号进行放大，同时将信号输出给后级的混频器，在这个过程中引入的噪声必须很低，作为接收系统第一级的低噪声放大器，它的噪声性能直接影响整个系统的噪声性能；其次，它的增益，线性度，功耗以及面积等参数直接影响着整个接收机的性能。这些性能参数之间互相影响互相制约，如何寻求一个折衷方案成为设计的难点。随着无线通信技术的发展，高集成度、小型化、低功耗和低成本成为无线通信的重要特征和需求，如可穿戴电子设备，共享单车的智能锁等物联网领域都需要低电压低功耗电路来延长电池的使用寿命，并减少系统散热的相关问题，以保证系统长时间的稳定工作，这些都需要低功耗，小型化的芯片支持。然而，现有的低噪声放大器中存在功耗大和噪声系数高的缺陷和不足。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有的低噪声放大器功耗大和噪声系数高，目的在于提供一种基于衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，包括依次连接的输入电路(1)和输出电路(2)；所述输入电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第一MOS管NM1和变压器(3)；所述变压器(3)包括互感的第一线圈(4)和第二线圈(5)；所述R1的一端和第一线圈(4)的一端共节点，且R1的另一端接偏置电压Vbias，第一线圈(4)的另一端接NM1的栅极；所述C1的一端、NM1的源极和第二线圈(5)的一端共节点，且C1的另一端接输入电压Vin，第二线圈(5)的另一端接地，NM1的漏级接输出电路(2)；所述NM1的衬底接衬底偏置电压Vbs。

【技术特征摘要】
1.一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，包括依次连接的输入电路(1)和输出电路(2)；所述输入电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第一MOS管NM1和变压器(3)；所述变压器(3)包括互感的第一线圈(4)和第二线圈(5)；所述R1的一端和第一线圈(4)的一端共节点，且R1的另一端接偏置电压Vbias，第一线圈(4)的另一端接NM1的栅极；所述C1的一端、NM1的源极和第二线圈(5)的一端共节点，且C1的另一端接输入电压Vin，第二线圈(5)的另一端接地，NM1的漏级接输出电路(2)；所述NM1的衬底接衬底偏置电压Vbs。2.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述输入电路(1)还包括第二电容C2；所述C2的一端连接于R1和第一线圈(4)的共节点处，C2的另一端接地。3.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述输出电路(2)包括第二电阻R2、第二MOS管NM2、第三电容C3、第五电容C5、第一电感L1和第二电感L2；所述R2的一端、C3的一端和NM2的栅极共节点，且R2的另一端接工作电压VDD，C3的另一端接NM1的漏级；所述L2的一端、C5的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正军，
申请(专利权)人：成都西井科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51